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메모리 (4449)

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Cy7c1613kv18-333bzxc	296.1900	RFQ	128	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1613	SRAM-동기, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (15x17)	다운로드							2	333 MHz	휘발성 휘발성	144mbit		SRAM	8m x 18	평행한	-	확인되지 확인되지
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S34MS01G200TFB003	-	RFQ	3181	Cypress Semiconductor Corp	자동차, AEC-Q100, MS-2	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	S34MS01	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	48-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	1gbit	45 ns	플래시	128m x 8	평행한	45ns
Cy62158dv30ll-70bvi	-	RFQ	7134	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-VFBGA	Cy62158	sram- 비동기	2.2V ~ 3.6V	48-VFBGA (6x8)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2A	8542.32.0041	1		휘발성 휘발성	8mbit	70 ns	SRAM	1m x 8	평행한	70ns
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cy62256ll-55Sni	2.5000	RFQ	824	Cypress Semiconductor Corp	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)		sram- 비동기	5V	28 -Soic	-				3277-CY6256LL-55SNI	귀 99	8542.32.0041	206		휘발성 휘발성	256kbit		SRAM	32k x 8	평행한	55ns	확인되지 확인되지
S25FL129P0XBHI310	-	RFQ	7210	Cypress Semiconductor Corp	FL-P	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	S25FL129	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-BGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수				3A991B1A	8542.32.0051	338	104 MHz	비 비	128mbit		플래시	16m x 8	spi-쿼드 i/o	5µs, 3ms	확인되지 확인되지
Cy100E422L-7DCQ	7.9400	RFQ	377	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.32.0041	1
cy7c1021cv33-10vc	-	RFQ	6938	Cypress Semiconductor Corp	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비)	cy7c1021	sram- 비동기	3V ~ 3.6V	44-SOJ	다운로드	rohs 비준수				3A991B2B	8542.32.0041	2		휘발성 휘발성	1mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	평행한	10ns	확인되지 확인되지
Cy62128DV30L-55ZAI	1.1800	RFQ	5	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-TFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비)	Cy62128	sram- 비동기	2.2V ~ 3.6V	32-tsop	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.32.0041	1		휘발성 휘발성	1mbit	55 ns	SRAM	128k x 8	평행한	55ns
Cy7C1315CV18-200BZC	31.9600	RFQ	407	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1315	SRAM-동기, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	다운로드	rohs 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	10	200MHz	휘발성 휘발성	18mbit		SRAM	512k x 36	평행한	-	확인되지 확인되지

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (4449)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²