SIC
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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 전압 - 공급 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 클럭킹 메모리 종류 메모리 크기 접속시간 메모리 형식 기억 정리 메모리 인터페이스 돈을 쓰는 시간 - 단어, 페이지 SIC 프로그래밍 가능
CY62127DV30LL-55ZI Cypress Semiconductor Corp CY62127DV30LL-55ZI 1.9000
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ECAD 15 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 MoBL® 대부분 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) CY62127 SRAM - 특별한식 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 RoHS 비준수 3(168시간) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8542.32.0041 1 항체를 제거하세요 1Mbit 55ns 스램 64K x 16 불편한 55ns
CY7C1515KV18-333BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1515KV18-333BZC 148.6700
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ECAD 1 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 165-LBGA CY7C1515 SRAM - 동기식, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA(13x15) 다운로드 RoHS 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 136 333MHz 항체를 제거하세요 72Mbit 스램 2M×36 불편한 - 문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1360A-166AC Cypress Semiconductor Corp CY7C1360A-166AC 6.3300
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ECAD 2 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 - 대부분 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 100-LQFP CY7C1360 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP(14x20) 다운로드 RoHS 비준수 3(168시간) REACH의 영향을 받아들입니다. 3A991B2A 8542.32.0041 1 166MHz 항체를 제거하세요 9Mbit 3.5ns 스램 256K x 36 불편한 -
FM25V20A-DG Cypress Semiconductor Corp FM25V20A-DG -
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ECAD 5167 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 F-RAM™ 대부분 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 8-WDFN옆패드 FM25V20 FRAM(강유전체 RAM) 2V ~ 3.6V 8-DFN(5x6) 다운로드 1 40MHz 비대하다 2Mbit 프램 256K x 8 SPI - 문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1414KV18-250BZXI Cypress Semiconductor Corp CY7C1414KV18-250BZXI -
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ECAD 9940 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 165-LBGA CY7C1414 SRAM - 동기식, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA(13x15) 다운로드 RoHS 비준수 해당사항 없음 공급자가 규정하지 않는 경우 3A991 8542.32.0040 5 250MHz 항체를 제거하세요 36Mbit 스램 1M x 36 불편한 - 문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1021BN-15ZCT Cypress Semiconductor Corp CY7C1021BN-15ZCT 0.9900
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ECAD 17 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 - 대부분 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) CY7C1021 SRAM - 특별한식 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP II 다운로드 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 항체를 제거하세요 1Mbit 15ns 스램 64K x 16 불편한 15ns
CY7C1325G-100AXCB Cypress Semiconductor Corp CY7C1325G-100AXCB 5.3900
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ECAD 355 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 - 대부분 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 100-LQFP CY7C1325 SRAM - 동기식, SDR 3.15V ~ 3.6V 100-TQFP(14x20) 다운로드 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 항체를 제거하세요 4.5Mbit 8ns 스램 256K x 18 불편한 -
S29GL032N90FFI032 Cypress Semiconductor Corp S29GL032N90FFI032 1.2700
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ECAD 7585 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 GL-N 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 64-LBGA S29GL032 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA(13x11) 다운로드 ROHS3 준수 2832-S29GL032N90FFI032-TR 197 비대하다 32Mbit 90ns 플래시 4M×8, 2M×16 불편한 90ns 문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1418SV18-250BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1418SV18-250BZC 48.6000
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ECAD 84 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 165-LBGA CY7C1418 SRAM - 동기식, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA(13x15) - 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 3A991B2A 8542.32.0041 1 250MHz 항체를 제거하세요 36Mbit 스램 2M×18 불편한 -
CY7C1472BV33-200BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1472BV33-200BZC 138.6700
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ECAD 42 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 NoBL™ 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 165-LBGA CY7C1472 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.6V 165-FBGA(15x17) 다운로드 RoHS 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 105 200MHz 항체를 제거하세요 72Mbit 3ns 스램 4M×18 불편한 - 문제가 발생하지 않았습니다
CY62148VLL-70ZXIT Cypress Semiconductor Corp CY62148VLL-70ZXIT 2.5100
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ECAD 1 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 MoBL® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 32-SOIC(0.400", 10.16mm 폭) CY62148 SRAM - 특별한식 2.7V ~ 3.6V 32-TSOP II 다운로드 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 항체를 제거하세요 4Mbit 70ns 스램 512K x 8 불편한 70ns
S25FL128P0XMFI001 Cypress Semiconductor Corp S25FL128P0XMFI001 5.3100
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ECAD 8477 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 FL-P 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) S25FL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 3A991B1A 8542.32.0071 1 104MHz 비대하다 128Mbit 플래시 16M x 8 SPI 3ms
CY7C0831AV-133BBXI Cypress Semiconductor Corp CY7C0831AV-133BBXI 52.0000
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ECAD 1 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 144-LBGA CY7C0831 SRAM - 듀얼포트, 동기식 3.135V ~ 3.465V 144-FBGA(13x13) 다운로드 ROHS3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 6 133MHz 항체를 제거하세요 2Mbit 스램 128K x 18 불편한 - 문제가 발생하지 않았습니다
CG7031DS Cypress Semiconductor Corp CG7031DS -
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ECAD 7254 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 - 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 1
CY7C1350B-133AI Cypress Semiconductor Corp CY7C1350B-133AI 3.8100
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ECAD 129 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LQFP CY7C1350 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP(14x20) 다운로드 RoHS 비준수 3(168시간) REACH의 영향을 받아들입니다. 3A991B2A 8542.32.0041 1 133MHz 항체를 제거하세요 4.5Mbit 4.2ns 스램 128K x 36 불편한 -
CY7C1380BV25-200AC Cypress Semiconductor Corp CY7C1380BV25-200AC 15.9700
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ECAD 1840년 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LQFP CY7C1380 SRAM - 동기식, SDR 2.375V ~ 2.625V 100-TQFP(14x20) 다운로드 RoHS 비준수 3(168시간) REACH의 영향을 받아들입니다. 3A991B2A 8542.32.0041 1 200MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 3ns 스램 512K x 36 불편한 -
S34ML01G200BHA000 Cypress Semiconductor Corp S34ML01G200BHA000 -
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ECAD 7312 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 ML-2 쟁반 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 63-VFBGA S34ML01 플래시 - 낸드 2.7V ~ 3.6V 63-BGA(11x9) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B1A 8542.32.0071 210 비대하다 1Gbit 플래시 128M x 8 불편한 25ns
FM24C16B-G Cypress Semiconductor Corp FM24C16B-G -
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ECAD 6390 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 F-RAM™ 대부분 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) FM24C16 FRAM(강유전체 RAM) 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 1 1MHz 비대하다 16Kbit 550ns 프램 2K x 8 I²C - 문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1415AV18-200BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1415AV18-200BZC 44.8600
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ECAD 141 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 165-LBGA CY7C1415 SRAM - 동기식, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA(15x17) 다운로드 RoHS 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 7 200MHz 항체를 제거하세요 36Mbit 스램 1M x 36 불편한 - 문제가 발생하지 않았습니다
CY7C128A-35SCT Cypress Semiconductor Corp CY7C128A-35SCT 1.6000
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ECAD 2 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 - 대부분 활동적인 0°C ~ 70°C (타) CY7C128A SRAM - 특별한식 4.5V ~ 5.5V 다운로드 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.32.0041 1,000 항체를 제거하세요 16Kbit 35ns 스램 2K x 8 불편한 35ns
CY62128DV30LL-55ZAI Cypress Semiconductor Corp CY62128DV30LL-55ZAI 4.2600
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ECAD 2 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 MoBL® 대부분 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 32-TFSOP(0.465", 11.80mm 폭) CY62128 SRAM - 특별한식 2.2V ~ 3.6V 32-TSOP 다운로드 RoHS 비준수 3(168시간) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8542.32.0041 1 항체를 제거하세요 1Mbit 55ns 스램 128K x 8 불편한 55ns
CY7C1312KV18-333BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1312KV18-333BZC 33.7500
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ECAD 461 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 - 대부분 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 165-LBGA CY7C1312 SRAM - 동기식, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA(13x15) 다운로드 9 333MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 스램 1M x 18 불편한 - 문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1318CV18-167BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1318CV18-167BZC 31.9600
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ECAD 2 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 165-LBGA CY7C1318 SRAM - 동기식, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA(13x15) 다운로드 RoHS 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 10 167MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 스램 1M x 18 불편한 - 문제가 발생하지 않았습니다
CY7C0831AV-133AXI Cypress Semiconductor Corp CY7C0831AV-133AXI 34.6600
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ECAD 227 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 120-LQFP CY7C0831 SRAM - 듀얼포트, 동기식 3.135V ~ 3.465V 120-TQFP(14x14) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 9 133MHz 항체를 제거하세요 2Mbit 스램 128K x 18 불편한 - 문제가 발생하지 않았습니다
S26KS128SDABHB030 Cypress Semiconductor Corp S26KS128SDABHB030 6.4700
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ECAD 1 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 자동차, AEC-Q100, HyperFlash™ KS 대부분 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 24-VBGA S26KS128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 24-FBGA(6x8) 다운로드 47 100MHz 비대하다 128Mbit 96ns 플래시 16M x 8 불편한 - 문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1049CV33-10ZXI Cypress Semiconductor Corp CY7C1049CV33-10ZXI 4.4600
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ECAD 1 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) CY7C1049 SRAM - 특별한식 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 3A991B2A 8542.32.0041 1 항체를 제거하세요 4Mbit 10ns 스램 512K x 8 불편한 10ns
CY7C1668KV18-450BZXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1668KV18-450BZXC 345.5500
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ECAD 125 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 - 대부분 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 165-LBGA CY7C1668 SRAM - 동기식, DDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA(15x17) 다운로드 1 450MHz 항체를 제거하세요 144Mbit 스램 8M×18 불편한 - 문제가 발생하지 않았습니다
CY100E422-5DCQ Cypress Semiconductor Corp CY100E422-5DCQ 10.2400
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ECAD 1 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.32.0041 1
CY7C25632KV18-400BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C25632KV18-400BZC 55.8800
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ECAD 46 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 - 대부분 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 165-LBGA CY7C25632 SRAM - 듀얼 포트 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA(13x15) - RoHS 비준수 해당사항 없음 공급자가 규정하지 않는 경우 2832-CY7C25632KV18-400BZC 3A991A2 8542.32.0041 10 400MHz 항체를 제거하세요 72Mbit 450ps 스램 4M×18 불편한 - 문제가 발생하지 않았습니다
CY7C266-45WC Cypress Semiconductor Corp CY7C266-45WC -
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ECAD 2918 0.00000000 사이프러스 반도체 주식회사 - 대부분 활동적인 0°C ~ 70°C (타) CY7C266 EPROM-UV 4.5V ~ 5.5V 다운로드 RoHS 비준수 3(168시간) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8542.32.0061 1 비대하다 64Kbit 45ns EPROM 8Kx8 불편한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고