SIC
close

메모리 (4449)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 sic 프로그램 가능
CY62126DV30LL-70ZXI Cypress Semiconductor Corp cy62126dv30ll-70zxi 0.9000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) Cy62126 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 1mbit 70 ns SRAM 64k x 16 평행한 70ns
CY62157CV33LL-70BAI Cypress Semiconductor Corp cy62157cv33ll-70bai 8.1700
RFQ
 ECAD 389 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA Cy62157 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48-FBGA (6x10) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 8mbit 70 ns SRAM 512k x 16 평행한 70ns
CY62128VL-70SCT Cypress Semiconductor Corp CY62128VL-70SCT 3.0700
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-SOIC (0.445 ", 11.30mm 너비) Cy62128 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 32-SOIC 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 70 ns SRAM 128k x 8 평행한 70ns
CY7C166-20VC Cypress Semiconductor Corp CY7C166-20VC 1.4200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 24-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) cy7c166 sram- 표준 4.5V ~ 5.5V 24-SOJ 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 212 휘발성 휘발성 64kbit 20 ns SRAM 16k x 4 평행한 20ns 확인되지 확인되지
CY7C1423KV18-300BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1423KV18-300BZXC 46.4900
RFQ
 ECAD 631 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1423 SRAM-동기, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 7 300MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C027V-15AXCKJ Cypress Semiconductor Corp cy7c027v-15axckj -
RFQ
 ECAD 4791 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-CY7C027V-15AXCKJ-428 1 확인되지 확인되지
CY62138CV30LL-55BVIT Cypress Semiconductor Corp cy62138cv30ll-55bvit 1.3600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-VFBGA Cy62138 sram- 비동기 2.7V ~ 3.3V 36-VFBGA (6x8) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 256k x 8 평행한 55ns
CY7C25652KV18-400BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C25652KV18-400BZXC 222.0000
RFQ
 ECAD 171 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c25652 SRAM-동기, QDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 1 400MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1329G-166AC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1329G-166AC 2.0400
RFQ
 ECAD 185 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1329 sram-동기, sdr 3.15V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 휘발성 휘발성 2mbit 3.5 ns SRAM 64k x 32 평행한 -
CY7C136AE-55NXI Cypress Semiconductor Corp cy7c136ae-55nxi 40.0000
RFQ
 ECAD 5264 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 52-bqfp cy7c136 sram-이중-, 비동기 4.5V ~ 5.5V 52-PQFP (10x10) - Rohs3 준수 귀 99 8542.32.0041 96 휘발성 휘발성 16kbit 55 ns SRAM 2k x 8 평행한 55ns
FM25CL64B-G2 Cypress Semiconductor Corp FM25CL64B-G2 -
RFQ
 ECAD 9529 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.32.0071 1
CY7C1018DV33-10VXIKJ Cypress Semiconductor Corp cy7c1018dv33-10vxikj 2.0400
RFQ
 ECAD 2948 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ - 2156-CY7C1018DV33-10VXIKJ 16 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 128k x 8 평행한 10ns
CY7C1515KV18-300BZI Cypress Semiconductor Corp Cy7c1515kv18-300bzi -
RFQ
 ECAD 5910 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga Cy7c1515 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 1 300MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 - 확인되지 확인되지
S25FS256SAGBHI200 Cypress Semiconductor Corp S25FS256SAGBHI200 7.2800
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FS-S 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA S25FS256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-BGA (8x6) 다운로드 rohs 비준수 2832-S25FS256SAGBHI200 70 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi - 확인되지 확인되지
S34ML04G200BHI003 Cypress Semiconductor Corp S34ML04G200BHI003 3.3400
RFQ
 ECAD 959 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-2 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA S34ML04 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-BGA (11x9) 다운로드 Rohs3 준수 2832-S34ML04G200BHI003-TR 3A991B1A 8542.32.0071 150 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 25ns
S34ML08G201BHV003 Cypress Semiconductor Corp S34ML08G201BHV003 -
RFQ
 ECAD 7053 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-2 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA S34ML08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-BGA (11x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,300 비 비 8gbit 플래시 1g x 8 평행한 25ns
FM25640B-G2 Cypress Semiconductor Corp FM25640B-G2 2.8160
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp f-ram ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FM25640 프램 (Ferroelectric RAM) 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 2832-FM25640B-G2 200 20MHz 비 비 64kbit 프램 8k x 8 SPI - 확인되지 확인되지
CY7C1514KV18-250CKB Cypress Semiconductor Corp Cy7C1514KV18-250CKB 103.9500
RFQ
 ECAD 136 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Cy7c1514 SRAM-동기, QDR II 1.7V ~ 1.9V 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 250MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 2m x 36 평행한 -
CY7C1021B-15VC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1021B-15VC -
RFQ
 ECAD 9406 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1021 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 rohs 비준수 3A991B2B 8542.32.0041 17 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 64k x 16 평행한 15ns 확인되지 확인되지
CY7C024AV-25AXCT Cypress Semiconductor Corp cy7c024av-25axct 18.4700
RFQ
 ECAD 4074 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp cy7c024 sram-이중-, 비동기 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.32.0041 14 휘발성 휘발성 64kbit 25 ns SRAM 4K X 16 평행한 25ns
S27KL0641DABHI020 Cypress Semiconductor Corp S27KL0641DABHI020 -
RFQ
 ECAD 1564 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Hyperram ™ KL 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-VBGA S27KL0641 psram (의사 sram) 2.7V ~ 3.6V 24-FBGA (6x8) 다운로드 1 100MHz 휘발성 휘발성 64mbit 40 ns psram 8m x 8 평행한 - 확인되지 확인되지
CY7C1041CV33-10VXC Cypress Semiconductor Corp cy7c1041cv33-10vxc 3.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) cy7c1041 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
CY62136ESL-45ZSXI Cypress Semiconductor Corp Cy62136ESL-45ZSXI -
RFQ
 ECAD 4739 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) Cy62136 sram- 비동기 2.2V ~ 5.5V 44-TSOP II 다운로드 20 휘발성 휘발성 2mbit 45 ns SRAM 128k x 16 평행한 45ns 확인되지 확인되지
CY7C1340A-100ACT Cypress Semiconductor Corp Cy7C1340A-100ATT 3.1400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp Cy7c1340 sram-동기, sdr 3.15V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 4mbit 5.5 ns SRAM 128k x 32 평행한 -
CY10E484-4DC Cypress Semiconductor Corp cy10e484-4dc 84.0000
RFQ
 ECAD 271 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 75 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-CDIP (0.400 ", 10.16mm) cy10e484 sram- 비동기 4.94V ~ 5.46V 28-cdip 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 16kbit 4 ns SRAM 4K X 4 평행한 4ns
CY27C512-200PC Cypress Semiconductor Corp Cy27C512-200pc -
RFQ
 ECAD 5196 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.600 ", 15.24mm) CY27C512 eprom -otp 4.5V ~ 5.5V 28-PDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.32.0071 1 비 비 512kbit 200 ns eprom 64k x 8 평행한 -
CY7C1351B-100BGC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1351B-100BGC 4.3100
RFQ
 ECAD 359 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-bga Cy7c1351 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 119-PBGA (14x22) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 8.5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
S25FS064SDSMFN010 Cypress Semiconductor Corp S25FS064SDSMFN010 2.5300
RFQ
 ECAD 262 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FS-S 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) S25FS064 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 8-SOIC 다운로드 119 80MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o - 확인되지 확인되지
CY62157DV30L-55BVXE Cypress Semiconductor Corp Cy62157DV30L-55BVXE -
RFQ
 ECAD 8164 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA Cy62157 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 8mbit 55 ns SRAM 512k x 16 평행한 55ns 확인되지 확인되지
CY7C057V-15AXC Cypress Semiconductor Corp cy7c057v-15axc 46.6500
RFQ
 ECAD 735 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 144-LQFP cy7c057 sram-이중-, 비동기 3V ~ 3.6V 144-TQFP (20x20) 다운로드 Rohs3 준수 3A991B2A 8542.32.0041 60 휘발성 휘발성 1.152mbit 15 ns SRAM 32k x 36 평행한 15ns 확인되지 확인되지
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다