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제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	전압 - 공급	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	클럭킹	메모리 종류	메모리 크기	접속시간	메모리 형식	기억 정리	메모리 인터페이스	돈을 쓰는 시간 - 단어, 페이지	SIC 프로그래밍 가능
S26KS128SDABHV030	6.3400	보상요청	1	사이프러스 반도체 주식회사	하이퍼플래시™ KS	대부분	활동적인	-40°C ~ 125°C(타)	표면 실장	24-VBGA	S26KS128	플래시 - 아니오	1.7V ~ 1.95V	24-FBGA(6x8)	다운로드							48	100MHz	비대하다	128Mbit	96ns	플래시	16M x 8	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY62157EV30LL-55SXE	-	보상요청	2891	사이프러스 반도체 주식회사	MoBL®	대부분	활동적인	-40°C ~ 125°C(타)	-	-	CY62157	SRAM - 특별한식	2.2V ~ 3.6V	-	다운로드	해당 없음	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		3A991B2A	8542.32.0041	1		항체를 제거하세요	8Mbit	55ns	스램	512K x 16	불편한	55ns
CY7C1007BN-15VXC	7.5200	보상요청	257	사이프러스 반도체 주식회사	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	28-BSOJ(0.300", 7.62mm 폭)	CY7C1007	SRAM - 특별한식	4.5V ~ 5.5V	28-SOJ	다운로드	ROHS3 준수				3A991B2B	8542.32.0041	40		항체를 제거하세요	1Mbit	15ns	스램	1M x 1	불편한	15ns	문제가 발생하지 않았습니다
CY27C256A-70WI	-	보상요청	6369	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	스루홀	28-CDIP(0.600", 15.24mm) 창	CY27C256	EPROM-UV	4.5V ~ 5.5V	28-CerDip	다운로드	해당 없음	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.32.0061	1		비대하다	256Kbit	70ns	EPROM	32K x 8	불편한	-
CY7C145-25AC	8.8900	보상요청	96	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	80-LQFP	CY7C145	SRAM - 자전거 포트, 라이온식	4.5V ~ 5.5V	80-TQFP(14x14)	다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8542.32.0041	1		항체를 제거하세요	72Kbit	25ns	스램	8Kx9	불편한	25ns
CY7C243-55WC	7.4500	보상요청	40	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)			CY7C243	EPROM-UV	4.5V ~ 5.5V		다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8542.32.0061	1		비대하다	32Kbit	55ns	EPROM	4K x 8	불편한	-
CY7C13201KV18-300BZXC	39.2900	보상요청	217	사이프러스 반도체 주식회사	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C13201	SRAM - 동기식, DDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(13x15)	다운로드	ROHS3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	8	300MHz	항체를 제거하세요	18Mbit		스램	512K x 36	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1049CV33-10VXC	-	보상요청	8291	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	36-BSOJ(0.400", 10.16mm 폭)	CY7C1049	SRAM - 특별한식	3V ~ 3.6V	36-SOJ	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		3A991B2A	8542.32.0041	1		항체를 제거하세요	4Mbit	10ns	스램	512K x 8	불편한	10ns
CY7C1021CV26-15XEKJ	3.8100	보상요청	2	사이프러스 반도체 주식회사	*	대부분	활동적인								다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-CY7C1021CV26-15XEKJ-428			1
CY7C1325S-100AXI	7.3000	보상요청	195	사이프러스 반도체 주식회사	-	가방	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	100-LQFP	CY7C1325	SRAM - 동기식, SDR	3.15V ~ 3.6V	100-TQFP(14x14)	-	해당 없음				3A991B2A		42	100MHz	항체를 제거하세요	4.5Mbit	8ns	스램	256K x 18	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CG5864ATT	-	보상요청	7606	사이프러스 반도체 주식회사	*	대부분	활동적인								-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우				2,000
CY62128DV30LL-55SI	1.8700	보상요청	2	사이프러스 반도체 주식회사	MoBL®	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	32-SOIC(0.445", 11.30mm 폭)	CY62128	SRAM - 특별한식	2.2V ~ 3.6V	32-SOIC	다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8542.32.0041	1		항체를 제거하세요	1Mbit	55ns	스램	128K x 8	불편한	55ns
CY7C1009BN-15VC	1.2500	보상요청	360	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	32-BSOJ(0.300", 7.62mm 폭)	CY7C1009	SRAM - 특별한식	4.5V ~ 5.5V	32-SOJ	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		3A991B2A	8542.32.0041	1		항체를 제거하세요	1Mbit	15ns	스램	128K x 8	불편한	15ns
CY7C1297S-133AXC	17.3300	보상요청	173	사이프러스 반도체 주식회사	-	가방	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	100-LQFP	CY7C1297	SRAM - 동기식, SDR	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP(14x14)	-	해당 없음				3A991B2A		18	133MHz	항체를 제거하세요	1Mbit		스램	64K x 18	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C2568KV18-400BZXC	283.4100	보상요청	59	사이프러스 반도체 주식회사	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C2568	SRAM - 동기식, DDR II+	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(13x15)	다운로드	ROHS3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	136	400MHz	항체를 제거하세요	72Mbit		스램	4Mx18	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C194B-25VC	6.2100	보상요청	507	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	24-BSOJ(0.300", 7.62mm 폭)	CY7C194	SRAM - 특별한식	4.5V ~ 5.5V	24-SOJ	다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.32.0041	1		항체를 제거하세요	256Kbit	25ns	스램	64K x 4	불편한	25ns
S34ML02G100BHA003	-	보상요청	5303	사이프러스 반도체 주식회사	ML-1	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	63-VFBGA	S34ML02	플래시 - 낸드	2.7V ~ 3.6V	63-BGA(11x9)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B1A	8542.32.0071	2,300		비대하다	2Gbit		플래시	256M x 8	불편한	25ns
S34MS01G200GHI000Z	-	보상요청	2187	사이프러스 반도체 주식회사	*	대부분	활동적인								-	해당 없음	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		3A991B1A	8542.32.0071	1
FM25H20-PG	13.8600	보상요청	2	사이프러스 반도체 주식회사	*	대부분	활동적인								다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH의 영향을 받아들입니다.	2156-FM25H20-PG-428			1
CYD36S72V18-200BGXC	447.7900	보상요청	213	사이프러스 반도체 주식회사	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	484-FBGA	CYD36S72	SRAM - 듀얼포트, 동기식	1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V	484-PBGA(27x27)	다운로드	ROHS3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	40	200MHz	항체를 제거하세요	36Mbit	3.3ns	스램	512K x 72	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
S28HL512TFPBHI010	10.3654	보상요청	3	사이프러스 반도체 주식회사	-	쟁반	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	24-VBGA	S28HL512	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-FBGA(6x8)	다운로드							45	166MHz	비대하다	512Mbit		플래시	64M x 8	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1514V18-200BZXC	136.2800	보상요청	371	사이프러스 반도체 주식회사	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C1514	SRAM - 동기식, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA(15x17)	다운로드	ROHS3 준수				3A991B2A	8542.32.0041	102	200MHz	항체를 제거하세요	72Mbit		스램	2M×36	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1069BV33-10ZXI	36.8000	보상요청	46	사이프러스 반도체 주식회사	*	대부분	활동적인								다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-CY7C1069BV33-10ZXI-428			1
CG7398AM	-	보상요청	8292	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인								-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우				1
CY7C1460AV25-250BZC	76.9500	보상요청	200	사이프러스 반도체 주식회사	NoBL™	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-LBGA	CY7C1460	SRAM - 동기식, SDR	2.375V ~ 2.625V	165-FBGA(15x17)	다운로드	RoHS 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	4	250MHz	항체를 제거하세요	36Mbit	2.6ns	스램	1M x 36	불편한	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY62148DV30LL-55SXI	-	보상요청	1400	사이프러스 반도체 주식회사	MoBL®	튜브	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	32-SOIC(0.445", 11.30mm 폭)	CY62148	SRAM - 특별한식	2.2V ~ 3.6V	32-SOIC	다운로드	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우				1		항체를 제거하세요	4Mbit	55ns	스램	512K x 8	불편한	55ns	문제가 발생하지 않았습니다
S29GL128P10TFI010	7.4100	보상요청	157	사이프러스 반도체 주식회사	GL-P	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	56-TFSOP(0.724", 18.40mm 폭)	S29GL128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-TSOP	다운로드	ROHS3 준수			2832-S29GL128P10TFI010			1		비대하다	128Mbit	100ns	플래시	16M x 8	불편한	100ns	확인됨
S25FL256SDPMFIG00	3.7900	보상요청	1	사이프러스 반도체 주식회사	FL-S	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)	S25FL256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-SOIC	다운로드							80	66MHz	비대하다	256Mbit		플래시	32M x 8	SPI - 쿼드 I/O	-	문제가 발생하지 않았습니다
CY7C1386B-150AC	14.5700	보상요청	1281	사이프러스 반도체 주식회사	-	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	100-LQFP	CY7C1386	SRAM - 동기식, SDR	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP(14x20)	다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	REACH의 영향을 받아들입니다.		3A991B2A	8542.32.0041	1	150MHz	항체를 제거하세요	18Mbit	3.8ns	스램	512K x 36	불편한	-
S25FL128LDPBHI020	2.4500	보상요청	429	사이프러스 반도체 주식회사	FL-L	쟁반	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	24-TBGA	S25FL128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-BGA(8x6)	다운로드	RoHS 비준수	해당사항 없음	공급자가 규정하지 않는 경우	2832-S25FL128LDPBHI020	3A991B1A	8542.32.0070	205	66MHz	비대하다	128Mbit		플래시	16M x 8	SPI - 쿼드 I/O, QPI	-	문제가 발생하지 않았습니다

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

기억(4449)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²