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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 sic 프로그램 가능
CY7C1399B-10ZC Cypress Semiconductor Corp cy7c1399b-10zc 0.6100
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ECAD 21 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) Cy7c1399 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-tsop i 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
CY7C1425JV18-250BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1425JV18-250BZXC 67.2400
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ECAD 310 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1425 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 105 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 4m x 9 평행한 - 확인되지 확인되지
S25FL128LAGBHI020 Cypress Semiconductor Corp S25FL128LAGBHI020 6.3000
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ECAD 1867 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FL-L 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA S25FL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-BGA (6x8) - rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2832-S25FL128LAGBHI020TR 3A991B1A 8542.32.0070 80 133 MHz 비 비 128mbit 6 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 1.2ms
CY7C1041CV33-15ZXCT Cypress Semiconductor Corp cy7c1041cv33-15zxct 3.6700
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ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1041 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 256k x 16 평행한 15ns
CY7C1353F-100ACT Cypress Semiconductor Corp cy7c1353f-100act 3.0100
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ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1353 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 750 100MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 8 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
CY7C196-25VC Cypress Semiconductor Corp CY7C196-25VC 6.2400
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ECAD 9710 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 24-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) Cy7c196 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 24-SOJ 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 256kbit 25 ns SRAM 64k x 4 평행한 25ns
CG5636ATT Cypress Semiconductor Corp CG5636ATT -
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ECAD 6742 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1,000
CY7C1356C-166BGC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1356C-166BGC 10.8800
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ECAD 203 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga Cy7c1356 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 119-PBGA (14x22) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 28 166 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.5 ns SRAM 512k x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C128A-35VC Cypress Semiconductor Corp Cy7C128A-35VC 3.0300
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ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 24-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) Cy7c128a sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 24-SOJ 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.32.0041 100 휘발성 휘발성 16kbit 35 ns SRAM 2k x 8 평행한 35ns 확인되지 확인되지
CG6710AM Cypress Semiconductor Corp cg6710am -
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ECAD 2408 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.32.0041 1
CY7C1049CV33-10ZI Cypress Semiconductor Corp cy7c1049cv33-10zi -
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ECAD 7398 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1049 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 512k x 8 평행한 10ns
CY62128BNLL-55ZXIT Cypress Semiconductor Corp cy62128bnll-55zxit 2.5000
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ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) Cy62128 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2B 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 1mbit 55 ns SRAM 128k x 8 평행한 55ns
CY7C1371S-133AXC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1371S-133AXC 27.5600
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ECAD 492 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1371 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 11 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 6.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1020BN-15ZXC Cypress Semiconductor Corp cy7c1020bn-15zxc -
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ECAD 3769 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1020 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2B 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 512kbit 15 ns SRAM 32k x 16 평행한 15ns 확인되지 확인되지
CY7C1019CV33-15VXC Cypress Semiconductor Corp cy7c1019cv33-15vxc 1.7100
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ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-Soic (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1019 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-TSSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 128k x 8 평행한 15ns
S29GL128P90FFIR20A Cypress Semiconductor Corp S29GL128P90FFIR20A -
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ECAD 3504 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 2832-S29GL128P90FFIR20A 귀 99 8542.32.0050 1 확인되지 확인되지
S34MS08G201BHI003 Cypress Semiconductor Corp S34MS08G201BHI003 -
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ECAD 5145 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MS-2 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA S34MS08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-BGA (11x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,300 비 비 8gbit 45 ns 플래시 1g x 8 평행한 45ns
CY7C1386KV33-167AXC Cypress Semiconductor Corp cy7c1386kv33-167axc 25.5700
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ECAD 46 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1386 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) 다운로드 12 167 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.4 ns SRAM 512k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
S34MS04G200BHA000 Cypress Semiconductor Corp S34MS04G200BHA000 -
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ECAD 9920 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp 자동차, AEC-Q100, MS-2 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA S34MS04 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-BGA (11x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 210 비 비 4gbit 45 ns 플래시 512m x 8 평행한 45ns
CY7C1425JV18-267BZI Cypress Semiconductor Corp Cy7c1425JV18-267BZI 32.0300
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ECAD 170 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1425 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 10 267 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 4m x 9 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1361S-133AXI Cypress Semiconductor Corp cy7c1361s-133axi 16.4700
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ECAD 290 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1361 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) - 적용 적용 수 할 3A991B2A 19 133 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 6.5 ns SRAM 256k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY14ME064J2-SXI Cypress Semiconductor Corp cy14me064j2-sxi 4.1600
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ECAD 5 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) Cy14me064 nvsram (r 휘발성 sram) 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 73 3.4 MHz 비 비 64kbit nvsram 8k x 8 i²c - 확인되지 확인되지
CY7C1051DV33-10BAXI Cypress Semiconductor Corp cy7c1051dv33-10baxi 56.5700
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ECAD 86 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA cy7c1051 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48-FBGA (6x8) 다운로드 6 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 512k x 16 평행한 10ns 확인되지 확인되지
CY27C512-55JC Cypress Semiconductor Corp CY27C512-55JC -
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ECAD 8681 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-LCC (J-Lead) CY27C512 eprom -otp 4.5V ~ 5.5V 32-PLCC (13.97x11.43) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0071 1 비 비 512kbit 55 ns eprom 64k x 8 평행한 -
CY7C1338B-117BGC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1338B-117BGC 4.8500
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ECAD 365 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga Cy7c1338 sram-동기, sdr 3.15V ~ 3.6V 119-PBGA (14x22) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 117 MHz 휘발성 휘발성 4mbit 7.5 ns SRAM 128k x 32 평행한 -
CY7C1420JV18-300BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1420JV18-300BZXC 53.7900
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ECAD 391 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1420 SRAM-동기, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 6 300MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY62128EV30LL-45ZAXI Cypress Semiconductor Corp cy62128ev30ll-45zaxi 3.1400
RFQ
ECAD 815 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) Cy62128 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 32-Stsop 다운로드 160 휘발성 휘발성 1mbit 45 ns SRAM 128k x 8 평행한 45ns 확인되지 확인되지
S29GL128P11FAIV20 Cypress Semiconductor Corp S29GL128P11FAIV20 9.4800
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ECAD 351 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-P 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL128 플래시 - 아니오 1.65V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2832-S29GL128P11FAIV20 3A991B1A 8542.32.0050 53 비 비 128mbit 110 ns 플래시 16m x 8 평행한 110ns 확인되지 확인되지
CYD02S36V18-200BBXC Cypress Semiconductor Corp Cyd02S36V18-200BBXC 198.7500
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ECAD 100 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 256-lbga Cyd02S36 sram-듀얼-, 동기 1.7V ~ 1.9V 256-FBGA (17x17) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 90 200MHz 휘발성 휘발성 2mbit 3.3 ns SRAM 64k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1413KV18-250BZI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1413KV18-250BZI 42.8800
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ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1413 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 7 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고