SIC
close

메모리 (4449)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 sic 프로그램 가능
CY62167GE18-55BVXI Cypress Semiconductor Corp Cy62167Ge18-55BVXI 25.2000
RFQ
 ECAD 465 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA Cy62167 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 2832-CY62167GE18-55BVXI-428 20 휘발성 휘발성 16mbit 55 ns SRAM 2m x 8, 1m x 16 평행한 55ns 확인되지 확인되지
CY7C1011G30-10ZSXA Cypress Semiconductor Corp cy7c1011g30-10zsxa 10.1400
RFQ
 ECAD 437 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1011 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 1 휘발성 휘발성 2mbit 10 ns SRAM 128k x 16 평행한 10ns 확인되지 확인되지
CY7C1061GN18-15ZSXI Cypress Semiconductor Corp cy7c1061gn18-15zsxi 61.5400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1061 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 54-TSOP II 다운로드 1 휘발성 휘발성 16mbit 15 ns SRAM 1m x 16 평행한 15ns 확인되지 확인되지
S29GL064N90FFI013 Cypress Semiconductor Corp S29GL064N90FFI013 17.1800
RFQ
 ECAD 5798 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-N 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL064 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2832-S29GL064N90FFI013TR 3A991B1A 8542.32.0070 15 비 비 64mbit 90 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 90ns 확인되지 확인되지
S25FL128SAGMFIG00 Cypress Semiconductor Corp S25FL128SAGMFIG00 6.9500
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FL-S 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) S25FL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2832-S25FL128SAGMFIG00 80 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o - 확인
S29GL01GT10FAI010 Cypress Semiconductor Corp S29GL01GT10FAI010 18.0000
RFQ
 ECAD 2237 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp 자동차, AEC-Q100, GL-T 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2832-S29GL01GT10FAI010 3A991B1A 8542.32.0070 14 비 비 1gbit 100 ns 플래시 128m x 8 평행한 60ns 확인되지 확인되지
S29PL032J60BFI120 Cypress Semiconductor Corp S29PL032J60BFI120 8.6300
RFQ
 ECAD 3985 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp PL-J 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA S29PL032 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-FBGA (8.15x6.15) 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2832-S29PL032J60BFI120 3A991B1A 8542.32.0070 58 비 비 32mbit 60 ns 플래시 2m x 16 평행한 60ns 확인되지 확인되지
CY7C024AV-25ZXI Cypress Semiconductor Corp cy7c024av-25zxi 15.6000
RFQ
 ECAD 3385 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - sram-이중-, 비동기 3V ~ 3.6V - - 2156-CY7C024AV-25ZXI 5 휘발성 휘발성 64kbit 25 ns SRAM 4K X 16 평행한 25ns
CY7C1380KV33-167AXC Cypress Semiconductor Corp cy7c1380kv33-167axc 25.5700
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1380 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) 다운로드 12 167 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.4 ns SRAM 512k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1315KV18-250BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1315kv18-250bzxc 30.7700
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1315 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 10 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1423KV18-300BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1423KV18-300BZC 46.4900
RFQ
 ECAD 266 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1423 SRAM-동기, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 7 300MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
S29GL032N90FFI020 Cypress Semiconductor Corp S29GL032N90FFI020 -
RFQ
 ECAD 3839 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-N 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL032 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) 다운로드 1 비 비 32mbit 90 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 90ns 확인
CY7C1011DV33-10ZSXIT Cypress Semiconductor Corp cy7c1011dv33-10zsxit 1.0000
RFQ
 ECAD 6816 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1011 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 1 휘발성 휘발성 2mbit 10 ns SRAM 128k x 16 평행한 10ns 확인되지 확인되지
CY7C1470V25-200BZXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1470V25-200BZXC -
RFQ
 ECAD 8310 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1470 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-FBGA (15x17) 다운로드 1 200MHz 휘발성 휘발성 72mbit 3 ns SRAM 2m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY14B101I-SFXI Cypress Semiconductor Corp cy14b101i-sfxi -
RFQ
 ECAD 5720 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) Cy14B101 nvsram (r 휘발성 sram) 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.32.0040 19 3.4 MHz 비 비 1mbit nvsram 128k x 8 i²c - 확인되지 확인되지
CY7C25632KV18-400BZXI Cypress Semiconductor Corp cy7c25632kv18-400bzxi 288.5900
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c25632 SRAM-동기, QDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 2 400MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C25632KV18-500BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C25632KV18-500BZC 304.8100
RFQ
 ECAD 193 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c25632 SRAM-동기, QDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 1 500MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY62146EV30LL-45BVXI Cypress Semiconductor Corp Cy62146EV30LL-45BVXI 5.5400
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA Cy62146 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 91 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 256k x 16 평행한 45ns 확인되지 확인되지
CY62148EV30LL-45ZSXI Cypress Semiconductor Corp cy62148ev30ll-45zsxi -
RFQ
 ECAD 4933 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-Soic (0.400 ", 10.16mm 너비) Cy62148 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 32-TSSOP II 다운로드 49 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 512k x 8 평행한 45ns 확인되지 확인되지
S25FL512SDPBHVC10 Cypress Semiconductor Corp S25FL512SDPBHVC10 9.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FL-S 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA S25FL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-BGA (8x6) 다운로드 rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 1 66MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o - 확인되지 확인되지
CY7C109D-10ZXI Cypress Semiconductor Corp cy7c109d-10zxi -
RFQ
 ECAD 5042 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) cy7c109 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 1 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 128k x 8 평행한 10ns 확인되지 확인되지
CY7C2563XV18-600BZXC Cypress Semiconductor Corp cy7c2563xv18-600bzxc 464.2800
RFQ
 ECAD 297 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c2563 SRAM-동기, QDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 1 600MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
S25FL064LABMFV010 Cypress Semiconductor Corp S25FL064LABMFV010 1.9300
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FL-L 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) S25FL064 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 125 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi - 확인
CYD18S18V18-167BBAXC Cypress Semiconductor Corp Cyd18S18V18-167BBAXC 93.4900
RFQ
 ECAD 725 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 256-lbga Cyd18S18 sram-듀얼--, 비동기, 표준 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V 256-FBGA (17x17) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 4 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
CY7C1420KV18-250BZC Cypress Semiconductor Corp cy7c1420kv18-250bzc 42.8800
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1420 SRAM-동기, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 1 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
FM24V10-G Cypress Semiconductor Corp FM24V10-G 12.5400
RFQ
 ECAD 429 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp f-ram ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FM24V10 프램 (Ferroelectric RAM) 2V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 50 3.4 MHz 비 비 1mbit 130 ns 프램 128k x 8 i²c - 확인되지 확인되지
S29GL256S10DHV020 Cypress Semiconductor Corp S29GL256S10DHV020 -
RFQ
 ECAD 7037 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-S 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (9x9) 다운로드 1 비 비 256mbit 100 ns 플래시 16m x 16 평행한 60ns 확인되지 확인되지
CY14V104LA-BA45XI Cypress Semiconductor Corp Cy14V104LA-BA45XI 1.0000
RFQ
 ECAD 7566 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA Cy14v104 nvsram (r 휘발성 sram) 2.7V ~ 3.6V 48-FBGA (6x10) 다운로드 1 비 비 4mbit 45 ns nvsram 512k x 8 평행한 45ns 확인되지 확인되지
CY7C1470BV33-167BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1470BV33-167BZXC 152.5500
RFQ
 ECAD 142 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1470 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 165-FBGA (15x17) 다운로드 2 167 MHz 휘발성 휘발성 72mbit 3.4 ns SRAM 2m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1514KV18-250BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1514KV18-250BZC 129.5200
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1514 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 1 250MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
Enter를 누르십시오. 검색 또는 ESC를 닫으십시오