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메모리 (4449)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	sic 프로그램 가능
S25FL116K0XMFA041	2.1100	RFQ	901	Cypress Semiconductor Corp	자동차, AEC-Q100, FL1-K	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	S25FL116	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.32.0071	237	108 MHz	비 비	16mbit		플래시	2m x 8	spi-쿼드 i/o	3ms
S25FL132K0XMFV041	7.9400	RFQ	63	Cypress Semiconductor Corp	FL1-K	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	S25FL132	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수			2832-S25FL132K0XMFV041			63	108 MHz	비 비	32mbit		플래시	4m x 8	spi-쿼드 i/o	3ms	확인
S26KL512SDABHA020	10.2100	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인								다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	2156-S26KL512SDABHA020-428	3A991B1A	8542.32.0071	1
cy7c1011dv33-10bvika	4.0500	RFQ	914	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인								다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받습니다	2156-CY7C1011DV33-10BVIKA-428			1
Cy62167Ge18-55BVXI	25.2000	RFQ	465	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-VFBGA	Cy62167	sram- 비동기	1.65V ~ 2.2V	48-VFBGA (6x8)	다운로드				2832-CY62167GE18-55BVXI-428			20		휘발성 휘발성	16mbit	55 ns	SRAM	2m x 8, 1m x 16	평행한	55ns	확인되지 확인되지
cy7c1011g30-10zsxa	10.1400	RFQ	437	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	cy7c1011	sram- 비동기	2.2V ~ 3.6V	44-TSOP II	다운로드							1		휘발성 휘발성	2mbit	10 ns	SRAM	128k x 16	평행한	10ns	확인되지 확인되지
cy7c1061gn18-15zsxi	61.5400	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	cy7c1061	sram- 비동기	1.65V ~ 2.2V	54-TSOP II	다운로드							1		휘발성 휘발성	16mbit	15 ns	SRAM	1m x 16	평행한	15ns	확인되지 확인되지
S29GL064N90FFI013	17.1800	RFQ	5798	Cypress Semiconductor Corp	GL-N	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	S29GL064	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (13x11)	다운로드	rohs 비준수	적용 적용 수 할	공급 공급 정의되지 업체는	2832-S29GL064N90FFI013TR	3A991B1A	8542.32.0070	15		비 비	64mbit	90 ns	플래시	8m x 8, 4m x 16	평행한	90ns	확인되지 확인되지
S25FL128SAGMFIG00	6.9500	RFQ	14	Cypress Semiconductor Corp	FL-S	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	S25FL128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-	다운로드	rohs 비준수	적용 적용 수 할	공급 공급 정의되지 업체는	2832-S25FL128SAGMFIG00			80	133 MHz	비 비	128mbit		플래시	16m x 8	spi-쿼드 i/o	-	확인
S29GL01GT10FAI010	18.0000	RFQ	2237	Cypress Semiconductor Corp	자동차, AEC-Q100, GL-T	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	S29GL01	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (13x11)	다운로드	rohs 비준수	적용 적용 수 할	공급 공급 정의되지 업체는	2832-S29GL01GT10FAI010	3A991B1A	8542.32.0070	14		비 비	1gbit	100 ns	플래시	128m x 8	평행한	60ns	확인되지 확인되지
S29PL032J60BFI120	8.6300	RFQ	3985	Cypress Semiconductor Corp	PL-J	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-VFBGA	S29PL032	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-FBGA (8.15x6.15)	다운로드	rohs 비준수	적용 적용 수 할	공급 공급 정의되지 업체는	2832-S29PL032J60BFI120	3A991B1A	8542.32.0070	58		비 비	32mbit	60 ns	플래시	2m x 16	평행한	60ns	확인되지 확인되지
cy7c024av-25zxi	15.6000	RFQ	3385	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-		sram-이중-, 비동기	3V ~ 3.6V	-	-				2156-CY7C024AV-25ZXI			5		휘발성 휘발성	64kbit	25 ns	SRAM	4K X 16	평행한	25ns
cy7c1380kv33-167axc	25.5700	RFQ	36	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	Cy7c1380	sram-동기, sdr	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20)	다운로드							12	167 MHz	휘발성 휘발성	18mbit	3.4 ns	SRAM	512k x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy7c1315kv18-250bzxc	30.7700	RFQ	112	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1315	SRAM-동기, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드							10	250MHz	휘발성 휘발성	18mbit		SRAM	512k x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy7C1423KV18-300BZC	46.4900	RFQ	266	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1423	SRAM-동기, DDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드							7	300MHz	휘발성 휘발성	36mbit		SRAM	2m x 18	평행한	-	확인되지 확인되지
S29GL032N90FFI020	-	RFQ	3839	Cypress Semiconductor Corp	GL-N	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	S29GL032	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (13x11)	다운로드							1		비 비	32mbit	90 ns	플래시	4m x 8, 2m x 16	평행한	90ns	확인
cy7c1011dv33-10zsxit	1.0000	RFQ	6816	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	cy7c1011	sram- 비동기	3V ~ 3.6V	44-TSOP II	다운로드							1		휘발성 휘발성	2mbit	10 ns	SRAM	128k x 16	평행한	10ns	확인되지 확인되지
CY7C1470V25-200BZXC	-	RFQ	8310	Cypress Semiconductor Corp	Nobl ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1470	sram-동기, sdr	2.375V ~ 2.625V	165-FBGA (15x17)	다운로드							1	200MHz	휘발성 휘발성	72mbit	3 ns	SRAM	2m x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
cy14b101i-sfxi	-	RFQ	5720	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	Cy14B101	nvsram (r 휘발성 sram)	2.7V ~ 3.6V	16-	다운로드	rohs 비준수	적용 적용 수 할	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.32.0040	19	3.4 MHz	비 비	1mbit		nvsram	128k x 8	i²c	-	확인되지 확인되지
cy7c25632kv18-400bzxi	288.5900	RFQ	82	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c25632	SRAM-동기, QDR II+	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드							2	400MHz	휘발성 휘발성	72mbit		SRAM	4m x 18	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy7C25632KV18-500BZC	304.8100	RFQ	193	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c25632	SRAM-동기, QDR II+	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드							1	500MHz	휘발성 휘발성	72mbit		SRAM	4m x 18	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy62146EV30LL-45BVXI	5.5400	RFQ	95	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-VFBGA	Cy62146	sram- 비동기	2.2V ~ 3.6V	48-VFBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수						91		휘발성 휘발성	4mbit	45 ns	SRAM	256k x 16	평행한	45ns	확인되지 확인되지
cy62148ev30ll-45zsxi	-	RFQ	4933	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-Soic (0.400 ", 10.16mm 너비)	Cy62148	sram- 비동기	2.2V ~ 3.6V	32-TSSOP II	다운로드							49		휘발성 휘발성	4mbit	45 ns	SRAM	512k x 8	평행한	45ns	확인되지 확인되지
S25FL512SDPBHVC10	9.7300	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	FL-S	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	S25FL512	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-BGA (8x6)	다운로드	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는				1	66MHz	비 비	512mbit		플래시	64m x 8	spi-쿼드 i/o	-	확인되지 확인되지
cy7c109d-10zxi	-	RFQ	5042	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	cy7c109	sram- 비동기	4.5V ~ 5.5V	32-tsop i	다운로드							1		휘발성 휘발성	1mbit	10 ns	SRAM	128k x 8	평행한	10ns	확인되지 확인되지
cy7c2563xv18-600bzxc	464.2800	RFQ	297	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c2563	SRAM-동기, QDR II+	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드							1	600MHz	휘발성 휘발성	72mbit		SRAM	4m x 18	평행한	-	확인되지 확인되지
S25FL064LABMFV010	1.9300	RFQ	400	Cypress Semiconductor Corp	FL-L	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	S25FL064	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	적용 적용 수 할	공급 공급 정의되지 업체는				125	108 MHz	비 비	64mbit		플래시	8m x 8	spi-쿼드 i/o, qpi	-	확인
Cyd18S18V18-167BBAXC	93.4900	RFQ	725	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	256-lbga	Cyd18S18	sram-듀얼--, 비동기, 표준	1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V	256-FBGA (17x17)	다운로드					3A991B2A	8542.32.0041	1	167 MHz	휘발성 휘발성	18mbit	4 ns	SRAM	1m x 18	평행한	-
cy7c1420kv18-250bzc	42.8800	RFQ	24	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1420	SRAM-동기, DDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는				1	250MHz	휘발성 휘발성	36mbit		SRAM	1m x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
FM24V10-G	12.5400	RFQ	429	Cypress Semiconductor Corp	f-ram ™	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	FM24V10	프램 (Ferroelectric RAM)	2V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는				50	3.4 MHz	비 비	1mbit	130 ns	프램	128k x 8	i²c	-	확인되지 확인되지

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (4449)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²