| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 클럭킹 | 메모리 종류 | 메모리 크기 | 접속시간 | 메모리 형식 | 기억 정리 | 메모리 인터페이스 | 돈을 쓰는 시간 - 단어, 페이지 | 컨트롤러 | SIC 프로그래밍 가능 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY7C1413KV18-300BZXC | - | ![]() | 9905 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 165-LBGA | CY7C1413 | SRAM - 동기식, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA(13x15) | 다운로드 | 1 | 300MHz | 항체를 제거하세요 | 36Mbit | 스램 | 2M×18 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||||||
![]() | CY7C68023-56LTXCKM | - | ![]() | 3777 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | EZ-USB NX2LP™ | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 56-VFQFN 보조형 패드 | 3V ~ 3.6V | 56-톱 QFN-EP(8x8) | 다운로드 | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 3A991A3 | 8542.31.0001 | 1 | 낸드 플래시 - USB | |||||||||||||
![]() | CY7C036AV-25AXC | 19.2100 | ![]() | 180 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 100-LQFP | CY7C036 | SRAM - 자전거 포트, 라이온식 | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP(14x14) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8542.32.0041 | 16 | 항체를 제거하세요 | 288Kbit | 25ns | 스램 | 16K×18 | 불편한 | 25ns | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||
![]() | CY7C1019BV33-15ZI | 1.4400 | ![]() | 440 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 32-SOIC(0.400", 10.16mm 폭) | CY7C1019 | SRAM - 특별한식 | 3V ~ 3.6V | 32-TSOP II | 다운로드 | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 1Mbit | 15ns | 스램 | 128K x 8 | 불편한 | 15ns | |||||
![]() | CY7C2663KV18-550BZI | 442.7000 | ![]() | 45 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 165-LBGA | CY7C2663 | SRAM - 동기식, QDR II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA(15x17) | 다운로드 | 1 | 550MHz | 항체를 제거하세요 | 144Mbit | 스램 | 8M×18 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||||||
![]() | CY7C1041DV33-10BVI | - | ![]() | 9790 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 48-VFBGA | CY7C1041 | SRAM - 특별한식 | 3V ~ 3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 4Mbit | 10ns | 스램 | 256K x 16 | 불편한 | 10ns | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||
| S26KS512SDPBHV020 | 12.5200 | ![]() | 250 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | 하이퍼플래시™ KS | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 105°C(타) | 표면 실장 | 24-VBGA | S26KS512 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 1.95V | 24-FBGA(6x8) | 다운로드 | 24 | 166MHz | 비대하다 | 512Mbit | 96ns | 플래시 | 64M x 8 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||||||
![]() | CY7C1263XV18-633BZXC | 105.8800 | ![]() | 100 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 165-LBGA | CY7C1263 | SRAM - 동기식, QDR II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA(13x15) | 다운로드 | 3 | 633MHz | 항체를 제거하세요 | 36Mbit | 스램 | 2M×18 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||||||
![]() | CG7857AA | - | ![]() | 4536 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 해당 없음 | 1 | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C09389V-6AC | 44.4800 | ![]() | 42 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 100-LQFP | CY7C09389 | SRAM - 듀얼포트, 동기식 | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP(14x14) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3(168시간) | REACH의 영향을 받아들입니다. | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100MHz | 항체를 제거하세요 | 1.152Mbit | 6.5ns | 스램 | 64K x 18 | 불편한 | - | ||||
![]() | CY7C09199V-7AXC | 40.1500 | ![]() | 269 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 100-LQFP | CY7C09199 | SRAM - 듀얼포트, 동기식 | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP(14x14) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 8 | 83MHz | 항체를 제거하세요 | 1.152Mbit | 7.5ns | 스램 | 128K x 9 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||
![]() | CY7C1355S-133AXC | 15.6700 | ![]() | 718 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 가방 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 100-LQFP | CY7C1355 | SRAM - 동기식, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP(14x14) | - | 해당 없음 | 3A991B2A | 20 | 133MHz | 항체를 제거하세요 | 9Mbit | 6.5ns | 스램 | 256K x 36 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||
![]() | S79FL512SDSMFVG01 | 9.4000 | ![]() | 106 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | FL-S | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 105°C(타) | 표면 실장 | 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) | S79FL512 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOIC | 다운로드 | 235 | 80MHz | 비대하다 | 512Mbit | 플래시 | 64M x 8 | SPI - 쿼드 I/O | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||||||
![]() | CY27C256A-70PC | - | ![]() | 4101 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 스루홀 | 28-DIP(0.600", 15.24mm) | CY27C256 | EPROM-OTP | 4.5V ~ 5.5V | 28-PDIP | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3(168시간) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 비대하다 | 256Kbit | 70ns | EPROM | 32K x 8 | 불편한 | - | |||||
| S25FL032P0XBHI020 | - | ![]() | 5361 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | FL-P | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 24-TBGA | S25FL032 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-BGA(8x6) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2166-S25FL032P0XBHI020-428 | 1 | 104MHz | 비대하다 | 32Mbit | 플래시 | 4M x 8 | SPI - 쿼드 I/O | 5μs, 3ms | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||||
![]() | CG6036AT | - | ![]() | 8194 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | CG7881AT | 1.0000 | ![]() | 3879 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 해당 없음 | 1 | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||||||||||||||||||
![]() | CG6834AM | - | ![]() | 1831년 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1020BN-12VXC | 2.7400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 44-BSOJ(0.400", 10.16mm 폭) | CY7C1020 | SRAM - 특별한식 | 4.5V ~ 5.5V | 44-SOJ | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 110 | 항체를 제거하세요 | 512Kbit | 12ns | 스램 | 32K x 16 | 불편한 | 12ns | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||
![]() | CY14B101Q1A-SXI | 7.8100 | ![]() | 357 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | CY14B101 | NVSRAM(비뒤 SRAM) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 39 | 40MHz | 비대하다 | 1Mbit | NVSRAM | 128K x 8 | SPI | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||
![]() | CY7C1018DV33-10VXIKJ | 2.0400 | ![]() | 2948 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 32-BSOJ(0.300", 7.62mm 폭) | SRAM - 특별한식 | 3V ~ 3.6V | 32-SOJ | - | 2156-CY7C1018DV33-10VXIKJ | 16 | 항체를 제거하세요 | 1Mbit | 10ns | 스램 | 128K x 8 | 불편한 | 10ns | ||||||||||
![]() | FM25CL64B-GA | 9.2700 | ![]() | 31 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | F-RAM™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 125°C(타) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | FM25CL64 | FRAM(강유전체 RAM) | 3V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2832-FM25CL64B-GA | EAR99 | 8542.32.0071 | 54 | 16MHz | 비대하다 | 64Kbit | 프램 | 8Kx8 | SPI | - | ||||||
![]() | CY62147CV18LL-70BAIT | 2.1200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | MoBL2™ | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 48-TFBGA | CY62147 | SRAM - 특별한식 | 1.65V ~ 1.95V | 48-FBGA(7x8.5) | 다운로드 | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 항체를 제거하세요 | 4Mbit | 70ns | 스램 | 256K x 16 | 불편한 | 70ns | |||||
![]() | CY7C1514AV18-200BZC | 138.4600 | ![]() | 291 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 165-LBGA | CY7C1514 | SRAM - 동기식, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA(15x17) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200MHz | 항체를 제거하세요 | 72Mbit | 스램 | 2M×36 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||
![]() | CY7C1320BV18-200BZC | 33.5100 | ![]() | 523 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 165-LBGA | CY7C1320 | SRAM - 동기식, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA(13x15) | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 200MHz | 항체를 제거하세요 | 18Mbit | 스램 | 512K x 36 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||
![]() | S25FL128P0XMFI011 | 3.1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | FL-P | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) | S25FL128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 95 | 104MHz | 비대하다 | 128Mbit | 플래시 | 16M x 8 | SPI | 3ms | 문제가 발생하지 않았습니다 | ||||||
![]() | 5962-8993502ZA | 27.4700 | ![]() | 43 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 125°C(타) | 표면 실장 | 28-CLCC | 5962-8993502 | SRAM - 특별한식 | 4.5V ~ 5.5V | 28-CLCC(13.97x8.89) | 다운로드 | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 항체를 제거하세요 | 256Kbit | 35ns | 스램 | 64K x 4 | 불편한 | 35ns | |||||
![]() | CG5799AT | - | ![]() | 3154 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | |||||||||||||||||||||
| S26KS128SDPBHI020 | 5.8200 | ![]() | 460 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | 하이퍼플래시™ KS | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 24-VBGA | S26KS128 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 1.95V | 24-FBGA(6x8) | 다운로드 | 52 | 166MHz | 비대하다 | 128Mbit | 96ns | 플래시 | 16M x 8 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 | |||||||||
![]() | CY7C1347F-100AC | - | ![]() | 1579년 | 0.00000000 | 사이프러스 반도체 주식회사 | - | 가방 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 100-LQFP | CY7C1347 | SRAM - 동기식, SDR | 3.15V ~ 3.6V | 100-TQFP(14x20) | 다운로드 | 해당 없음 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 87 | 100MHz | 항체를 제거하세요 | 4.5Mbit | 4.5ns | 스램 | 128K x 36 | 불편한 | - | 문제가 발생하지 않았습니다 |

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