SIC
close

메모리 (4449)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 sic 프로그램 가능
S34ML02G100TFI003 Cypress Semiconductor Corp S34ML02G100TFI003 -
RFQ
 ECAD 4809 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) S34ML02 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 25ns
S29GL064N90FAI040 Cypress Semiconductor Corp S29GL064N90FAI040 6.8000
RFQ
 ECAD 360 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-N 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL064 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2832-S29GL064N90FAI040 3A991B1A 8542.32.0070 74 비 비 64mbit 90 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 90ns 확인되지 확인되지
CG5816AAT Cypress Semiconductor Corp CG5816AAT -
RFQ
 ECAD 8935 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.32.0041 1,000
STK20C04-WF25I Cypress Semiconductor Corp STK20C04-WF25I 83.3400
RFQ
 ECAD 5646 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) STK20C04 nvsram (r 휘발성 sram) 4.5V ~ 5.5V 28-DIP 다운로드 Rohs3 준수 2832-STK20C04-WF25I 귀 99 8542.32.0041 5 비 비 4kbit 25 ns nvsram 512 x 8 평행한 25ns
CY7C0241E-15AXI Cypress Semiconductor Corp cy7c0241e-15axi 24.7000
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c0241 sram-이중-, 비동기 4.5V ~ 5.5V 100-TQFP (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 13 휘발성 휘발성 72kbit 15 ns SRAM 4K X 18 평행한 15ns 확인되지 확인되지
S34MS02G100BHB000 Cypress Semiconductor Corp S34MS02G100BHB000 -
RFQ
 ECAD 9592 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp 자동차, AEC-Q100, MS-1 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA S34MS02 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-BGA (11x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 210 비 비 2gbit 45 ns 플래시 256m x 8 평행한 45ns
S70GL02GS12FHIV10 Cypress Semiconductor Corp S70GL02GS12FHIV10 24.0000
RFQ
 ECAD 881 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-S 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-FBGA 플래시 - 아니오 1.65V ~ 3.6V 64-FBGA (13x11) - 3277-S70GL02GS12FHIV10 180 비 비 2gbit 120 ns 플래시 128m x 16 평행한
CY7C1041CV33-20ZC Cypress Semiconductor Corp cy7c1041cv33-20ZC 3.6800
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 가방 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1041 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 82 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 256k x 16 평행한 20ns 확인되지 확인되지
CY7C1019BV33-15ZC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1019Bv33-15ZC 1.1400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-Soic (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1019 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-TSSOP II 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 128k x 8 평행한 15ns
CY7C1470BV25-200BZXI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1470BV25-200BZXI 157.6300
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1470 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-FBGA (15x17) 다운로드 2 200MHz 휘발성 휘발성 72mbit 3 ns SRAM 2m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1327B-100BGC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1327B-100BGC 4.3100
RFQ
 ECAD 855 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga Cy7c1327 sram-동기, sdr 3.15V ~ 3.6V 119-PBGA (14x22) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 4.5 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
CY7C1007B-25VC Cypress Semiconductor Corp CY7C1007B-25VC 4.8600
RFQ
 ECAD 405 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) CY7C1007 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 25 ns SRAM 1m x 1 평행한 25ns
CY62146ELL-45ZSXIT Cypress Semiconductor Corp Cy62146ELL-45ZSXIT -
RFQ
 ECAD 5803 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) Cy62146 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP II 다운로드 30 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 256k x 16 평행한 45ns 확인되지 확인되지
CY7C09389V-9AI Cypress Semiconductor Corp cy7c09389v-9ai 106.6700
RFQ
 ECAD 941 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c09389 sram-듀얼-, 동기 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 1 67 MHz 휘발성 휘발성 1.152mbit 9 ns SRAM 64k x 18 평행한 -
CY7C1513JV18-300BZXC Cypress Semiconductor Corp cy7c1513jv18-300bzxc 180.5600
RFQ
 ECAD 362 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1513 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 105 300MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C0831AV-167BBC Cypress Semiconductor Corp cy7c0831av-167bbc 68.0100
RFQ
 ECAD 380 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 144-lbga Cy7c0831 sram-듀얼-, 동기 3.135V ~ 3.465V 144-FBGA (13x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 휘발성 휘발성 2mbit SRAM 128k x 18 평행한 -
CY27H010-45ZC Cypress Semiconductor Corp Cy27H010-45ZC 2.1300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) Cy27H010 eprom -uv 4.5V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0071 1 비 비 1mbit 45 ns eprom 128k x 8 평행한 -
CY7C1520V18-250BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1520V18-250BZC 170.4500
RFQ
 ECAD 183 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1520 SRAM-동기, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 105 250MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
S25FS064SDSMFV010 Cypress Semiconductor Corp S25FS064SDSMFV010 1.8800
RFQ
 ECAD 311 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FS-S 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) S25FS064 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 8-SOIC 다운로드 160 80MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o - 확인되지 확인되지
CYD18S36V-100BBI Cypress Semiconductor Corp Cyd18S36V-100BBI 239.9800
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 256-lbga Cyd18S36 sram-듀얼- 1.7V ~ 1.9V 256-FBGA (23x23) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 512k x 36 평행한 -
S25FL512SAGBHIC10 Cypress Semiconductor Corp S25FL512SAGBHIC10 -
RFQ
 ECAD 7527 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FL-S 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA S25FL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-BGA (8x6) 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2832-S25FL512SAGBHIC10 1 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o - 확인되지 확인되지
CY7C1623KV18-333BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1623KV18-333BZXC 309.6400
RFQ
 ECAD 316 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1623 SRAM-동기, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1 333 MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 8m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1370BV25-167BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1370BV25-167BZC 16.1900
RFQ
 ECAD 441 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1370 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.4 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
CY7C1041G30-10ZSXA Cypress Semiconductor Corp cy7c1041g30-10zsxa -
RFQ
 ECAD 3554 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1041 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2832-CY7C1041G30-10ZSXA 1 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns 확인되지 확인되지
CY7C1613KV18-333BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1613kv18-333bzxc 296.1900
RFQ
 ECAD 128 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1613 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) 다운로드 2 333 MHz 휘발성 휘발성 144mbit SRAM 8m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7B145-35JC Cypress Semiconductor Corp Cy7B145-35JC 33.3700
RFQ
 ECAD 245 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 68-LCC (J-Lead) Cy7B145 sram-이중-, 비동기 4.5V ~ 5.5V 68-PLCC (24.23x24.23) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 64kbit 35 ns SRAM 8k x 9 평행한 35ns
CY7C0830AV-167BBC Cypress Semiconductor Corp cy7c0830av-167bbc 68.0100
RFQ
 ECAD 185 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 144-lbga cy7c0830 sram-듀얼-, 동기 3.135V ~ 3.465V 144-FBGA (13x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 휘발성 휘발성 1.152mbit SRAM 64k x 18 평행한 -
CY100E422L-7DCQ Cypress Semiconductor Corp Cy100E422L-7DCQ 7.9400
RFQ
 ECAD 377 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.32.0041 1
CY7C1021CV33-10VC Cypress Semiconductor Corp cy7c1021cv33-10vc -
RFQ
 ECAD 6938 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1021 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 rohs 비준수 3A991B2B 8542.32.0041 2 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 64k x 16 평행한 10ns 확인되지 확인되지
CY62128DV30L-55ZAI Cypress Semiconductor Corp Cy62128DV30L-55ZAI 1.1800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) Cy62128 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 32-tsop 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 55 ns SRAM 128k x 8 평행한 55ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다