RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

메모리 (4449)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	sic 프로그램 가능
S25FL256SAGBHIY03	9.7400	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	FL-S	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	S25FL256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-BGA (8x6)	-	rohs 비준수	적용 적용 수 할	공급 공급 정의되지 업체는	2832-S25FL256SAGBHIY03TR	3A991B1A	8542.32.0070	52	133 MHz	비 비	256mbit		플래시	32m x 8	spi-쿼드 i/o	-	확인되지 확인되지
Cy7C1415B18-250BZI	54.5600	RFQ	744	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1415	SRAM-동기, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (15x17)	다운로드	rohs 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	105	250MHz	휘발성 휘발성	36mbit		SRAM	1m x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
cy7c1399b-10zc	0.6100	RFQ	21	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비)	Cy7c1399	sram- 비동기	3V ~ 3.6V	28-tsop i	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.32.0041	1		휘발성 휘발성	256kbit	10 ns	SRAM	32k x 8	평행한	10ns
Cy7C1648KV18-450BZC	308.7200	RFQ	325	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인								다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받습니다	2156-CY7C1648KV18-450BZC-428			1
cy62128dv30ll-55zait	2.1100	RFQ	9	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-TFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비)	Cy62128	sram- 비동기	2.2V ~ 3.6V	32-tsop	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.32.0041	1,500		휘발성 휘발성	1mbit	55 ns	SRAM	128k x 8	평행한	55ns
cy62136ev30ll-45bvxi	-	RFQ	8732	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-VFBGA	Cy62136	sram- 비동기	2.2V ~ 3.6V	48-VFBGA (6x8)	다운로드							1		휘발성 휘발성	2mbit	45 ns	SRAM	128k x 16	평행한	45ns	확인되지 확인되지
Cy7c1262xv18-366bzxc	80.0300	RFQ	237	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1262	SRAM-동기, QDR II+	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드							4	366 MHz	휘발성 휘발성	36mbit		SRAM	2m x 18	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy7C1351S-100AXC	5.4300	RFQ	218	Cypress Semiconductor Corp	-	가방	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	Cy7c1351	sram-동기, sdr	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x14)	-	적용 적용 수 할				3A991B2A		56	100MHz	휘발성 휘발성	4.5mbit	8 ns	SRAM	128k x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
S29GL512N11TFIV20	25.2200	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	GL-N	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	S29GL512	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	-	rohs 비준수	적용 적용 수 할	공급 공급 정의되지 업체는	2832-S29GL512N11TFIV20	3A991A2	8542.32.0050	20		비 비	512mbit	110 ns	플래시	32m x 16, 64m x 8	CFI	110ns
cy7c1168v18-400bzc	52.6300	RFQ	280	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	cy7c1168	SRAM-동기, DDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	-	rohs 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	6	400MHz	휘발성 휘발성	18mbit		SRAM	1m x 18	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy27H010-70pc	-	RFQ	5630	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	구멍을 구멍을	32-DIP (0.600 ", 15.24mm)	Cy27H010	eprom -uv	4.5V ~ 5.5V	32-PDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.32.0071	1		비 비	1mbit	70 ns	eprom	128k x 8	평행한	-
cy7c1481bv33-133axi	182.5100	RFQ	52	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	Cy7c1481	sram-동기, sdr	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20)	다운로드	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-CY7C1481BV33-133AXI			2	133 MHz	휘발성 휘발성	72mbit	6.5 ns	SRAM	2m x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
cy7c1049cv33-10zxi	4.4600	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	cy7c1049	sram- 비동기	3V ~ 3.6V	44-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	1		휘발성 휘발성	4mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	평행한	10ns
S29CD016J0PFAM010	5.3000	RFQ	86	Cypress Semiconductor Corp	CD-J	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	80-lbga	S29CD016	플래시 - 아니오	1.65V ~ 2.75V	80-FBGA (13x11)	다운로드							57	66MHz	비 비	16mbit	54 ns	플래시	512k x 32	평행한	60ns	확인되지 확인되지
cy7c1049g18-15zsxi	-	RFQ	2684	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	cy7c1049	sram- 비동기	1.65V ~ 2.2V	44-TSOP II	다운로드							1		휘발성 휘발성	4mbit	15 ns	SRAM	512k x 8	평행한	15ns	확인되지 확인되지
Cy7C1380B-167AI	29.1300	RFQ	937	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	Cy7c1380	sram-동기, sdr	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2A	8542.32.0041	1	167 MHz	휘발성 휘발성	18mbit	3.4 ns	SRAM	512k x 36	평행한	-
CG6083AA	-	RFQ	3542	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인								-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.32.0041	1
CG7137AA	-	RFQ	4438	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인								-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는				1
CG7872AAT	10.6000	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는								-	적용 적용 수 할						29									확인되지 확인되지
S25FL132K0XMFI010	3.9740	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	FL1-K	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	S25FL132	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	적용 적용 수 할	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B1A	8542.32.0070	126	108 MHz	비 비	32mbit		플래시	4m x 8	spi-쿼드 i/o	3ms	확인되지 확인되지
S34ML04G100BHB000	-	RFQ	6049	Cypress Semiconductor Corp	ML-1	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	S34ML04	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	63-BGA (11x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	210		비 비	4gbit		플래시	512m x 8	평행한	25ns
S34MS04G200BHA000	-	RFQ	9920	Cypress Semiconductor Corp	자동차, AEC-Q100, MS-2	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	S34MS04	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-BGA (11x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	210		비 비	4gbit	45 ns	플래시	512m x 8	평행한	45ns
Cy7c027V-25AC	-	RFQ	5879	Cypress Semiconductor Corp	-	가방	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	cy7c027	sram-이중-, 비동기	3V ~ 3.6V	100-TQFP (14x14)	다운로드	rohs 비준수				3A991B2B	8542.32.0041	1		휘발성 휘발성	512kbit	25 ns	SRAM	32k x 16	평행한	25ns	확인되지 확인되지
Cy7C1512KV18-350BZC	179.5700	RFQ	296	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1512	SRAM-동기, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드	rohs 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	136	350MHz	휘발성 휘발성	72mbit		SRAM	4m x 18	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy7c274-55pc	15.5800	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)			cy7c274	eprom -otp	4.5V ~ 5.5V		다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.32.0071	1		비 비	256kbit	55 ns	eprom	32k x 8	평행한	-
CG7803AA	26.7300	RFQ	386	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는								-	적용 적용 수 할						12									확인되지 확인되지
CG6135AT	-	RFQ	4169	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인								-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는				1
Cy62157Ell-55zsxekj	9.4200	RFQ	526	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	1
cy7c1381d-100bzxi	-	RFQ	7260	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1381	sram-동기, sdr	3.135V ~ 3.6V	165-FBGA (13x15)	다운로드	Rohs3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	8	100MHz	휘발성 휘발성	18mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
S34MS02G104BHI010	-	RFQ	8165	Cypress Semiconductor Corp	MS-1	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	S34MS02	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-BGA (11x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	210		비 비	2gbit	45 ns	플래시	128m x 16	평행한	45ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (4449)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²