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메모리 (4449)
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| Cy7c1360S-166bzxi | 11.9600 | | 576 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | Cy7c1360 | sram-동기, sdr | 3.135V ~ 3.6V | 165-FBGA (13x15) | - | 26 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 9mbit | 3.5 ns | SRAM | 256k x 36 | 평행한 | - | 확인되지 확인되지 | |||||||
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 | cy7c1018cv33-12vit | 1.3400 | | 10 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) | cy7c1018 | sram- 비동기 | 3V ~ 3.6V | 32-SOJ | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 12 ns | SRAM | 128k x 8 | 평행한 | 12ns | ||||
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| Cy7c25632kv18-550bzxi | 355.5400 | | 157 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | Cy7c25632 | SRAM-동기, QDR II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | 다운로드 | 1 | 550MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | SRAM | 4m x 18 | 평행한 | - | 확인되지 확인되지 | ||||||||
| cy7c1311kv18-250bzc | - | | 8789 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | cy7c1311 | SRAM-동기, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | 다운로드 | 13 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | SRAM | 2m x 8 | 평행한 | - | 확인되지 확인되지 | ||||||||
| Cy7C1345A-100AC | 6.5800 | | 5 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | Cy7c1345 | sram-동기, sdr | 3.15V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100MHz | 휘발성 휘발성 | 4.5mbit | 8 ns | SRAM | 128k x 36 | 평행한 | - | |||
| CG7448AF | - | | 2932 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | Cy14B108K-ZS25XI | - | | 2227 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | Cy14B108 | nvsram (r 휘발성 sram) | 2.7V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | 1 | 비 비 | 8mbit | 25 ns | nvsram | 1m x 8 | 평행한 | 25ns | 확인되지 확인되지 |
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