 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 클럭킹 | 메모리 종류 | 메모리 크기 | 접속시간 | 메모리 형식 | 기억 정리 | 메모리 인터페이스 | 돈을 쓰는 시간 - 단어, 페이지 | SIC 프로그래밍 가능 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | CY7C1514V18-200ZXC | 119.4500 |  | 26 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 165-LBGA | CY7C1514 | SRAM - 동기식, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA(15x17) | 다운로드 | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200MHz | 항체를 제거하세요 | 72Mbit | 스램 | 2M×36 | 불편한 | - | ||||
|  | CY62128EV30LL-45ZAXI | 3.1400 |  | 815 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | MoBL® | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 32-TFSOP(0.465", 11.80mm 폭) | CY62128 | SRAM - 특별한식 | 2.2V ~ 3.6V | 32-TSOP | 다운로드 | 160 | 항체를 제거하세요 | 1Mbit | 45ns | 스램 | 128K x 8 | 불편한 | 45ns | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||||
|  | CY62256NLL-70ZXI | - |  | 6257 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | MoBL® | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 28-TSSOP(0.465", 11.80mm 폭) | CY62256 | SRAM - 특별한식 | 4.5V ~ 5.5V | 28-TSOP I | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 256Kbit | 70ns | 스램 | 32K x 8 | 불편한 | 70ns | ||||
|  | FM25V20-G | 12.4000 |  | 8189 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | F-RAM™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.209", 5.30mm 너비) | FM25V20 | FRAM(강유전체 RAM) | 2V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2156-FM25V20-G-CY | 94 | 40MHz | 비대하다 | 2Mbit | 프램 | 256K x 8 | SPI | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||
|  | CY7C1019BN-15ZXC | 0.9800 |  | 545 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 32-SOIC(0.400", 10.16mm 폭) | CY7C1019 | SRAM - 특별한식 | 4.5V ~ 5.5V | 32-TSOP II | - | ROHS3 준수 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 307 | 항체를 제거하세요 | 1Mbit | 15ns | 스램 | 128K x 8 | 불편한 | 15ns | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||
|  | S25FL256LAGMFI000 | 4.8000 |  | 2904 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2156-S25FL256LAGMFI000-428 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
|  | S25FS128SAGMFV100 | 3.7759 |  | 481 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | FS-S | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 105°C(타) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.209", 5.30mm 너비) | S25FS128 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 8-SOIC | 다운로드 | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | 133MHz | 비대하다 | 128Mbit | 플래시 | 16M x 8 | SPI - 쿼드 I/O, QPI | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||
|  | CY62168DV30L-70BVI | - |  | 4869 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | MoBL® | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 48-VFBGA | CY62168 | SRAM - 특별한식 | 2.2V ~ 3.6V | 48-VFBGA(8x9.5) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3(168시간) | REACH의 영향을 받아들입니다. | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 16Mbit | 70ns | 스램 | 2M x 8 | 불편한 | 70ns | ||||
|  | CY7C1021B-12ZXC | - |  | 3541 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) | CY7C1021 | SRAM - 특별한식 | 4.5V ~ 5.5V | 44-TSOP II | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 142 | 항체를 제거하세요 | 1Mbit | 12ns | 스램 | 64K x 16 | 불편한 | 12ns | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||
|  | CY15B064Q-SXA | 8.5400 |  | 3 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | 자동차, AEC-Q100, F-RAM™ | 튜브 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | CY15B064 | FRAM(강유전체 RAM) | 2.7V ~ 3.65V | 8-SOIC | 다운로드 | RoHS 비준수 | 해당사항 없음 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2832-CY15B064Q-SXA | EAR99 | 8542.32.0070 | 59 | 20MHz | 비대하다 | 64Kbit | 프램 | 8Kx8 | SPI | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||
|  | CY7B139-35JI | 34.8000 |  | 1305 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 68-LCC(J-리드) | CY7B139 | SRAM - 자전거 포트, 라이온식 | 4.5V ~ 5.5V | 68-PLCC(24.23x24.23) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3(168시간) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 36Kbit | 35ns | 스램 | 4K x 9 | 불편한 | 35ns | ||||
|  | S25FL256SAGMFI000 | 11.8600 |  | 2 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | FL-S | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) | S25FL256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOIC | 다운로드 | RoHS 비준수 | 해당사항 없음 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2832-S25FL256SAGMFI000 | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 43 | 133MHz | 비대하다 | 256Mbit | 플래시 | 32M x 8 | SPI - 쿼드 I/O | - | 확인됨 | ||
|  | CY7C1007B-15VC | 7.3300 |  | 1 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 28-BSOJ(0.300", 7.62mm 폭) | CY7C1007 | SRAM - 특별한식 | 4.5V ~ 5.5V | 28-SOJ | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 1Mbit | 15ns | 스램 | 1M x 1 | 불편한 | 15ns | ||||
|  | CY62167DV20LL-5BVI | - |  | 2072 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | MoBL2™ | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 48-VFBGA | CY62167 | SRAM - 특별한식 | 1.65V ~ 2.2V | 48-VFBGA(8x9.5) | 다운로드 | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 16Mbit | 55ns | 스램 | 1M x 16 | 불편한 | 55ns | ||||
|  | CY7C09289V-9AI | 72.2900 |  | 296 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 가방 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 100-LQFP | CY7C09289 | SRAM - 듀얼포트, 동기식 | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP(14x14) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 67MHz | 항체를 제거하세요 | 1Mbit | 9ns | 스램 | 64K x 16 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||
|  | CY7C1512KV18-200BZXI | 102.2300 |  | 29 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 165-LBGA | CY7C1512 | SRAM - 동기식, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA(13x15) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200MHz | 항체를 제거하세요 | 72Mbit | 스램 | 4M×18 | 불편한 | - | ||||
|  | S29GL512P12TFIV20 | 12.6700 |  | 8657 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | GL-P | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 56-TFSOP(0.724", 18.40mm 폭) | S29GL512 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 3.6V | 56-TSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2832-S29GL512P12TFIV20 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | 비대하다 | 512Mbit | 120ns | 플래시 | 32M x 16 | 불편한 | 120ns | |||||
|  | CY7C1019BV33-12VI | 3.2700 |  | 566 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 32-BSOJ(0.400", 10.16mm 폭) | CY7C1019 | SRAM - 특별한식 | 3V ~ 3.6V | 32-SOJ | 다운로드 | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 1Mbit | 12ns | 스램 | 128K x 8 | 불편한 | 12ns | ||||
|  | CY7C1049G30-10ZSXI | 6.8200 |  | 45 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) | CY7C1049 | SRAM - 특별한식 | 2.2V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | 45 | 항체를 제거하세요 | 4Mbit | 10ns | 스램 | 512K x 8 | 불편한 | 10ns | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||||
|  | S29GL064N90TFI020 | 11.3500 |  | 9 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | GL-N | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 56-TFSOP(0.724", 18.40mm 폭) | S29GL064 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2832-S29GL064N90TFI020 | 45 | 비대하다 | 64Mbit | 90ns | 플래시 | 8M×8, 4M×16 | 불편한 | 90ns | 확인됨 | ||||||
|  | S29GL01GP12TFI010 | 19.3400 |  | 25 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | GL-P | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 56-TFSOP(0.724", 18.40mm 폭) | S29GL01 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2832-S29GL01GP12TFI010 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 26 | 비대하다 | 1Gbit | 120ns | 플래시 | 128M x 8 | 불편한 | 120ns | |||||
|  | S25FL256SAGBHI310 | - |  | 7146 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | FL-S | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 24-TBGA | S25FL256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-BGA(6x8) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2832-S25FL256SAGBHI310 | 1 | 133MHz | 비대하다 | 256Mbit | 플래시 | 32M x 8 | SPI - 쿼드 I/O | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||
| CY7C1371D-133AXC | - |  | 9292 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | NoBL™ | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 100-LQFP | CY7C1371 | SRAM - 동기식, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP(14x20) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2832-CY7C1371D-133AXC | 72 | 133MHz | 항체를 제거하세요 | 18Mbit | 6.5ns | 스램 | 512K x 36 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||
|  | CY7C1021BV33L-15ZXI | 3.8100 |  | 89 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) | CY7C1021 | SRAM - 특별한식 | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 89 | 항체를 제거하세요 | 1Mbit | 15ns | 스램 | 64K x 16 | 불편한 | 15ns | ||||
|  | CY7C291-35LMB | 39.0600 |  | 95 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 125°C(타) | CY7C291 | EPROM-OTP | 4.5V ~ 5.5V | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3(168시간) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 비대하다 | 16Kbit | 35ns | EPROM | 2K x 8 | 불편한 | - | |||||||
|  | CY27C256-150WI | 2.8000 |  | 2 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 스루홀 | 28-CDIP(0.600", 15.24mm) 창 | CY27C256 | EPROM-UV | 4.5V ~ 5.5V | 28-CerDip | 다운로드 | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.32.0061 | 1 | 비대하다 | 256Kbit | 150ns | EPROM | 32K x 8 | 불편한 | - | ||||
|  | CY62157EV30LL-55ZSXE | 11.3200 |  | 185 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | MoBL® | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C(타) | 표면 실장 | 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) | CY62157 | SRAM - 특별한식 | 2.2V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | RoHS 비준수 | 해당사항 없음 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 20 | 항체를 제거하세요 | 8Mbit | 55ns | 스램 | 512K x 16 | 불편한 | 55ns | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||
|  | CY7C25702KO | 298.3100 |  | 74 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | CY7C25702 | - | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
|  | CY7C1011CV33-12BVI | 4.6400 |  | 2 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 48-VFBGA | CY7C1011 | SRAM - 특별한식 | 3V ~ 3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 2Mbit | 12ns | 스램 | 128K x 16 | 불편한 | 12ns | ||||
|  | CY7C1041BV33L-15ZCT | 8.9600 |  | 600 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) | CY7C1041 | SRAM - 특별한식 | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 항체를 제거하세요 | 4Mbit | 15ns | 스램 | 256K x 16 | 불편한 | 15ns | 

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