 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 클럭킹 | 메모리 종류 | 메모리 크기 | 접속시간 | 메모리 형식 | 기억 정리 | 메모리 인터페이스 | 돈을 쓰는 시간 - 단어, 페이지 | SIC 프로그래밍 가능 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | CY7C028-15AXI | - |  | 9456 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 100-LQFP | CY7C028 | SRAM - 자전거 포트, 라이온식 | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP(14x14) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 1Mbit | 15ns | 스램 | 64K x 16 | 불편한 | 15ns | ||||||
|  | CY62177EV30LL-55ZXI | 694.6700 |  | 6661 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | MoBL® | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 48-TFSOP(0.724", 18.40mm 폭) | CY62177 | SRAM - 특별한식 | 2.2V ~ 3.7V | 48-TSOP I | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2832-CY62177EV30LL-55ZXI | 210 | 항체를 제거하세요 | 32Mbit | 55ns | 스램 | 4M×8, 2M×16 | 불편한 | 55ns | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||
|  | CY7C1250V18-333BZXC | 95.3400 |  | 121 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 165-LBGA | CY7C1250 | SRAM - 동기식, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA(15x17) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 333MHz | 항체를 제거하세요 | 36Mbit | 스램 | 1M x 36 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||
|  | CY7C1034DV33-10BGXI | 31.6500 |  | 1 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 119-BGA | CY7C1034 | SRAM - 특별한식 | 3V ~ 3.6V | 119-PBGA(14x22) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 10 | 항체를 제거하세요 | 6Mbit | 10ns | 스램 | 256K x 24 | 불편한 | 10ns | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||
|  | CY7C1412AV18-200BZXC | 44.8100 |  | 121 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 165-LBGA | CY7C1412 | SRAM - 동기식, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA(15x17) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 7 | 200MHz | 항체를 제거하세요 | 36Mbit | 스램 | 2M×18 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||
|  | CYDMX128A16-65BVXIKB | 6.9500 |  | 829 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 100-VFBGA | CYDMX | SRAM - 자전거 포트, 라이온식 | 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V | 100-VFBGA(6x6) | 다운로드 | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 128Kbit | 65ns | 스램 | 8Kx16 | 불편한 | 65ns | ||||
|  | CY7C2262XV18-366BZXC | 89.6200 |  | 368 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 165-LBGA | CY7C2262 | SRAM - 동기식, QDR II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA(13x15) | 다운로드 | 4 | 366MHz | 항체를 제거하세요 | 36Mbit | 스램 | 2M×18 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||||
|  | CY7C140-45DMB | - |  | 7338 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 125°C(타) | CY7C140 | SRAM - 자전거 포트, 라이온식 | 4.5V ~ 5.5V | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3(168시간) | REACH의 영향을 받아들입니다. | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 8Kbit | 45ns | 스램 | 1K x 8 | 불편한 | 45ns | |||||||
|  | CG7280BM | - |  | 3247 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | ||||||||||||||||||||
|  | CY7C1313CV18-250BZC | 34.9600 |  | 54 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 165-LBGA | CY7C1313 | SRAM - 동기식, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA(13x15) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 250MHz | 항체를 제거하세요 | 18Mbit | 스램 | 1M x 18 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||
|  | CY62137CV30LL-55BVI | 1.3100 |  | 1 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 48-VFBGA | CY62137 | SRAM - 특별한식 | 2.7V ~ 3.3V | 48-VFBGA(6x8) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3(168시간) | REACH의 영향을 받아들입니다. | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 2Mbit | 55ns | 스램 | 128K x 16 | 불편한 | 55ns | ||||
|  | CY7C1049CV33-10ZI | - |  | 7398 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) | CY7C1049 | SRAM - 특별한식 | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3(168시간) | REACH의 영향을 받아들입니다. | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 4Mbit | 10ns | 스램 | 512K x 8 | 불편한 | 10ns | ||||
|  | CY7C1041BNV33L-12VC | 5.3400 |  | 221 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 44-BSOJ(0.400", 10.16mm 폭) | CY7C1041 | SRAM - 특별한식 | 3V ~ 3.6V | 44-SOJ | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 4Mbit | 12ns | 스램 | 256K x 16 | 불편한 | 12ns | ||||
|  | CY14E256LA-SZ45XQ | - |  | 5164 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 105°C(타) | 표면 실장 | 32-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) | CY14E256 | NVSRAM(비뒤 SRAM) | 4.5V ~ 5.5V | 32-SOIC | 다운로드 | 1 | 비대하다 | 256Kbit | NVSRAM | 32K x 8 | 불편한 | 45ns | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||||||
| S25FL512SAGBHIY10 | 19.5400 |  | 262 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | FL-S | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 24-TBGA | S25FL512 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-BGA(8x6) | - | 26 | 133MHz | 비대하다 | 512Mbit | 플래시 | 64M x 8 | SPI - 쿼드 I/O | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||||||
|  | CY7C024AV-25AXIKJ | - |  | 6006 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 100-LQFP | CY7C024 | SRAM - 자전거 포트, 라이온식 | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP(14x14) | 다운로드 | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 64Kbit | 25ns | 스램 | 4K×16 | 불편한 | 25ns | ||||
|  | S29GL01GT12TFN010 | - |  | 6161 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | GL-T | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C(타) | 표면 실장 | 56-TFSOP(0.724", 18.40mm 폭) | S29GL01 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | 다운로드 | 1 | 비대하다 | 1Gbit | 120ns | 플래시 | 128M x 8 | 불편한 | 60ns | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||||
|  | CY7C1515JV18-300BZC | 180.7100 |  | 50 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 165-LBGA | CY7C1515 | SRAM - 동기식, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA(15x17) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300MHz | 항체를 제거하세요 | 72Mbit | 스램 | 2M×36 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||
|  | S25FS256SDSMFI000 | - |  | 9886 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | FS-S | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) | S25FS256 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 16-SOIC | 다운로드 | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | 80MHz | 비대하다 | 256Mbit | 플래시 | 32M x 8 | SPI - 쿼드 I/O, QPI | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||
|  | CY14B256KA-SP25XI | - |  | 9150 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 48-BSSOP(0.295", 7.50mm 폭) | CY14B256 | NVSRAM(비뒤 SRAM) | 2.7V ~ 3.6V | 48-SSOP | 다운로드 | 1 | 비대하다 | 256Kbit | 25ns | NVSRAM | 32K x 8 | 불편한 | 25ns | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||||
|  | S25FS128SAGNFI103 | 8.1500 |  | 5438 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | FS-S | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 8-WDFN옆패드 | S25FS128 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 8-WSON(5x6) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 해당사항 없음 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2832-S25FS128SAGNFI103TR | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 62 | 133MHz | 비대하다 | 128Mbit | 플래시 | 16M x 8 | SPI - 쿼드 I/O, QPI | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||
|  | CY62128ELL-55ZAXEKJ | 4.5100 |  | 5 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
| CY7C1471V33-133ACES | - |  | 1383 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | NoBL™ | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 100-LQFP | CY7C1471 | SRAM - 동기식, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP(14x20) | 다운로드 | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133MHz | 항체를 제거하세요 | 72Mbit | 6.5ns | 스램 | 2M×36 | 불편한 | - | ||||
|  | CY7C1011CV33-10ZCT | 2.1900 |  | 1 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 32-SOIC(0.400", 10.16mm 폭) | CY7C1011 | SRAM - 특별한식 | 3V ~ 3.6V | 32-TSOP II | 다운로드 | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 항체를 제거하세요 | 2Mbit | 10ns | 스램 | 128K x 16 | 불편한 | 10ns | ||||
|  | CY7C1006D-10VXI | 3.9700 |  | 12 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 28-BSOJ(0.300", 7.62mm 폭) | CY7C1006 | SRAM - 특별한식 | 4.5V ~ 5.5V | 28-SOJ | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 76 | 항체를 제거하세요 | 1Mbit | 10ns | 스램 | 256K x 4 | 불편한 | 10ns | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||
|  | CY7C2644KV18-300BZXI | 302.8100 |  | 2 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 165-LBGA | CY7C2644 | SRAM - 동기식, QDR II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA(15x17) | 다운로드 | 1 | 300MHz | 항체를 제거하세요 | 144Mbit | 스램 | 4M×36 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||||
|  | S29GL512S10DHA020 | - |  | 3712 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | 자동차, AEC-Q100, GL-S | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 64-LBGA | 플래시 - NOR(SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA(9x9) | - | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-S29GL512S10DHA020-428 | 1 | 비대하다 | 512Mbit | 100ns | 플래시 | 64M x 8 | CFI | 60ns | |||||||
|  | CY62256NLL-70SNC | - |  | 1129 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | * | 대부분 | 활동적인 | - | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
|  | CG6527AT | - |  | 5166 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | ||||||||||||||||||||
|  | CY7C1370D-250AXC | - |  | 9509 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | NoBL™ | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 100-LQFP | CY7C1370 | SRAM - 동기식, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP(14x20) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 8542.32.0041 | 1 | 250MHz | 항체를 제거하세요 | 18Mbit | 2.6ns | 스램 | 512K x 36 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | 

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