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메모리 (4449)

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S29GL01GP13FFIV10	14.6700	RFQ	10	Cypress Semiconductor Corp	GL-P	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	S29GL01	플래시 - 아니오	1.65V ~ 3.6V	64-FBGA (13x11)	다운로드	Rohs3 준수				3A991B1A	8542.32.0071	35		비 비	1gbit	130 ns	플래시	128m x 8	평행한	130ns
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S34MS04G100BHB000	-	RFQ	9013	Cypress Semiconductor Corp	MS-1	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	S34MS04	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-BGA (11x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	210		비 비	4gbit	45 ns	플래시	512m x 8	평행한	45ns
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S29GL01GP12FFI022	22.3400	RFQ	104	Cypress Semiconductor Corp	GL-P	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	S29GL01	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (13x11)	다운로드	Rohs3 준수			2832-S29GL01GP12FFI022	3A991B1A	8542.32.0071	1		비 비	1gbit	120 ns	플래시	128m x 8	평행한	120ns
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Cy7c141-25JC	-	RFQ	2043	Cypress Semiconductor Corp	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	52-LCC (J-Lead)	Cy7c141	sram-이중-, 비동기	4.5V ~ 5.5V	52-PLCC (19.13x19.13)	다운로드	rohs 비준수				귀 99	8542.32.0041	14		휘발성 휘발성	8kbit	25 ns	SRAM	1K X 8	평행한	25ns	확인되지 확인되지
Cy7C14702BC	119.4500	RFQ	56	Cypress Semiconductor Corp	Nobl ™	대부분	활동적인	-	-	-	Cy7c14702	SRAM -ZBT	2.375V ~ 2.625V	-	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는			0000.00.0000	1		휘발성 휘발성	72mbit		SRAM	2m x 36	평행한	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (4449)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²