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메모리 (4449)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	sic 프로그램 가능
S25FL128SAGMFI000	5.0700	RFQ	81	Cypress Semiconductor Corp	FL-S	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	S25FL128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-	다운로드	Rohs3 준수			2832-S25FL128SAGMFI000			100	133 MHz	비 비	128mbit		플래시	16m x 8	spi-쿼드 i/o	-	확인
S26KS256SDPBHM020	12.4100	RFQ	340	Cypress Semiconductor Corp	자동차, AEC-Q100, Hyperram ™ KS	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	24-VBGA	S26KS256	플래시 - 아니오	1.7V ~ 1.95V	24-FBGA (6x8)	다운로드							25	166 MHz	비 비	256mbit	96 ns	플래시	32m x 8	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy7C1351B-100BGC	4.3100	RFQ	359	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	119-bga	Cy7c1351	sram-동기, sdr	3.135V ~ 3.465V	119-PBGA (14x22)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2A	8542.32.0041	1	100MHz	휘발성 휘발성	4.5mbit	8.5 ns	SRAM	128k x 36	평행한	-
cy10e484-4dc	84.0000	RFQ	271	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 75 ° C (TA)	구멍을 구멍을	28-CDIP (0.400 ", 10.16mm)	cy10e484	sram- 비동기	4.94V ~ 5.46V	28-cdip	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.32.0041	1		휘발성 휘발성	16kbit	4 ns	SRAM	4K X 4	평행한	4ns
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Cy27C512-200pc	-	RFQ	5196	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	구멍을 구멍을	28-DIP (0.600 ", 15.24mm)	CY27C512	eprom -otp	4.5V ~ 5.5V	28-PDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.32.0071	1		비 비	512kbit	200 ns	eprom	64k x 8	평행한	-
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S34SL02G200BHV000	-	RFQ	9854	Cypress Semiconductor Corp	SL-2	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	S34SL02	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	63-BGA (11x9)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	210		비 비	2gbit	25 ns	플래시	256m x 8	평행한	-
S26KS128SDPBHN020	7.4200	RFQ	658	Cypress Semiconductor Corp	Hyperflash ™ KS	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	24-VBGA	S26KS128	플래시 - 아니오	1.7V ~ 1.95V	24-FBGA (6x8)	다운로드							100	166 MHz	비 비	128mbit	96 ns	플래시	16m x 8	평행한	-	확인되지 확인되지
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S25FS064SDSMFN010	2.5300	RFQ	262	Cypress Semiconductor Corp	FS-S	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	S25FS064	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	8-SOIC	다운로드							119	80MHz	비 비	64mbit		플래시	8m x 8	spi-쿼드 i/o	-	확인되지 확인되지
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cy62158dv30ll-55bvxit	-	RFQ	4072	Cypress Semiconductor Corp	Mobl®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-VFBGA	Cy62158	sram- 비동기	2.2V ~ 3.6V	48-VFBGA (6x8)	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		휘발성 휘발성	8mbit	55 ns	SRAM	1m x 8	평행한	55ns
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Cy7c1021BNV33L-15IMG	2.6500	RFQ	736	Cypress Semiconductor Corp	*	대부분	활동적인								다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받습니다	2156-CY7C1021BNV33L-15IMG-428			1
cy7c006a-15ac	-	RFQ	6432	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	64-LQFP	cy7c006	sram-이중-, 비동기	4.5V ~ 5.5V	64-TQFP (14x14)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.32.0041	1		휘발성 휘발성	128kbit	15 ns	SRAM	16k x 8	평행한	15ns
cy7c0851av-133ai	159.9900	RFQ	129	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	176-LQFP	Cy7c0851	sram-듀얼-, 동기	3.135V ~ 3.465V	176-TQFP (24x24)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	휘발성 휘발성	2mbit		SRAM	64k x 36	평행한	-
S34ML02G100TFI003	-	RFQ	4809	Cypress Semiconductor Corp	ML-1	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	S34ML02	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	2gbit		플래시	256m x 8	평행한	25ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (4449)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²