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메모리 (4449)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 sic 프로그램 가능
CY7C09269-12AC Cypress Semiconductor Corp Cy7C09269-12AC 13.3400
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 ECAD 360 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c09269 sram-듀얼-, 동기 4.5V ~ 5.5V 100-TQFP (14x14) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1 50MHz 휘발성 휘발성 256kbit 12 ns SRAM 16k x 16 평행한 -
CY7C1425JV18-250BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1425JV18-250BZXC 67.2400
RFQ
 ECAD 310 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1425 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 105 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 4m x 9 평행한 - 확인되지 확인되지
FM25L16B-DG Cypress Semiconductor Corp FM25L16B-DG -
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 ECAD 1801 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp f-ram ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 FM25L16 프램 (Ferroelectric RAM) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN (4x4.5) 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.32.0070 148 20MHz 비 비 16kbit 프램 2k x 8 SPI - 확인되지 확인되지
S34ML02G100BHI003 Cypress Semiconductor Corp S34ML02G100BHI003 -
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 ECAD 1787 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA S34ML02 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-BGA (11x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 Q8927936A 3A991B1A 8542.32.0071 2,300 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 25ns
S34ML04G200BHB003 Cypress Semiconductor Corp S34ML04G200BHB003 -
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 ECAD 9632 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-2 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA S34ML04 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-BGA (11x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,300 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 25ns
CY7C1353F-100ACT Cypress Semiconductor Corp cy7c1353f-100act 3.0100
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 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1353 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 750 100MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 8 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
CY7C1420LV18-250BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1420LV18-250BZXC 44.8200
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 ECAD 53 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1420 SRAM-동기, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) - 7 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY62136VNLL-70ZXI Cypress Semiconductor Corp cy62136vnll-70zxi 1.4700
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 ECAD 249 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) Cy62136 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 2mbit 70 ns SRAM 128k x 16 평행한 70ns
CY7C1250KV18-400BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1250KV18-400BZC 55.6400
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 ECAD 107 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1250 SRAM-동기, DDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 6 400MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1020BN-15ZXC Cypress Semiconductor Corp cy7c1020bn-15zxc -
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 ECAD 3769 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1020 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2B 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 512kbit 15 ns SRAM 32k x 16 평행한 15ns 확인되지 확인되지
CY7C1019CV33-15VXC Cypress Semiconductor Corp cy7c1019cv33-15vxc 1.7100
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 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-Soic (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1019 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-TSSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 128k x 8 평행한 15ns
CY7C1041CV33-15ZXCT Cypress Semiconductor Corp cy7c1041cv33-15zxct 3.6700
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 ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1041 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 256k x 16 평행한 15ns
CY7C1356C-166BGC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1356C-166BGC 10.8800
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 ECAD 203 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga Cy7c1356 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 119-PBGA (14x22) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 28 166 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.5 ns SRAM 512k x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1250V18-333BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1250V18-333BZC 76.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1250 SRAM-동기, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 4 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
S29GL01GT12TFN010 Cypress Semiconductor Corp S29GL01GT12TFN010 -
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 ECAD 6161 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-T 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) S29GL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 1 비 비 1gbit 120 ns 플래시 128m x 8 평행한 60ns 확인되지 확인되지
CY7C025-25AC Cypress Semiconductor Corp Cy7c025-25AC 18.2700
RFQ
 ECAD 251 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 가방 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp cy7c025 sram-이중-, 비동기 4.5V ~ 5.5V 100-TQFP (14x14) 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.32.0041 17 휘발성 휘발성 128kbit 25 ns SRAM 8k x 16 평행한 25ns 확인되지 확인되지
CY7C1351G-100AXC Cypress Semiconductor Corp cy7c1351g-100axc 6.0500
RFQ
 ECAD 227 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1351 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) 다운로드 50 100MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 8 ns SRAM 128k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY62167DV20L-70BVI Cypress Semiconductor Corp Cy62167DV20L-70BVI -
RFQ
 ECAD 9352 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MOBL2 ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA Cy62167 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48-VFBGA (8x9.5) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 16mbit 70 ns SRAM 1m x 16 평행한 70ns
CY7C1399B-12VXCT Cypress Semiconductor Corp Cy7C1399B-12VXCT 0.9200
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 ECAD 22 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) Cy7c1399 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-SOJ 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8542.32.0041 325 휘발성 휘발성 256kbit 12 ns SRAM 32k x 8 평행한 12ns 확인되지 확인되지
CY7C196-25VC Cypress Semiconductor Corp CY7C196-25VC 6.2400
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 ECAD 9710 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 24-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) Cy7c196 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 24-SOJ 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 256kbit 25 ns SRAM 64k x 4 평행한 25ns
CY7C1425JV18-267BZI Cypress Semiconductor Corp Cy7c1425JV18-267BZI 32.0300
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 ECAD 170 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1425 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 10 267 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 4m x 9 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1361S-133AXI Cypress Semiconductor Corp cy7c1361s-133axi 16.4700
RFQ
 ECAD 290 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1361 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) - 적용 적용 수 할 3A991B2A 19 133 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 6.5 ns SRAM 256k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY62128BNLL-55ZXIT Cypress Semiconductor Corp cy62128bnll-55zxit 2.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) Cy62128 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2B 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 1mbit 55 ns SRAM 128k x 8 평행한 55ns
CY7C1049CV33-10ZI Cypress Semiconductor Corp cy7c1049cv33-10zi -
RFQ
 ECAD 7398 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1049 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 512k x 8 평행한 10ns
CY7C1386KV33-167AXC Cypress Semiconductor Corp cy7c1386kv33-167axc 25.5700
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 ECAD 46 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1386 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) 다운로드 12 167 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.4 ns SRAM 512k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1313KV18-333BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1313KV18-333BZC 30.6800
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 ECAD 281 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1313 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 10 333 MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C128A-35VC Cypress Semiconductor Corp Cy7C128A-35VC 3.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 24-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) Cy7c128a sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 24-SOJ 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.32.0041 100 휘발성 휘발성 16kbit 35 ns SRAM 2k x 8 평행한 35ns 확인되지 확인되지
CG5636ATT Cypress Semiconductor Corp CG5636ATT -
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 ECAD 6742 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1,000
S29GL128P90FFIR20A Cypress Semiconductor Corp S29GL128P90FFIR20A -
RFQ
 ECAD 3504 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 2832-S29GL128P90FFIR20A 귀 99 8542.32.0050 1 확인되지 확인되지
CY62168DV30L-70BVI Cypress Semiconductor Corp Cy62168DV30L-70BVI -
RFQ
 ECAD 4869 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA Cy62168 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-VFBGA (8x9.5) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 16mbit 70 ns SRAM 2m x 8 평행한 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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