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제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	전압 - 공급	공급업체 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	클럭킹	메모리 종류	메모리 크기	접속시간	메모리 형식	기억 정리	메모리 인터페이스	돈을 쓰는 시간 - 단어, 페이지	SIC 프로그래밍 가능
S29GL512P10TFIR10	-	보상요청	4296	사이프러스 반도체 주식회사	GL-P	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	56-TFSOP(0.724", 18.40mm 폭)	S29GL512	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-TSOP	다운로드	ROHS3 준수			2832-S29GL512P10TFIR10			1		비대하다	512Mbit	100ns	플래시	32M x 16	불편한	100ns	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1570V18-375BZC	159.5900	보상요청	198	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C1570	SRAM - 동기식, DDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(15x17)	다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	REACH의 영향을 받아들입니다.		3A991B2A	8542.32.0041	1	375MHz	항체를 제거하세요	72Mbit		스램	2M×36	불편한	-
CY7C1515KV18-300BZXC	148.6800	보상요청	9	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C1515	SRAM - 동기식, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(13x15)	다운로드	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우				3	300MHz	항체를 제거하세요	72Mbit		스램	2M×36	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1243KV18-400BZC	57.7800	보상요청	408	사이프러스 반도체 주식회사	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C1243	SRAM - 동기식, QDR II+	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(13x15)	다운로드	RoHS 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	136	400MHz	항체를 제거하세요	36Mbit		스램	2M×18	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1021CV33-15VXIT	0.9700	보상요청	3	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	44-BSOJ(0.400", 10.16mm 폭)	CY7C1021	SRAM - 특별한식	3V ~ 3.6V	44-SOJ	다운로드	해당 없음	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		3A991B2B	8542.32.0041	500		항체를 제거하세요	1Mbit	15ns	스램	64K x 16	불편한	15ns
CY7C1373D-133BZI	28.2900	보상요청	1	사이프러스 반도체 주식회사	NoBL™	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C1373	SRAM - 동기식, SDR	3.135V ~ 3.6V	165-FBGA(13x15)	다운로드	RoHS 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	11	133MHz	항체를 제거하세요	18Mbit	6.5ns	스램	1M x 18	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C245A-45PC	7.3300	보상요청	680	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)			CY7C245	EPROM-OTP	4.5V ~ 5.5V		다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8542.32.0071	1		비대하다	16Kbit	45ns	EPROM	2K x 8	불편한	-
CY14B256K-SP25XI	10.7100	보상요청	1	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	48-BSSOP(0.295", 7.50mm 폭)	CY14B256	NVSRAM(비뒤 SRAM)	2.7V ~ 3.6V	48-SSOP	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.32.0041	1		비대하다	256Kbit	25ns	NVSRAM	32K x 8	불편한	25ns
CY62137BV18LL-70BAI	3.2000	보상요청	6	사이프러스 반도체 주식회사	MoBL2™	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	48-TFBGA	CY62137	SRAM - 특별한식	1.75V ~ 1.95V	48-FBGA(7x7)	다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	REACH의 영향을 받아들입니다.		3A991B2A	8542.32.0041	1		항체를 제거하세요	2Mbit	70ns	스램	128K x 16	불편한	70ns
S25FL256SAGMFI003	1900년 17월	보상요청	14	사이프러스 반도체 주식회사	FL-S	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)	S25FL256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-SOIC	다운로드				2832-S25FL256SAGMFI003-428			30	133MHz	비대하다	256Mbit		플래시	32M x 8	SPI - 쿼드 I/O	-	확인됨
S70GL02GP11FAIR20	52.8700	보상요청	19	사이프러스 반도체 주식회사	GL-P	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	64-LBGA	S70GL02	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	64-FBGA(11x13)	다운로드	ROHS3 준수			2832-S70GL02GP11FAIR20	3A991B1A	8542.32.0071	10		비대하다	2Gbit	110ns	플래시	256Mx8, 128Mx16	불편한	-
CY7C164-35PC	3.3300	보상요청	5	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	스루홀	22-DIP(0.300", 7.62mm)	CY7C164	SRAM - 동기식	4.5V ~ 5.5V	22-PDIP	다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8542.32.0041	1		항체를 제거하세요	64Kbit	35ns	스램	16K x 4	불편한	35ns
S25FL256LAGNFN010	9.0700	보상요청	3	사이프러스 반도체 주식회사	FL-L	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 125°C(타)	표면 실장	8-WDFN옆패드	S25FL256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-WSON(6x8)	-	RoHS 비준수	해당사항 없음	공급자가 규정하지 않는 경우	2832-S25FL256LAGNFN010TR	3A991B1A	8542.32.0070	56	133MHz	비대하다	256Mbit	6ns	플래시	32M x 8	SPI - 쿼드 I/O, QPI	60μs, 1.2ms
CY7C1352S-133AXI	5.4300	보상요청	365	사이프러스 반도체 주식회사	-	가방	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	100-LQFP	CY7C1352	SRAM - 동기식, SDR	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP(14x14)	-	해당 없음				3A991B2A		56	133MHz	항체를 제거하세요	4.5Mbit	4ns	스램	256K x 18	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1520KV18-333BZC	148.6700	보상요청	574	사이프러스 반도체 주식회사	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C1520	SRAM - 동기식, DDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(13x15)	다운로드	RoHS 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	136	333MHz	항체를 제거하세요	72Mbit		스램	2M×36	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1325B-100BGC	8.6600	보상요청	3	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	119-BGA	CY7C1325	SRAM - 동기식, SDR	3.15V ~ 3.6V	119-PBGA(14x22)	다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	REACH의 영향을 받아들입니다.		3A991B2A	8542.32.0041	1	100MHz	항체를 제거하세요	4.5Mbit	8ns	스램	128K x 36	불편한	-
CY7C199-25SC	1.3000	보상요청	6617	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)			CY7C199	SRAM - 특별한식	4.5V ~ 5.5V		다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8542.32.0041	1		항체를 제거하세요	256Kbit	25ns	스램	32K x 8	불편한	25ns
CY7C1386B-150AI	16.7800	보상요청	85	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	100-LQFP	CY7C1386	SRAM - 동기식, SDR	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP(14x20)	다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	REACH의 영향을 받아들입니다.		3A991B2A	8542.32.0041	1	150MHz	항체를 제거하세요	18Mbit	3.8ns	스램	512K x 36	불편한	-
C64898AAT	-	보상요청	3905	사이프러스 반도체 주식회사	*	대부분	활동적인								-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우				1
CY7C1412KV18-250BZXC	42.8800	보상요청	176	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C1412	SRAM - 동기식, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(13x15)	다운로드	ROHS3 준수						7	250MHz	항체를 제거하세요	36Mbit		스램	2M×18	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1250KV18-400BZC	55.6400	보상요청	107	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C1250	SRAM - 동기식, DDR II+	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(13x15)	다운로드							6	400MHz	항체를 제거하세요	36Mbit		스램	1M x 36	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY62136EV30LL-45BVXI	-	보상요청	8732	사이프러스 반도체 주식회사	MoBL®	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	48-VFBGA	CY62136	SRAM - 특별한식	2.2V ~ 3.6V	48-VFBGA(6x8)	다운로드							1		항체를 제거하세요	2Mbit	45ns	스램	128K x 16	불편한	45ns	문제가 발생하지 않았습니다
CY14B512Q1A-SXI	6.8600	보상요청	2	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	CY14B512	NVSRAM(비뒤 SRAM)	2.7V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.32.0041	44	40MHz	비대하다	512Kbit		NVSRAM	64K x 8	SPI	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C2565XV18-633BZXC	493.7500	보상요청	3	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C2565	SRAM - 동기식, QDR II+	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(13x15)	다운로드	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우				1	633MHz	항체를 제거하세요	72Mbit		스램	2M×36	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
S34ML08G101BHI003	-	보상요청	6911	사이프러스 반도체 주식회사	ML-1	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	63-VFBGA	S34ML08	플래시 - 낸드	2.7V ~ 3.6V	63-BGA(11x9)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B1A	8542.32.0071	2,300		비대하다	8Gbit		플래시	1G x 8	불편한	25ns
CY7C1399-15VC	1.3800	보상요청	1	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	28-BSOJ(0.300", 7.62mm 폭)	CY7C1399	SRAM - 특별한식	3V ~ 3.6V	28-SOJ	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8542.32.0041	1		항체를 제거하세요	256Kbit	15ns	스램	32K x 8	불편한	15ns
GVT71256G18T-5T	-	보상요청	5902	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	100-LQFP		SRAM - 단일 포트, 포트식, 표준	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP(14x20)	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-GVT71256G18T-5T-428			1	133MHz	항체를 제거하세요	4.5Mbit	4ns	스램	256K x 18	불편한	-
CY14ME064J2-SXI	4.1600	보상요청	5	사이프러스 반도체 주식회사	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	CY14ME064	NVSRAM(비뒤 SRAM)	4.5V ~ 5.5V	8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	73	3.4MHz	비대하다	64Kbit		NVSRAM	8Kx8	I²C	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C109BN-20VC	-	보상요청	9852	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	32-BSOJ(0.400", 10.16mm 폭)	CY7C109	SRAM - 특별한식	4.5V ~ 5.5V	32-SOJ	다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	REACH의 영향을 받아들입니다.		3A991B2B	8542.32.0041	1		항체를 제거하세요	1Mbit	20ns	스램	128K x 8	불편한	20ns
CYDC256B16-55AXI	8.0900	보상요청	2	사이프러스 반도체 주식회사	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	100-LQFP	CYDC	SRAM - 듀얼 포트, MoBL	1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V	100-TQFP(14x14)	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8542.32.0041	38		항체를 제거하세요	256Kbit	55ns	스램	16K×16	불편한	55ns	문제가 발생하지 않았습니다

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

기억(4449)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²