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메모리 (4449)

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CY7C136A-55JXI Cypress Semiconductor Corp cy7c136a-55jxi -
RFQ
 ECAD 4039 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 52-LCC (J-Lead) cy7c136 sram-이중-, 비동기 4.5V ~ 5.5V 52-PLCC (19.13x19.13) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.32.0041 23 휘발성 휘발성 16kbit 55 ns SRAM 2k x 8 평행한 55ns 확인되지 확인되지
CY7C1462AV25-200AXC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1462AV25-200AXC 55.8900
RFQ
 ECAD 107 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1462 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 100-TQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 휘발성 휘발성 36mbit 3.2 ns SRAM 2m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C245-35LMB Cypress Semiconductor Corp cy7c245-35lmb 22.3000
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 ECAD 50 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) cy7c245 eprom -uv 4.5V ~ 5.5V 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A001A2C 8542.32.0071 1 비 비 16kbit 35 ns eprom 2k x 8 평행한 -
CY7C109BN-20VC Cypress Semiconductor Corp Cy7c109bn-20VC -
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 ECAD 9852 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c109 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 20 ns SRAM 128k x 8 평행한 20ns
CY7C1412KV18-300BZXI Cypress Semiconductor Corp Cy7c1412kv18-300bzxi -
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 ECAD 6365 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1412 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1 300MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
S26KS512SDPBHB020 Cypress Semiconductor Corp S26KS512SDPBHB020 -
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 ECAD 2943 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp 자동차, AEC-Q100, Hyperflash ™ KS 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-VBGA S26KS512 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 24-FBGA (6x8) 다운로드 1 166 MHz 비 비 512mbit 96 ns 플래시 64m x 8 평행한 - 확인되지 확인되지
CYD02S36V18-200BBXC Cypress Semiconductor Corp Cyd02S36V18-200BBXC 198.7500
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 ECAD 100 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 256-lbga Cyd02S36 sram-듀얼-, 동기 1.7V ~ 1.9V 256-FBGA (17x17) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 90 200MHz 휘발성 휘발성 2mbit 3.3 ns SRAM 64k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY62128ELL-45ZAXI Cypress Semiconductor Corp Cy62128ELL-45ZAXI 2.6400
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 ECAD 6 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) Cy62128 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-Stsop 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 3A991A2 8542.32.0040 129 휘발성 휘발성 1mbit 45 ns SRAM 128k x 8 평행한 45ns 확인되지 확인되지
S29GL01GT10FAI030 Cypress Semiconductor Corp S29GL01GT10FAI030 19.6700
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 ECAD 160 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp 자동차, AEC-Q100, GL-T 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2832-S29GL01GT10FAI030 3A991B1A 8542.32.0070 26 비 비 1gbit 100 ns 플래시 128m x 8 평행한 60ns 확인되지 확인되지
CY7C199CN-20VC Cypress Semiconductor Corp Cy7C199CN-20VC -
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 ECAD 7053 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) Cy7c199 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 256kbit 20 ns SRAM 32k x 8 평행한 20ns
CY7C1520KV18-333BZI Cypress Semiconductor Corp cy7c1520kv18-333bzi 148.6700
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 ECAD 616 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1520 SRAM-동기, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 136 333 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1440AV33-250AXCT Cypress Semiconductor Corp cy7c1440av33-250axct 52.9300
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 ECAD 220 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-CY7C1440AV33-250AXCT-428 1
CY7C1412AV18-200BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1412AV18-200BZXC 44.8100
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 ECAD 121 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1412 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 7 200MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
S34MS04G200BHI003 Cypress Semiconductor Corp S34MS04G200BHI003 -
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 ECAD 7433 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MS-2 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA S34MS04 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-BGA (11x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,300 비 비 4gbit 45 ns 플래시 512m x 8 평행한 45ns
CY7C1362A-166BGC Cypress Semiconductor Corp cy7c1362a-166bgc 9.0000
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 ECAD 285 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga Cy7c1362 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 119-PBGA (14x22) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.5 ns SRAM 512k x 18 평행한 -
CY7C1021V33-15VC Cypress Semiconductor Corp cy7c1021v33-15vc 5.3400
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 ECAD 803 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1021 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 64k x 16 평행한 15ns
S29GL256P90FFIR10 Cypress Semiconductor Corp S29GL256P90FFIR10 26.3200
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 ECAD 19 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-P 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) 다운로드 Rohs3 준수 2832-S29GL256P90FFIR10 180 비 비 256mbit 90 ns 플래시 32m x 8 평행한 90ns 확인
S26KL256SDABHB020 Cypress Semiconductor Corp S26KL256SDABHB020 9.9600
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 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp 자동차, AEC-Q100, Hyperflash ™ KL 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-VBGA S26KL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-FBGA (6x8) 다운로드 31 100MHz 비 비 256mbit 96 ns 플래시 32m x 8 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1387BV25-167BGC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1387BV25-167BGC 22.9300
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 ECAD 72 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga Cy7c1387 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 119-PBGA (14x22) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.4 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
CY7C1007B-15VXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1007B-15VXC 13.8600
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 ECAD 498 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) CY7C1007 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 1m x 1 평행한 15ns
CY7C1355C-100BGC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1355C-100BGC 10.8800
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 ECAD 369 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga Cy7c1355 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 119-PBGA (14x22) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 28 100MHz 휘발성 휘발성 9mbit 7.5 ns SRAM 256k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
S99ML01G10044 Cypress Semiconductor Corp S99ML01G10044 -
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 ECAD 8948 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 96
CY7C1021B-12VC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1021B-12VC -
RFQ
 ECAD 2302 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1021 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 rohs 비준수 3A991B2B 8542.32.0041 90 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns 확인되지 확인되지
S34MS04G100TFB003 Cypress Semiconductor Corp S34MS04G100TFB003 -
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 ECAD 9913 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MS-1 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) S34MS04 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 45 ns 플래시 512m x 8 평행한 45ns
S29GL01GP12FAI010 Cypress Semiconductor Corp S29GL01GP12FAI010 13.0000
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 ECAD 236 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-P 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) 다운로드 Rohs3 준수 2832-S29GL01GP12FAI010 3A991B1A 8542.32.0071 39 비 비 1gbit 120 ns 플래시 128m x 8 평행한 120ns
CY7C2565XV18-633BZXC Cypress Semiconductor Corp cy7c2565xv18-633bzxc 493.7500
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 ECAD 3 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c2565 SRAM-동기, QDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 1 633 MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C15632KV18-400BZXI Cypress Semiconductor Corp Cy7c15632kv18-400bzxi 211.8000
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 ECAD 583 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c15632 SRAM-동기, QDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 136 400MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1570XV18-600BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1570XV18-600BZXC 471.2200
RFQ
 ECAD 208 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1570 SRAM-동기, DDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 136 600MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CYD18S72V18-167BGI Cypress Semiconductor Corp Cyd18S72V18-167BGI 1.0000
RFQ
 ECAD 5239 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 484-FBGA Cyd18S72 sram-듀얼-, 동기 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V 484-PBGA (27x27) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 60 167 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 4 ns SRAM 256k x 72 평행한 - 확인되지 확인되지
S34ML04G100BHV003 Cypress Semiconductor Corp S34ML04G100BHV003 -
RFQ
 ECAD 7508 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA S34ML04 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-BGA (11x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,300 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 25ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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