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CY7C1512V18-167BZXI Cypress Semiconductor Corp Cy7c1512v18-167bzxi 134.0500
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ECAD 267 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1512 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 105 167 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
S29GL032N90BFI040 Cypress Semiconductor Corp S29GL032N90BFI040 4.2700
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ECAD 2267 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-N 대부분 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA S29GL032 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-FBGA (8.15x6.15) 다운로드 Rohs3 준수 2832-S29GL032N90BFI040 59 비 비 32mbit 90 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 90ns 확인되지 확인되지
S34MS01G200BHI900 Cypress Semiconductor Corp S34MS01G200BHI900 -
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ECAD 3702 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MS-2 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA S34MS01 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-BGA (11x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 210 비 비 1gbit 45 ns 플래시 128m x 8 평행한 45ns
CY62256NLL-70ZI Cypress Semiconductor Corp cy62256nll-70zi 1.3400
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ECAD 444 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) Cy62256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-tsop i 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 256kbit 70 ns SRAM 32k x 8 평행한 70ns
CY7C1312TV18-167BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1312TV18-167BZC 39.9400
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ECAD 100 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 가방 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1312 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) - 적용 적용 수 할 3A991B2A 8 167 MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY27C512-55JC Cypress Semiconductor Corp CY27C512-55JC -
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ECAD 8681 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-LCC (J-Lead) CY27C512 eprom -otp 4.5V ~ 5.5V 32-PLCC (13.97x11.43) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0071 1 비 비 512kbit 55 ns eprom 64k x 8 평행한 -
CY7C1046BV33-12VC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1046Bv33-12VC 7.0000
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ECAD 63 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1046 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 1m x 4 평행한 12ns
S25FS128SAGMFV100 Cypress Semiconductor Corp S25FS128SAGMFV100 3.7759
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ECAD 481 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FS-S 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) S25FS128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 1 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi - 확인되지 확인되지
CY27C010-55ZC Cypress Semiconductor Corp CY27C010-55ZC 2.5700
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ECAD 249 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) CY27C010 eprom -otp 4.5V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.32.0071 1 비 비 1mbit 55 ns eprom 128k x 8 평행한 -
CY7C1413BV18-250BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1413B18-250BZC 49.1400
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ECAD 474 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1413 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 105 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C0852V-133AC Cypress Semiconductor Corp Cy7c0852V-133AC 92.5300
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ECAD 8 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 176-LQFP Cy7c0852 sram-듀얼-, 동기 3.135V ~ 3.465V 176-TQFP (24x24) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit SRAM 128k x 36 평행한 -
CY7C1303BV25-167BZC Cypress Semiconductor Corp cy7c1303bv25-167bzc 25.4300
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ECAD 554 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga cy7c1303 sram-동기, qdr 2.4V ~ 2.6V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 12 167 MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CG7803AA Cypress Semiconductor Corp CG7803AA 26.7300
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ECAD 386 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모 쓸모 - 적용 적용 수 할 12 확인되지 확인되지
CYD18S72V-133BBI Cypress Semiconductor Corp Cyd18S72V-133BBI -
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ECAD 8802 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 484-BGA Cyd18S72 sram-듀얼-, 동기 3.135V ~ 3.465V 484-FBGA (23x23) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 60 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 5 ns SRAM 256k x 72 평행한 - 확인되지 확인되지
S25FS064SAGBHV020A Cypress Semiconductor Corp S25FS064SAGBHV020A 1.8700
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ECAD 1121 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FS-S 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA S25FS064 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-BGA (6x8) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B1A 8542.32.0071 1 133 MHz 비 비 64mbit 6 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi -
CY7C2170KV18-400BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C2170KV18-400BZC 39.8200
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ECAD 8 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c2170 SRAM-동기, DDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 8 400MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
S34ML01G100BHB003 Cypress Semiconductor Corp S34ML01G100BHB003 -
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ECAD 6854 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA S34ML01 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-BGA (11x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,300 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 25ns
CY7C1415AV18-200BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1415AV18-200BZC 44.8600
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ECAD 141 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1415 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 7 200MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1371D-100AXI Cypress Semiconductor Corp cy7c1371d-100axi 39.6000
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ECAD 4970 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1371 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 2832-CY7C1371D-100AXI 72 100MHz 휘발성 휘발성 18mbit 8.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CG7137AA Cypress Semiconductor Corp CG7137AA -
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ECAD 4438 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
CY62147DV30LL-45ZSXI Cypress Semiconductor Corp cy62147dv30lll-45zsxi 2.1300
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ECAD 4 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) Cy62147 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 256k x 16 평행한 45ns
CY62136VNLL-70ZSXA Cypress Semiconductor Corp cy62136vnll-70zsxa 4.9100
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ECAD 3 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) Cy62136 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 62 휘발성 휘발성 2mbit 70 ns SRAM 128k x 16 평행한 70ns 확인되지 확인되지
CY27C512-45ZC Cypress Semiconductor Corp CY27C512-45ZC 3.7300
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ECAD 97 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) CY27C512 eprom -otp 4.5V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0071 1 비 비 512kbit 45 ns eprom 64k x 8 평행한 -
S34MS02G104BHB010 Cypress Semiconductor Corp S34MS02G104BHB010 -
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ECAD 6481 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MS-1 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA S34MS02 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-BGA (11x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 210 비 비 2gbit 45 ns 플래시 128m x 16 평행한 45ns
CY7C1420KV18-300XCKG Cypress Semiconductor Corp cy7c1420kv18-300xckg 39.0000
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ECAD 718 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Cy7c1420 SRAM-동기, DDR II 1.7V ~ 1.9V 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 300MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 -
CY7C1339A-83AC Cypress Semiconductor Corp cy7c1339a-83ac 3.1400
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ECAD 6 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1339 sram-동기, sdr 3.15V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 83MHz 휘발성 휘발성 4mbit 6 ns SRAM 128k x 32 평행한 -
CY7C1424TV18-250BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1424TV18-250BZC 67.2400
RFQ
ECAD 554 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 가방 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1424 SRAM-동기, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) - 적용 적용 수 할 3A991B2A 1 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C4142KV13-933FCXI Cypress Semiconductor Corp cy7c4142kv13-933fcxi 683.3400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 361-BBGA, FCBGA Cy7c4142 SRAM-동기, QDR IV 1.26V ~ 1.34V 361-FCBGA (21x21) 다운로드 Rohs3 준수 2832-CY7C4142KV13-933FCXI 60 933 MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 4m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1325G-100AXC Cypress Semiconductor Corp cy7c1325g-100axc 5.8300
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ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1325 sram-동기, sdr 3.15V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) - Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 52 100MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 8 ns SRAM 256k x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C2265KV18-400BZXI Cypress Semiconductor Corp cy7c2265kv18-400bzxi -
RFQ
ECAD 1946 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c2265 SRAM-동기, QDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 1 400MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고