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메모리(33)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	전압 - 공급	공급업체 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	클럭킹	메모리 종류	메모리 크기	접속시간	메모리 형식	기억 정리	메모리 인터페이스	돈을 쓰는 시간 - 단어, 페이지
HN58V66ATI10E	2000년 10월	보상요청	869	르네사스	*	대부분	활동적인								다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-HN58V66ATI10E-1833			1
HN58C256AP10E	-	보상요청	5361	르네사스	*	대부분	활동적인								다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-HN58C256AP10E-1833			1
R1RW0416DSB-2PI#D1	-	보상요청	4616	르네사스	R1RW0416DI	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭)		SRAM - 특별한식	3V ~ 3.6V	44-TSOP II	-				2156-R1RW0416DSB-2PI#D1			1		항체를 제거하세요	4Mbit	12ns	스램	256K x 16	불편한	12ns
S71VS064RB0AHT4L0	3.4300	보상요청	480	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우								-				2156-S71VS064RB0AHT4L0			88
R1Q4A3618CBB-33IA0	31.0400	보상요청	6	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	165-LBGA	R1Q4A3618	SRAM - 동기식, DDR II	1.7V ~ 1.9V	165-LBGA(13x15)	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-R1Q4A3618CBB-33IA0	3A991	8542.32.0041	1	300MHz	항체를 제거하세요	36Mbit	450ps	스램	2M×18	불편한	-
M5M5V108DKV-70HIST	5.0500	보상요청	3	르네사스	*	대부분	활동적인								다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-M5M5V108DKV-70HIST-1833			1
R1LV1616HSA-5SI#B1	-	보상요청	5980	르네사스	R1LV1616HSA-I	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	48-TFSOP(0.724", 18.40mm 폭)		SRAM - 특별한식	2.7V ~ 3.6V	48-TSOP I	-				2156-R1LV1616HSA-5SI#B1			1		항체를 제거하세요	16Mbit	55ns	스램	1Mx16, 2Mx8	불편한	55ns
S79FL01GSDSBHBC10	-	보상요청	7470	르네사스	-	대부분	활동적인								-				2156-S79FL01GSDSBHBC10			1
UPD48576118F1-E18-DW1-A	69.8200	보상요청	3	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 95°C (TC)	표면 실장	144-TBGA	UPD48576118	LLDRAM	1.7V ~ 1.9V	144-TFBGA(11x18.5)	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-UPD48576118F1-E18-DW1-A	EAR99	8542.32.0032	1	533MHz	항체를 제거하세요	576Mbit	300ps	식사	32M x 18	HSTL	-
R1WV6416RBG-5SI#B0	-	보상요청	3725	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	48-TFBGA		SRAM - 특별한식	2.7V ~ 3.6V	48-TFBGA(8.5x11)	-				2156-R1WV6416RBG-5SI#B0			1		항체를 제거하세요	64Mbit	55ns	스램	4M×16, 8M×8	불편한	55ns
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A	53.2800	보상요청	1	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 95°C (TC)	표면 실장	144-TBGA	UPD48576209	LLDRAM	1.7V ~ 1.9V	144-TFBGA(11x18.5)	다운로드	RoHS 비준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A	EAR99	8542.32.0032	1	400MHz	항체를 제거하세요	576Mbit		식사	64M x 9	HSTL	-
M5M5256DFP-70LL#SM	3.6000	보상요청	894	르네사스	*	대부분	활동적인								다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-M5M5256DFP-70LL#SM-1833			1
R1Q3A7236ABB-33IB0	30.1100	보상요청	375	르네사스	*	대부분	활동적인								다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	공급자가 규정하지 않는 경우	2156-R1Q3A7236ABB-33IB0-1833			1
R1Q4A7218ABB-33IA0	106.5000	보상요청	2	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	165-LBGA	R1Q4A7218	SRAM - 동기식, DDR II	1.7V ~ 1.9V	165-LBGA(13x15)	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-R1Q4A7218ABB-33IA0	3A991	8542.32.0041	1	300MHz	항체를 제거하세요	72Mbit	450ps	스램	4M×18	불편한	-
R1LP0408DSB-5SI#B1	-	보상요청	6001	르네사스	R1LP0408D	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	32-SOIC(0.400", 10.16mm 폭)		SRAM - 특별한식	4.5V ~ 5.5V	32-TSOP II	-				2156-R1LP0408DSB-5SI#B1			1		항체를 제거하세요	4Mbit	55ns	스램	512K x 8	불편한	55ns
R1LV3216RSA-5SI#BU	71.8800	보상요청	87	르네사스	*	대부분	활동적인								다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-R1LV3216RSA-5SI#BU-1833	3A991B2A	8542.32.0041	1
HN58V66AFPI10E	9.7700	보상요청	2	르네사스	*	대부분	활동적인								다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-HN58V66AFPI10E-1833			1
R1WV6416RSD-5SI#B0	-	보상요청	5461	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	52-TFSOP(0.350", 8.89mm 폭)		SRAM - 특별한식	2.7V ~ 3.6V	52-TSOP II	-				2156-R1WV6416RSD-5SI#B0			1		항체를 제거하세요	64Mbit	55ns	스램	4M×16, 8M×8	불편한	55ns
HN58C257AT85E	13.9800	보상요청	101	르네사스	*	대부분	활동적인								다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-HN58C257AT85E-1833			1
S71VS256RD0AHK4L0	7.3000	보상요청	272	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우								-				2156-S71VS256RD0AHK4L0			42
M5M5V108DVP-70H#BT	4.6400	보상요청	6	르네사스	*	대부분	활동적인								다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-M5M5V108DVP-70H#BT-1833			1
R1LP5256ESA-5SI#S1	-	보상요청	8565	르네사스	R1LP5256E	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	28-TSSOP(0.465", 11.80mm 폭)		SRAM - 특별한식	4.5V ~ 5.5V	28-TSOP I	-				2156-R1LP5256ESA-5SI#S1			1		항체를 제거하세요	256Kbit	55ns	스램	32K x 8	불편한	55ns
HN58V66AT10E	9.3200	보상요청	408	르네사스	*	대부분	활동적인								다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-HN58V66AT10E-1833			1
UPD48576236F1-E18-DW1-A	69.8200	보상요청	4	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 95°C (TC)	표면 실장	144-TBGA	UPD48576236	LLDRAM	1.7V ~ 1.9V	144-TFBGA(11x18.5)	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-UPD48576236F1-E18-DW1-A	EAR99	8542.32.0032	1	533MHz	항체를 제거하세요	576Mbit	300ps	식사	16M×36	HSTL	-
R1LP5256ESA-5SI#B1	-	보상요청	4175	르네사스	R1LP5256E	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	28-TSSOP(0.465", 11.80mm 폭)		SRAM - 특별한식	4.5V ~ 5.5V	28-TSOP I	-				2156-R1LP5256ESA-5SI#B1			1		항체를 제거하세요	256Kbit	55ns	스램	32K x 8	불편한	55ns
R1LV0408DSP-7LI#B0	-	보상요청	4184	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	32-SOIC(0.450", 11.40mm 폭)		SRAM - 특별한식	2.7V ~ 3.6V	32-SOP	-				2156-R1LV0408DSP-7LI#B0			1		항체를 제거하세요	4Mbit	70ns	스램	512K x 8	불편한	70ns
UPD48288236AF1-E24-DW1-A	43.7800	보상요청	1	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 95°C (TC)	표면 실장	144-TBGA	UPD48288236	LLDRAM	1.7V ~ 1.9V	144-TFBGA(11x18.5)	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-UPD48288236AF1-E24-DW1-A	EAR99	8542.32.0028	1	400MHz	항체를 제거하세요	288Mbit	500ps	식사	8Mx36	HSTL	-
R1LV0108ESA-5SI#B1	-	보상요청	1223	르네사스	R1LV0108E	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	32-TFSOP(0.465", 11.80mm 폭)		SRAM - 특별한식	2.7V ~ 3.6V	32-TSOP I	-				2156-R1LV0108ESA-5SI#B1			1		항체를 제거하세요	1Mbit	55ns	스램	128K x 8	불편한	55ns
R1LP0108ESN-5SI#B0	-	보상요청	6051	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	32-SOIC(0.450", 11.40mm 폭)		SRAM - 특별한식	4.5V ~ 5.5V	32-SOP	-				2156-R1LP0108ESN-5SI#B0			1		항체를 제거하세요	1Mbit	55ns	스램	128K x 8	불편한	55ns
S79FL256SDSMFBG00	-	보상요청	1618년	르네사스	-	대부분	활동적인								-				2156-S79FL256SDSMFBG00			1

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

메모리(33)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²