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CY7C1363A-133AJC	8.1200	보상요청	129	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	100-LQFP	CY7C1363	SRAM - 동기식, SDR	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP(14x20)	다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	REACH의 영향을 받아들입니다.		3A991B2A	8542.32.0041	1	133MHz	항체를 제거하세요	9Mbit	6.5ns	스램	512K x 18	불편한	-
FM24V05-G	1.0000	보상요청	1589	사이프러스 반도체 주식회사	F-RAM™	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	FM24V05	FRAM(강유전체 RAM)	2V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드							1	3.4MHz	비대하다	512Kbit	130ns	프램	64K x 8	I²C	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1543V18-333BZI	159.2200	보상요청	33	사이프러스 반도체 주식회사	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C1543	SRAM - 동기식, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(15x17)	다운로드	RoHS 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	2	333MHz	항체를 제거하세요	72Mbit		스램	4Mx18	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
S29GL512P11FFI012	13.3400	보상요청	400	사이프러스 반도체 주식회사	GL-P	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	64-LBGA	S29GL512	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA(11x13)	-	ROHS3 준수			2832-S29GL512P11FFI012-TR	3A991B1A	8542.32.0071	38		비대하다	512Mbit	110ns	플래시	32M x 16	불편한	110ns
CY7C15632KV18-500BZXI	282.2400	보상요청	627	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C15632	SRAM - 동기식, QDR II+	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(13x15)	다운로드							136	500MHz	항체를 제거하세요	72Mbit		스램	4Mx18	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C131E-55NXC	18.8000	보상요청	64	사이프러스 반도체 주식회사	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	52-BQFP	CY7C131	SRAM - 자전거 포트, 라이온식	4.5V ~ 5.5V	52-PQFP(10x10)	-	ROHS3 준수				EAR99	8542.32.0041	27		항체를 제거하세요	8Kbit	55ns	스램	1K x 8	불편한	55ns
CY7C1347F-200BGC	3.6700	보상요청	186	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	119-BGA	CY7C1347	SRAM - 동기식, SDR	3.15V ~ 3.6V	119-PBGA(14x22)	다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		3A991B2A	8542.32.0041	1	200MHz	항체를 제거하세요	4.5Mbit	2.8ns	스램	128K x 36	불편한	-
CY7C1019CV33-15VXC	1.7100	보상요청	1	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	32-SOIC(0.400", 10.16mm 폭)	CY7C1019	SRAM - 특별한식	3V ~ 3.6V	32-TSOP II	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B2B	8542.32.0041	1		항체를 제거하세요	1Mbit	15ns	스램	128K x 8	불편한	15ns
CY7C199-15ZI	1.3000	보상요청	7175	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	28-TSSOP(0.465", 11.80mm 폭)	CY7C199	SRAM - 특별한식	4.5V ~ 5.5V	28-TSOP I	다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8542.32.0041	1		항체를 제거하세요	256Kbit	15ns	스램	32K x 8	불편한	15ns
CY7C1312CV18-250BZXC	34.9600	보상요청	1	사이프러스 반도체 주식회사	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C1312	SRAM - 동기식, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(13x15)	다운로드	ROHS3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	9	250MHz	항체를 제거하세요	18Mbit		스램	1M x 18	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C245-35LMB	22.3000	보상요청	50	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 125°C(타)			CY7C245	EPROM-UV	4.5V ~ 5.5V		다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	REACH의 영향을 받아들입니다.		3A001A2C	8542.32.0071	1		비대하다	16Kbit	35ns	EPROM	2K x 8	불편한	-
CY62137CV30LL-70BAIT	1.4000	보상요청	2	사이프러스 반도체 주식회사	MoBL®	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	48-TFBGA	CY62137	SRAM - 특별한식	2.7V ~ 3.3V	48-FBGA(7x7)	다운로드	해당 없음	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		항체를 제거하세요	2Mbit	70ns	스램	128K x 16	불편한	70ns
CY7C1413KV18-300BZC	-	보상요청	7214	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C1413	SRAM - 동기식, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(13x15)	다운로드							7	300MHz	항체를 제거하세요	36Mbit		스램	2M×18	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
FM25L04B-G	-	보상요청	1078	사이프러스 반도체 주식회사	F-RAM™	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	FM25L04	FRAM(강유전체 RAM)	2.7V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드	RoHS 비준수	해당사항 없음	공급자가 규정하지 않는 경우				153	20MHz	비대하다	4Kbit		프램	512x8	SPI	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY62256VLL-70SNC	1.6500	보상요청	13	사이프러스 반도체 주식회사	MoBL®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	28-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)	CY62256	SRAM - 특별한식	2.7V ~ 3.6V	28-SOIC	다운로드	RoHS 비준수				EAR99	8542.32.0041	182		항체를 제거하세요	256Kbit	70ns	스램	32K x 8	불편한	70ns	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1019CV33-8VC	2.7200	보상요청	2	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	32-SOIC(0.400", 10.16mm 폭)	CY7C1019	SRAM - 특별한식	3V ~ 3.6V	32-TSOP II	다운로드	RoHS 비준수	2(1년)	REACH의 영향을 받아들입니다.		3A991B2B	8542.32.0041	1		항체를 제거하세요	1Mbit	8ns	스램	128K x 8	불편한	8ns
CY7C1018BV33-12VC	2.1500	보상요청	1	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	32-BSOJ(0.300", 7.62mm 폭)	CY7C1018	SRAM - 특별한식	3V ~ 3.6V	32-SOJ	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		3A991B2B	8542.32.0041	1		항체를 제거하세요	1Mbit	12ns	스램	128K x 8	불편한	12ns
S34ML04G100BHA000	-	보상요청	3724	사이프러스 반도체 주식회사	ML-1	쟁반	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	63-VFBGA	S34ML04	플래시 - 낸드	2.7V ~ 3.6V	63-BGA(11x9)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B1A	8542.32.0071	210		비대하다	4Gbit		플래시	512M x 8	불편한	25ns
CY62128BNLL-70SXC	0.9000	보상요청	5260	사이프러스 반도체 주식회사	MoBL®	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	32-SOIC(0.445", 11.30mm 폭)	CY62128	SRAM - 특별한식	4.5V ~ 5.5V	32-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		3A991B2B	8542.32.0041	1		항체를 제거하세요	1Mbit	70ns	스램	128K x 8	불편한	70ns
CY7C1399B-15ZXIT	0.7200	보상요청	9	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	28-TSSOP(0.465", 11.80mm 폭)	CY7C1399	SRAM - 특별한식	3V ~ 3.6V	28-TSOP I	다운로드	해당 없음				EAR99	8542.32.0041	417		항체를 제거하세요	256Kbit	15ns	스램	32K x 8	불편한	15ns	문제가 발생하지 않았습니다
S34ML01G200TFI003	-	보상요청	6950	사이프러스 반도체 주식회사	ML-2	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	48-TFSOP(0.724", 18.40mm 폭)	S34ML01	플래시 - 낸드	2.7V ~ 3.6V	48-TSOP	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비대하다	1Gbit		플래시	128M x 8	불편한	25ns
CY7C1420KV18-250BZXI	42.8800	보상요청	64	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C1420	SRAM - 동기식, DDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(13x15)	다운로드							7	250MHz	항체를 제거하세요	36Mbit		스램	1M x 36	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY14B104NA-ZSP45XI	29.4665	보상요청	2	사이프러스 반도체 주식회사	-	쟁반	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	54-TSOP(0.400", 10.16mm 폭)	CY14B104	NVSRAM(비뒤 SRAM)	2.7V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드							1		비대하다	4Mbit	45ns	NVSRAM	256K x 16	불편한	45ns	문제가 발생하지 않았습니다
CY14ME064Q2A-SXQ	-	보상요청	8591	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	-40°C ~ 105°C(타)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	CY14ME064	NVSRAM(비뒤 SRAM)	4.5V ~ 5.5V	8-SOIC	다운로드							42	40MHz	비대하다	64Kbit		NVSRAM	8Kx8	SPI	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1470V25-167AXC	129.4200	보상요청	120	사이프러스 반도체 주식회사	NoBL™	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	100-LQFP	CY7C1470	SRAM - 동기식, SDR	2.375V ~ 2.625V	100-TQFP(14x20)	-	ROHS3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	72	167MHz	항체를 제거하세요	72Mbit	3.4ns	스램	2M×36	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
S25FL256LAGBHV030	4.3900	보상요청	510	사이프러스 반도체 주식회사	FL-L	대부분	활동적인	-40°C ~ 105°C(타)	표면 실장	24-TBGA	S25FL256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-BGA(6x8)	다운로드							69	133MHz	비대하다	256Mbit		플래시	32M x 8	SPI - 쿼드 I/O, QPI	-	문제가 발생하지 않았습니다
S29GL512T11FHIV20	-	보상요청	5843	사이프러스 반도체 주식회사	GL-T	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	64-LBGA	S29GL512	플래시 - 아니오	1.65V ~ 3.6V	64-FBGA(13x11)	다운로드							1		비대하다	512Mbit	110ns	플래시	64M x 8	불편한	60ns	확인됨
S29GL512T12TFN010	-	보상요청	2637	사이프러스 반도체 주식회사	GL-T	대부분	활동적인	-40°C ~ 125°C(타)	표면 실장	56-TFSOP(0.724", 18.40mm 폭)	S29GL512	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-TSOP	다운로드							1		비대하다	512Mbit	120ns	플래시	64M x 8	불편한	60ns	문제가 발생하지 않았습니다
S25FS064SAGBHV020A	1.8700	보상요청	1121	사이프러스 반도체 주식회사	FS-S	대부분	활동적인	-40°C ~ 105°C(타)	표면 실장	24-TBGA	S25FS064	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	24-BGA(6x8)	다운로드	해당 없음	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		3A991B1A	8542.32.0071	1	133MHz	비대하다	64Mbit	6ns	플래시	8M x 8	SPI - 쿼드 I/O, QPI	-
CY7C1250V18-333BZC	76.2700	보상요청	1	사이프러스 반도체 주식회사	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C1250	SRAM - 동기식, DDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(15x17)	다운로드	RoHS 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	4	333MHz	항체를 제거하세요	36Mbit		스램	1M x 36	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

기억(4449)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²