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메모리 (4449)

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S34ML08G201TFB003	-	RFQ	8616	Cypress Semiconductor Corp	자동차, AEC-Q100, ML-2	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	S34ML08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	8gbit		플래시	1g x 8	평행한	25ns
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Cy7C1520V18-200BZCT	161.7800	RFQ	58	Cypress Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1520	SRAM-동기, DDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (15x17)	다운로드	적용 적용 수 할				3A991B2A	8542.32.0041	2	200MHz	휘발성 휘발성	72mbit		SRAM	2m x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
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Cy7c1514AV18-250BZC	151.6700	RFQ	589	Cypress Semiconductor Corp	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1514	SRAM-동기, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (15x17)	다운로드	rohs 비준수				3A991B2A	8542.32.0041	2	250MHz	휘발성 휘발성	72mbit		SRAM	2m x 36	평행한	-	확인되지 확인되지
Cy7C1411SV18-250BZC	41.9000	RFQ	179	Cypress Semiconductor Corp	-	가방	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-lbga	Cy7c1411	SRAM-동기, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	-	적용 적용 수 할				3A991B2A		105	250MHz	휘발성 휘발성	36mbit		SRAM	4m x 8	평행한	-	확인되지 확인되지

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리 (4449)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²