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메모리 (4449)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 sic 프로그램 가능
CG6053AT Cypress Semiconductor Corp CG6053AT -
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 ECAD 2264 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
S29GL512S11FHI020 Cypress Semiconductor Corp S29GL512S11FHI020 10.5100
RFQ
 ECAD 342 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-S 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 48 비 비 512mbit 110 ns 플래시 32m x 16 평행한 60ns 확인
5962-8981702YA Cypress Semiconductor Corp 5962-8981702YA 198.6600
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 ECAD 8 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 28-cflatpack, 창 5962-8981702 eprom -uv 4.5V ~ 5.5V 28-cflatpack 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A001A2C 8542.32.0071 1 비 비 256kbit 45 ns eprom 32k x 8 평행한 -
FM25040B-GA Cypress Semiconductor Corp FM25040B-GA 1.8000
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 ECAD 7 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp f-ram ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FM25040 프램 (Ferroelectric RAM) 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.32.0071 278 14 MHz 비 비 4kbit 프램 512 x 8 SPI -
CY7C1426KV18-333BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1426KV18-333BZC 53.9900
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 ECAD 244 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1426 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 6 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 4m x 9 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1460AV25-250BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1460AV25-250BZC 76.9500
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 ECAD 200 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1460 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-FBGA (15x17) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 4 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit 2.6 ns SRAM 1m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1021V33L-12ZC Cypress Semiconductor Corp cy7c1021v33l-12zc -
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 ECAD 3467 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1021 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
CY7C1021V33-12VC Cypress Semiconductor Corp cy7c1021v33-12vc 3.0100
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 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1021 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 3A991B2B 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
CY7C1363A-150BGC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1363A-150BGC 36.0000
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 ECAD 5840 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga Cy7c1363 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 119-PBGA (14x22) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 150MHz 휘발성 휘발성 9mbit 6 ns SRAM 512k x 18 평행한 -
S25FS064SDSNFN030 Cypress Semiconductor Corp S25FS064SDSNFN030 2.5300
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 ECAD 435 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FS-S 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-WLGA S25FS064 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 8-LGA (5x6) 다운로드 119 80MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o - 확인되지 확인되지
CY7C1415SV18-250BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1415SV18-250BZC 70.2100
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 ECAD 174 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 가방 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1415 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) - 적용 적용 수 할 3A991B2A 1 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1325S-100AXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1325S-100AXC 6.3300
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 ECAD 432 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1325 sram-동기, sdr 3.15V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) - 48 100MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 8 ns SRAM 256k x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C025AV-25AI Cypress Semiconductor Corp cy7c025av-25ai 21.0000
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 ECAD 5501 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp cy7c025 sram-이중-, 비동기 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 128kbit 25 ns SRAM 8k x 16 평행한 25ns
CY7C1565KV18-500BZI Cypress Semiconductor Corp cy7c1565kv18-500bzi 295.0700
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 ECAD 271 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1565 SRAM-동기, QDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 136 500MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
S34MS02G204BHI010 Cypress Semiconductor Corp S34MS02G204BHI010 4.7600
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 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MS-2 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA S34MS02 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-BGA (11x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 210 비 비 2gbit 45 ns 플래시 128m x 16 평행한 45ns
S25FS128SAGBHV200 Cypress Semiconductor Corp S25FS128SAGBHV200 15.9800
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 ECAD 282 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FS-S 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA S25FS128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-BGA (8x6) 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2832-S25FS128SAGBHV200 3A991B1A 8542.32.0070 32 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi - 확인되지 확인되지
CY7C1413SV18-250BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1413SV18-250BZC 70.2100
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 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 가방 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1413 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) - 적용 적용 수 할 3A991B2A 1 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C025-25AXC Cypress Semiconductor Corp cy7c025-25axc 16.2600
RFQ
 ECAD 843 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp cy7c025 sram-이중-, 비동기 4.5V ~ 5.5V 100-TQFP (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.32.0041 19 휘발성 휘발성 128kbit 25 ns SRAM 8k x 16 평행한 25ns 확인되지 확인되지
CYD18S18V18-167BBAXI Cypress Semiconductor Corp Cyd18S18V18-167BBAXI -
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 ECAD 8105 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 256-lbga Cyd18S18 sram-듀얼-, 동기 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V 256-FBGA (17x17) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 90 167 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 4 ns SRAM 1m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1021CV33-15VXC Cypress Semiconductor Corp cy7c1021cv33-15vxc -
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 ECAD 9232 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1021 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2B 8542.32.0041 850 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 64k x 16 평행한 15ns 확인되지 확인되지
CY7C1243KV18-450BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1243KV18-450BZC 67.0600
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 ECAD 212 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1243 SRAM-동기, QDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 5 450MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1041B-15VC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1041B-15VC 4.3000
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 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1041 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 rohs 비준수 3A991B2A 8542.32.0041 70 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 256k x 16 평행한 15ns 확인되지 확인되지
S26KS256SDABHV030 Cypress Semiconductor Corp S26KS256SDABHV030 9.0500
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 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Hyperflash ™ KS 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-VBGA S26KS256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 24-FBGA (6x8) 다운로드 34 100MHz 비 비 256mbit 96 ns 플래시 32m x 8 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1312SV18-167BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1312SV18-167BZXC 36.8600
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 ECAD 327 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1312 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 0000.00.0000 1 167 MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 -
CY7C1414KV18-333BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1414KV18-333BZXC 53.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1414 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 6 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 1m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C15632KV18-400BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C15632KV18-400BZC 202.6000
RFQ
 ECAD 780 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c15632 SRAM-동기, QDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 1 400MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
STK12C68-SF25 Cypress Semiconductor Corp STK12C68-SF25 50.6700
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 ECAD 748 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.342 ", 8.69mm 너비) STK12C68 nvsram (r 휘발성 sram) 4.5V ~ 5.5V 28 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 2832-STK12C68-SF25 귀 99 8542.32.0041 10 비 비 64kbit 25 ns nvsram 8k x 8 평행한 25ns
CY7C025AV-25AIT Cypress Semiconductor Corp cy7c025av-25ait 19.7600
RFQ
 ECAD 872 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-CY7C025AV-25AIT-428 1
S26KL256SDABHA030 Cypress Semiconductor Corp S26KL256SDABHA030 8.7900
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 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp 자동차, AEC-Q100, Hyperflash ™ KL 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-VBGA S26KL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-FBGA (6x8) 다운로드 35 100MHz 비 비 256mbit 96 ns 플래시 32m x 8 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C194-25VC Cypress Semiconductor Corp CY7C194-25VC 5.6300
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 ECAD 14 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 24-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) Cy7c194 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 24-SOJ 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 256kbit 25 ns SRAM 64k x 4 평행한 25ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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