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메모리 (4449)

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S34ML02G100TFV003 Cypress Semiconductor Corp S34ML02G100TFV003 3.0000
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 ECAD 10 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) S34ML02 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 2832-S34ML02G100TFV003 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 25ns
S25FL132K0XMFI043 Cypress Semiconductor Corp S25FL132K0XMFI043 2.4400
RFQ
 ECAD 9622 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FL1-K 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) S25FL132 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3A991B1A 8542.32.0071 103 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 3ms
CY7C164-35PC Cypress Semiconductor Corp Cy7c164-35pc 3.3300
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 ECAD 5 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 22-DIP (0.300 ", 7.62mm) Cy7c164 sram- 동기 4.5V ~ 5.5V 22-PDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 64kbit 35 ns SRAM 16k x 4 평행한 35ns
CY27C010-45JC Cypress Semiconductor Corp CY27C010-45JC 2.8500
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 ECAD 5056 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-LCC (J-Lead) CY27C010 eprom -otp 4.5V ~ 5.5V 32-PLCC (13.97x11.43) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.32.0071 1 비 비 1mbit 45 ns eprom 128k x 8 평행한 -
CY7C1308DV25C-167BZC Cypress Semiconductor Corp cy7c1308dv25c-167bzc 23.5600
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 ECAD 100 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga cy7c1308 sram-동기, ddr 2.4V ~ 2.6V 165-FBGA (13x15) 다운로드 적용 적용 수 할 3A991B2A 8542.32.0041 13 167 MHz 휘발성 휘발성 9mbit SRAM 256k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1372S-167BGC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1372S-167BGC 28.9500
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 ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 가방 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga Cy7c1372 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 119-PBGA (14x22) - 적용 적용 수 할 3A991B2A 8542.32.0041 11 167 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.4 ns SRAM 1m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
S29GL512N10FAI010 Cypress Semiconductor Corp S29GL512N10FAI010 18.3400
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 ECAD 6 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-N 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 S29GL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2832-S29GL512N10FAI010 3A991B1A 8542.32.0051 28 비 비 512mbit 100 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한
CY7C1525KV18-250BZXI Cypress Semiconductor Corp Cy7c1525kv18-250bzxi 126.6700
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 ECAD 1415 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1525 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 1 250MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 8m x 9 평행한 - 확인되지 확인되지
S29GL032N90FFI032 Cypress Semiconductor Corp S29GL032N90FFI032 1.2700
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 ECAD 7585 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-N 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL032 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) 다운로드 Rohs3 준수 2832-S29GL032N90FFI032-TR 197 비 비 32mbit 90 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 90ns 확인되지 확인되지
CY7C11681KV18-450BZXC Cypress Semiconductor Corp cy7c11681kv18-450bzxc 48.1000
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 ECAD 948 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c11681 SRAM-동기, DDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 136 450MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1515JV18-300BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1515JV18-300BZC 180.7100
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 ECAD 50 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1515 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 105 300MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1413KV18-333BZI Cypress Semiconductor Corp Cy7c1413kv18-333bzi 51.6500
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 ECAD 146 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1413 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 6 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1371KVE33-100AXI Cypress Semiconductor Corp cy7c1371kve33-100axi 28.9000
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 ECAD 57 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1371 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) 다운로드 rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-CY7C1371KVE33-100AXI 11 100MHz 휘발성 휘발성 18mbit 8.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1325B-100BGC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1325B-100BGC 8.6600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga Cy7c1325 sram-동기, sdr 3.15V ~ 3.6V 119-PBGA (14x22) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 8 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
CY7C1041BV33-15ZCT Cypress Semiconductor Corp Cy7c1041Bv33-15ZCT 4.8500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1041 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 256k x 16 평행한 15ns
CY7C1041CV33-12VXC Cypress Semiconductor Corp cy7c1041cv33-12vxc -
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 ECAD 5418 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1041 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 17 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 256k x 16 평행한 12ns 확인되지 확인되지
CY62167DV20LL-5BVI Cypress Semiconductor Corp cy62167dv20ll-5bvi -
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 ECAD 2072 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MOBL2 ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA Cy62167 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48-VFBGA (8x9.5) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 16mbit 55 ns SRAM 1m x 16 평행한 55ns
CYD18S72V-100BBI Cypress Semiconductor Corp Cyd18S72V-100BBI 184.0000
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 484-BGA Cyd18S72 sram-듀얼-, 동기 3.135V ~ 3.465V 484-FBGA (23x23) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 60 100MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 256k x 72 평행한 -
CY7C09579V-83AC Cypress Semiconductor Corp Cy7C09579V-83AC 92.2200
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 ECAD 4 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 가방 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 144-LQFP Cy7c09579 sram-듀얼-, 동기 3V ~ 3.6V 144-TQFP (20x20) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 1 83MHz 휘발성 휘발성 1.152mbit 6 ns SRAM 32k x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY27C256T-55ZI Cypress Semiconductor Corp Cy27C256T-55ZI 4.6700
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) CY27C256 eprom -otp 4.5V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.32.0071 1 비 비 256kbit 55 ns eprom 32k x 8 평행한 -
S34ML08G201TFV000 Cypress Semiconductor Corp S34ML08G201TFV000 5.8000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-2 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) S34ML08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 2832-S34ML08G201TFV000 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 8gbit 플래시 1g x 8 평행한 25ns
CY7C1021CV33-10ZI Cypress Semiconductor Corp cy7c1021cv33-10zi 2.1300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1021 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 64k x 16 평행한 10ns
CY7C1338B-117BGC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1338B-117BGC 4.8500
RFQ
 ECAD 365 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga Cy7c1338 sram-동기, sdr 3.15V ~ 3.6V 119-PBGA (14x22) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 117 MHz 휘발성 휘발성 4mbit 7.5 ns SRAM 128k x 32 평행한 -
FM25640B-GA Cypress Semiconductor Corp FM25640B-GA 4.3400
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 ECAD 8668 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp 자동차, AEC-Q100, F-RAM ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FM25640 프램 (Ferroelectric RAM) 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.32.0071 100 4 MHz 비 비 64kbit 프램 8k x 8 SPI -
S25FL256SAGMFV011 Cypress Semiconductor Corp S25FL256SAGMFV011 3.8400
RFQ
 ECAD 351 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FL-S 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) S25FL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2832-S25FL256SAGMFV011 3A991B1A 8542.32.0070 131 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o - 확인되지 확인되지
CY7C0831AV-133BBXI Cypress Semiconductor Corp cy7c0831av-133bbxi 52.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-lbga Cy7c0831 sram-듀얼-, 동기 3.135V ~ 3.465V 144-FBGA (13x13) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 6 133 MHz 휘발성 휘발성 2mbit SRAM 128k x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
FM25V20-G Cypress Semiconductor Corp FM25V20-G 12.4000
RFQ
 ECAD 8189 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp f-ram ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) FM25V20 프램 (Ferroelectric RAM) 2V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 2156-FM25V20-G-CY 94 40MHz 비 비 2mbit 프램 256k x 8 SPI - 확인되지 확인되지
CY7C199-45SC Cypress Semiconductor Corp CY7C199-45SC 1.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Cy7c199 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 256kbit 45 ns SRAM 32k x 8 평행한 45ns
S29GL01GP11FFIR10 Cypress Semiconductor Corp S29GL01GP11FPIR10 18.0000
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-P 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL01 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 2832-S29GL01GP11FPIR10 3A991B1A 8542.32.0071 28 비 비 1gbit 110 ns 플래시 128m x 8 평행한 110ns
CY7C1312BV18-167BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1312B18-167BZC 31.9600
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1312 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 10 167 MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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