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메모리 (4449)
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 | Cy14V104LA-BA45XI | 1.0000 | | 7566 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | Cy14v104 | nvsram (r 휘발성 sram) | 2.7V ~ 3.6V | 48-FBGA (6x10) | 다운로드 | 1 | 비 비 | 4mbit | 45 ns | nvsram | 512k x 8 | 평행한 | 45ns | 확인되지 확인되지 | ||||||||
 | Cy7C1470BV33-167BZXC | 152.5500 | | 142 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Nobl ™ | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | Cy7c1470 | sram-동기, sdr | 3.135V ~ 3.6V | 165-FBGA (15x17) | 다운로드 | 2 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | 3.4 ns | SRAM | 2m x 36 | 평행한 | - | 확인되지 확인되지 | |||||||
| Cy7C1514KV18-250BZC | 129.5200 | | 65 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | Cy7c1514 | SRAM-동기, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | 다운로드 | 1 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | SRAM | 2m x 36 | 평행한 | - | 확인되지 확인되지 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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