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메모리 (4449)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 sic 프로그램 가능
CY7C1370DV25-200AXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1370DV25-200AXC 30.0700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1370 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 100-TQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 10 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3 ns SRAM 512k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY62147DV18LL-70BVIT Cypress Semiconductor Corp Cy62147DV18LL-70BVIT 1.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MOBL2 ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA Cy62147 sram- 비동기 1.65V ~ 2.25V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 200 휘발성 휘발성 4mbit 70 ns SRAM 256k x 16 평행한 70ns
CY7C1328G-133AXI Cypress Semiconductor Corp cy7c1328g-133axi -
RFQ
 ECAD 5009 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1328 sram-동기, sdr 3.15V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 2832-CY7C1328G-133AXI 144 133 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 4 ns SRAM 256k x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1354A-200BGC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1354A-200BGC 8.0800
RFQ
 ECAD 184 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga Cy7c1354 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 119-PBGA (14x22) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 200MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.2 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
CY62416VLL-70ZI Cypress Semiconductor Corp cy62416vll-70zi 2.5300
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 ECAD 303 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 0000.00.0000 1
S29GL01GT11TFV020 Cypress Semiconductor Corp S29GL01GT11TFV020 12.1100
RFQ
 ECAD 146 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-T 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) S29GL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 25 비 비 1gbit 110 ns 플래시 128m x 8 평행한 60ns 확인되지 확인되지
CY7C1012AV33-8BGI Cypress Semiconductor Corp cy7c1012av33-8bgi 44.0000
RFQ
 ECAD 5524 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-bga cy7c1012 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 119-PBGA (14x22) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 12mbit 8 ns SRAM 512k x 24 평행한 8ns
FM1106-GA Cypress Semiconductor Corp FM1106-GA -
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 ECAD 5193 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC - Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 100 900 kHz 비 비 - 프램 - -
CY7C1314CV18-200BZI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1314CV18-200BZI 33.5300
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 ECAD 72 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1314 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 9 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C09099V-12AC Cypress Semiconductor Corp Cy7C09099V-12AC -
RFQ
 ECAD 7283 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 가방 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c09099 sram-듀얼-, 동기 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2B 8542.32.0041 90 50MHz 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 - 확인되지 확인되지
S29GL512T10FHI020 Cypress Semiconductor Corp S29GL512T10FHI020 7.7300
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 ECAD 205 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-T 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) 다운로드 39 비 비 512mbit 100 ns 플래시 64m x 8 평행한 60ns 확인
CY7C1041CV33-20VC Cypress Semiconductor Corp CY7C1041CV33-20VC 2.3700
RFQ
 ECAD 297 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1041 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 256k x 16 평행한 20ns
CY7C028V-25AXCKJ Cypress Semiconductor Corp cy7c028v-25axckj -
RFQ
 ECAD 3869 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp cy7c028 sram-이중-, 비동기 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 25 ns SRAM 64k x 16 평행한 25ns
CY7C024-25AC Cypress Semiconductor Corp Cy7c024-25AC 16.2800
RFQ
 ECAD 8073 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp cy7c024 sram-이중-, 비동기 4.5V ~ 5.5V 100-TQFP (14x14) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 64kbit 25 ns SRAM 4K X 16 평행한 25ns
CY7C1367A-150AC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1367A-150AC 6.2700
RFQ
 ECAD 447 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1367 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 150MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.5 ns SRAM 512k x 18 평행한 -
CY7B139-25JC Cypress Semiconductor Corp Cy7B139-25JC 18.7900
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 68-LCC (J-Lead) Cy7B139 sram-이중-, 비동기 4.5V ~ 5.5V 68-PLCC (24.23x24.23) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 36kbit 25 ns SRAM 4K x 9 평행한 25ns
CY7C182-45VC Cypress Semiconductor Corp CY7C182-45VC 4.1400
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 ECAD 725 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) Cy7c182 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 72kbit 45 ns SRAM 8k x 9 평행한 45ns
CY7C1463AV33-133AXC Cypress Semiconductor Corp cy7c1463av33-133axc 55.8200
RFQ
 ECAD 520 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1463 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 72 133 MHz 휘발성 휘발성 36mbit 6.5 ns SRAM 2m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
S29PL032J55BFI120 Cypress Semiconductor Corp S29PL032J55BFI120 4.0000
RFQ
 ECAD 8230 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp PL-J 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA S29PL032 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-FBGA (8.15x6.15) 다운로드 Rohs3 준수 2832-S29PL032J55BFI120 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 32mbit 55 ns 플래시 2m x 16 평행한 55ns
CY7C1471V33-117AXC Cypress Semiconductor Corp cy7c1471v33-117axc 68.1200
RFQ
 ECAD 354 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1471 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 MHz 휘발성 휘발성 72mbit 7.5 ns SRAM 2m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY62256NL-70SNXI Cypress Semiconductor Corp Cy62256NL-70SNXI 1.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) Cy62256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.32.0041 207 휘발성 휘발성 256kbit 70 ns SRAM 32k x 8 평행한 70ns 확인되지 확인되지
CYD18S18V18-200BBAXC Cypress Semiconductor Corp Cyd18S18V18-200BBAXC 323.5500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 256-lbga Cyd18S18 sram-듀얼-, 동기 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V 256-FBGA (17x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.3 ns SRAM 1m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
S25FL116K0XMFI011 Cypress Semiconductor Corp S25FL116K0XMFI011 1.6500
RFQ
 ECAD 5944 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FL1-K 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) S25FL116 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.32.0071 91 108 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
CY7C25652KV18-500BZI Cypress Semiconductor Corp Cy7C25652KV18-500BZI 304.8100
RFQ
 ECAD 123 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c25652 SRAM-동기, QDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 요청시 요청시 도달하십시오 25 500MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY27C256A-200ZC Cypress Semiconductor Corp CY27C256A-200ZC 2.0400
RFQ
 ECAD 5747 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) CY27C256 eprom -otp 4.5V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0071 1 비 비 256kbit 200 ns eprom 32k x 8 평행한 -
CY7C1089DV33-12BAXI Cypress Semiconductor Corp cy7c1089dv33-12baxi 133.3300
RFQ
 ECAD 408 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA cy7c1089 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48-FBGA (8x9.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 64mbit 12 ns SRAM 8m x 8 평행한 12ns
CY7C1399B-12ZCT Cypress Semiconductor Corp cy7c1399b-12zct 0.8300
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) Cy7c1399 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-tsop i 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 256kbit 12 ns SRAM 32k x 8 평행한 12ns
CYDMX128B16-65BVXI Cypress Semiconductor Corp cydmx128b16-65bvxi 8.6500
RFQ
 ECAD 172 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-VFBGA cydmx sram-듀얼-, mobl 1.8V ~ 3.3V 100-VFBGA (6x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 35 휘발성 휘발성 128kbit 65 ns SRAM 8k x 16 평행한 65ns 확인되지 확인되지
CY7C0831AV-133BBI Cypress Semiconductor Corp cy7c0831av-133bbi 158.3900
RFQ
 ECAD 177 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-lbga Cy7c0831 sram-듀얼-, 동기 3.135V ~ 3.465V 144-FBGA (13x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 2mbit SRAM 128k x 18 평행한 -
S29GL512P11TAI020 Cypress Semiconductor Corp S29GL512P11TAI020 13.1400
RFQ
 ECAD 915 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-P 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) S29GL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 2832-S29GL512P11TAI020 3A991B1A 8542.32.0071 39 비 비 512mbit 110 ns 플래시 32m x 16 평행한 110ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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