| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | SIC 프로그래밍 가능 | 전압 - 공급 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 클럭킹 | 메모리 종류 | 메모리 크기 | 접속시간 | 메모리 형식 | 기억 정리 | 메모리 인터페이스 | 돈을 쓰는 시간 - 단어, 페이지 | SIC 프로그래밍 가능 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY7C1370S-167AXC | 27.4700 | ![]() | 296 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 가방 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 100-LQFP | CY7C1370 | SRAM - 동기식, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP(14x14) | - | ROHS3 준수 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 11 | 167MHz | 항체를 제거하세요 | 18Mbit | 3.4ns | 스램 | 512K x 36 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||
![]() | CY100E422-5KCQ | 12.2600 | ![]() | 2845 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | CY14B116L-Z45XI | 60.6700 | ![]() | 100 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 48-TFSOP(0.724", 18.40mm 폭) | CY14B116 | NVSRAM(비뒤 SRAM) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | 다운로드 | 5 | 비대하다 | 16Mbit | 45ns | NVSRAM | 2M x 8 | 불편한 | 45ns | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||||||
![]() | CY7S1041GE30-10BVXI | - | ![]() | 9425 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 48-VFBGA | CY7S1041 | SRAM - 특별한식 | 2.2V ~ 3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 다운로드 | 1 | 항체를 제거하세요 | 4Mbit | 10ns | 스램 | 256K x 16 | 불편한 | 10ns | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||||||
![]() | CY7C13121KV18-300BZXC | 39.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 165-LBGA | CY7C13121 | SRAM - 동기식, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA(13x15) | - | ROHS3 준수 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 8 | 300MHz | 항체를 제거하세요 | 18Mbit | 스램 | 1M x 18 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||
![]() | CY7C1370S-200AXCKJ | 22.1100 | ![]() | 114 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 100-LQFP | CY7C1370 | SRAM - 동기식, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP(14x14) | 다운로드 | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200MHz | 항체를 제거하세요 | 18Mbit | 3ns | 스램 | 512K x 36 | 불편한 | - | ||||
![]() | CY7C1020B-12VC | 2.2700 | ![]() | 254 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 44-BSOJ(0.400", 10.16mm 폭) | CY7C1020 | SRAM - 특별한식 | 4.5V ~ 5.5V | 44-SOJ | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 512Kbit | 12ns | 스램 | 32K x 16 | 불편한 | 12ns | |||||
![]() | S34ML01G200BHB000 | - | ![]() | 9578 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | ML-2 | 쟁반 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -40°C ~ 105°C(타) | 표면 실장 | 63-VFBGA | S34ML01 | 플래시 - 낸드 | 2.7V ~ 3.6V | 63-BGA(11x9) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 비대하다 | 1Gbit | 플래시 | 128M x 8 | 불편한 | 25ns | ||||||
| CY7C1472BV25-200AXC | - | ![]() | 5710 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | NoBL™ | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 100-LQFP | CY7C1472 | SRAM - 동기식, SDR | 2.375V ~ 2.625V | 100-TQFP(14x20) | 다운로드 | 3 | 200MHz | 항체를 제거하세요 | 72Mbit | 3ns | 스램 | 4M×18 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||||||
![]() | S25FL128SDPNFI000 | - | ![]() | 9893 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | FL-S | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 8-WDFN옆패드 | S25FL128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-WSON(6x8) | 다운로드 | 1 | 66MHz | 비대하다 | 128Mbit | 플래시 | 16M x 8 | SPI - 쿼드 I/O | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||||||
![]() | S29GL064N11TFIV60 | 9.0670 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | GL-N | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 48-TFSOP(0.724", 18.40mm 폭) | S29GL064 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 3.6V | 48-TSOP | 다운로드 | RoHS 비준수 | 해당사항 없음 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 56 | 비대하다 | 64Mbit | 110ns | 플래시 | 4Mx16 | 불편한 | 110ns | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||
![]() | CY7C025-25AXC | 16.2600 | ![]() | 843 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 100-LQFP | CY7C025 | SRAM - 자전거 포트, 라이온식 | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP(14x14) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8542.32.0041 | 19 | 항체를 제거하세요 | 128Kbit | 25ns | 스램 | 8Kx16 | 불편한 | 25ns | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||
![]() | CG6850AM | - | ![]() | 7325 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CY62138CV30LL-55BVIT | 1.3600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | MoBL® | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 36-VFBGA | CY62138 | SRAM - 특별한식 | 2.7V ~ 3.3V | 36-VFBGA(6x8) | 다운로드 | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 항체를 제거하세요 | 2Mbit | 55ns | 스램 | 256K x 8 | 불편한 | 55ns | |||||
![]() | S25FL164K0XMFIQ11 | 0.8400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | FL1-K | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.209", 5.30mm 너비) | S25FL164 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | RoHS 비준수 | 해당사항 없음 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2832-S25FL164K0XMFIQ11 | 1,000 | 108MHz | 비대하다 | 64Mbit | 플래시 | 8M x 8 | SPI - 쿼드 I/O | 3ms | 확인됨 | |||||
![]() | CY7C1387BV25-150AC | 44.7400 | ![]() | 77 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 100-LQFP | CY7C1387 | SRAM - 동기식, SDR | 2.375V ~ 2.625V | 100-TQFP(14x20) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3(168시간) | REACH의 영향을 받아들입니다. | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 150MHz | 항체를 제거하세요 | 18Mbit | 3.8ns | 스램 | 1M x 18 | 불편한 | - | ||||
![]() | CYD02S36V-167BBC | 170.3600 | ![]() | 95 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 256-LBGA | CYD02S36 | SRAM - 듀얼포트, 동기식 | 1.7V ~ 1.9V | 256-FBGA(17x17) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 90 | 167MHz | 항체를 제거하세요 | 2Mbit | 4.4ns | 스램 | 64K x 36 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||
![]() | FM25CL64B-G2 | - | ![]() | 9529 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CY62147DV30L-55ZSXI | 2.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | MoBL® | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) | CY62147 | SRAM - 특별한식 | 2.2V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 4Mbit | 55ns | 스램 | 256K x 16 | 불편한 | 55ns | |||||
![]() | S34SL02G200BHV000 | - | ![]() | 9854 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | SL-2 | 쟁반 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -40°C ~ 105°C(타) | 표면 실장 | 63-VFBGA | S34SL02 | 플래시 - 낸드 | 2.7V ~ 3.6V | 63-BGA(11x9) | - | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 비대하다 | 2Gbit | 25ns | 플래시 | 256M x 8 | 불편한 | - | |||||
![]() | CY7C106B-20VC | 1.7900 | ![]() | 322 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 28-BSOJ(0.300", 7.62mm 폭) | CY7C106 | SRAM - 특별한식 | 4.5V ~ 5.5V | 28-SOJ | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 1Mbit | 20ns | 스램 | 256K x 4 | 불편한 | 20ns | |||||
![]() | S29GL01GT10FHI010 | - | ![]() | 5986 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | GL-T | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 64-LBGA | S29GL01 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA(13x11) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 해당사항 없음 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 1 | 비대하다 | 1Gbit | 100ns | 플래시 | 128M x 8 | 불편한 | 60ns | 확인됨 | ||||
![]() | CY7C199CN-12VC | 0.6100 | ![]() | 1408 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 28-BSOJ(0.300", 7.62mm 폭) | CY7C199 | SRAM - 특별한식 | 4.5V ~ 5.5V | 28-SOJ | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 256Kbit | 12ns | 스램 | 32K x 8 | 불편한 | 12ns | |||||
![]() | CY62256LL-70ZRI | 1.0600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | MoBL® | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 28-TSSOP(0.465", 11.80mm 폭) | CY62256 | SRAM - 특별한식 | 문제가 발생하지 않았습니다 | 4.5V ~ 5.5V | 28-TSOP I | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3(168시간) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 256Kbit | 70ns | 스램 | 32K x 8 | 불편한 | 70ns | ||||
![]() | CY62146DV30LL-70ZSXI | - | ![]() | 6014 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | MoBL® | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) | CY62146 | SRAM - 특별한식 | 2.2V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 4Mbit | 70ns | 스램 | 256K x 16 | 불편한 | 70ns | |||||
![]() | CY7C1613KV18-333BZXC | 296.1900 | ![]() | 128 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 165-LBGA | CY7C1613 | SRAM - 동기식, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA(15x17) | 다운로드 | 2 | 333MHz | 항체를 제거하세요 | 144Mbit | 스램 | 8M×18 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||||||
![]() | CG8208AA | - | ![]() | 7178 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CG7494AF | - | ![]() | 9539 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | CG7035AM | - | ![]() | 8376 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1520JV18-300BZC | 76.2200 | ![]() | 183 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 165-LBGA | CY7C1520 | SRAM - 동기식, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA(15x17) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 4 | 300MHz | 항체를 제거하세요 | 72Mbit | 스램 | 2M×36 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 |

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