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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 입력 입력 출력 출력 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 요소 요소 요소 요소 비트 당 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 비트 비트 입력 입력 전압 전압 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음 슈미트 슈미트 입력 회로 독립 독립 공급 공급
JD54LS283B2A National Semiconductor JD54LS283B2A -
RFQ
ECAD 2766 0.00000000 국가 국가 54ls 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 20-Clcc 20-LCCC (8.89x8.89) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 빠른 빠른 바이너리 캐리가있는 4 4.5V ~ 5.5V
SNJ54S02J Texas Instruments SNJ54S02J 10.9900
RFQ
ECAD 5938 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 54S02 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1
74LVC32APW,112 NXP USA Inc. 74LVC32APW, 112 0.1100
RFQ
ECAD 59 0.00000000 NXP USA Inc. 74LVC 대부분 활동적인 74LVC32 다운로드 ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,400
74FCT163827APAG IDT, Integrated Device Technology Inc 74FCT163827APAG 2.8700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 74fct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비) 74FCT163827 - 3 국가 2.7V ~ 3.6V 56-tssop 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 버퍼, 반전 비 2 10 8ma, 24ma
74LVC1G38GN,132 NXP USA Inc. 74LVC1G38GN, 132 0.0900
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ECAD 155 0.00000000 NXP USA Inc. 74LVC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-xfdfn 열린 열린 74LVC1G38 1 1.65V ~ 5.5V 6-XSON (0.9x1) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 -, 32MA 4 µA 2 3.9ns @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
8550701RH Harris Corporation 8550701RH 4.5600
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ECAD 3251 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
74LV4094PW,118 NXP USA Inc. 74LV4094PW, 118 0.1300
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ECAD 31 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 74LV40 다운로드 ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500
74VHC132MTCX Fairchild Semiconductor 74VHC132MTCX 0.1900
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ECAD 33 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74VHC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 슈미트 슈미트 74VHC132 4 2V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1,585 NAND 게이트 8ma, 8ma 2 µA 2 9.7ns @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.2V ~ 3.85V
5962-9061601LA Texas Instruments 5962-9061601LA 55.7800
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ECAD 15 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 5962-9061601 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1
5962-9754701Q2A Texas Instruments 5962-9754701Q2A 26.9200
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ECAD 225 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 5962-9754701 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1
NC7WP14L6X Fairchild Semiconductor NC7WP14L6X 0.2300
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ECAD 29 0.00000000 페어차일드 페어차일드 7wp 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-ufdfn 슈미트 슈미트 7WP14 2 0.9V ~ 3.6V 6 마이크로 팩 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 인버터 2.6MA, 2.6MA 900 NA 2 9.2ns @ 3.3v, 30pf 0.1V ~ 0.6V 0.65V ~ 2.6V
74LVC16901AX IDT, Integrated Device Technology Inc 74LVC16901AX 0.2700
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ECAD 4331 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
74FCT162543CTPACT Cypress Semiconductor Corp 74FCT162543CTPACT 1.8900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp 74fct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비) 74FCT162543 - 3 국가 4.5V ~ 5.5V 56-tssop 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 트랜시버, 반전 비 2 8 24MA, 24MA
74VHCT541D,118 NXP USA Inc. 74VHCT541D, 118 0.2500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. 74VHCT 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 74VHCT541 - 3 국가 4.5V ~ 5.5V 20- 의자 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1,198 버퍼, 반전 비 1 8 8ma, 8ma
74LCX125M Fairchild Semiconductor 74LCX125M 0.3600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74lcx 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 74LCX125 - 3 국가 2V ~ 3.6V 14 -Soic 다운로드 귀 99 8542.39.0001 842 버퍼, 반전 비 4 1 24MA, 24MA
74AXP1G09GXH NXP USA Inc. 74axp1g09gxh 0.1000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. 74axp 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 열린 열린 74axp1g09 1 0.7V ~ 2.75V 5-X2SON (0.80x0.80) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 그리고 그리고 -, 8ma 600 NA 2 4.1ns @ 2.5v, 5pf - -
74AXP1G125GNH NXP USA Inc. 74axp1g125gnh 0.1500
RFQ
ECAD 168 0.00000000 NXP USA Inc. 74axp 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 74axp1g125 - 3 국가 0.7V ~ 2.75V 6-XSON (0.9x1) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 버퍼, 반전 비 1 1 8ma, 8ma
MM74HCT541MTCX Fairchild Semiconductor MM74HCT541MTCX 0.2400
RFQ
ECAD 107 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74hct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 74HCT541 - 3 국가 4.5V ~ 5.5V 20-tssop 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1,263 버퍼, 반전 비 1 8 7.2MA, 7.2MA
74AXP2G3404GMH NXP USA Inc. 74axp2g3404gmh -
RFQ
ECAD 8355 0.00000000 NXP USA Inc. 74axp 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-xfdfn 74axp2g3404 단일 단일 2 0.7V ~ 2.75V 6-XSON (1.45X1) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 버퍼/인버터 8ma, 8ma 2) (1, 1) 아니요
MM74HC08MTC Fairchild Semiconductor MM74HC08MTC -
RFQ
ECAD 6271 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HC08 4 2V ~ 6V 14-tssop 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 그리고 그리고 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 20ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
NC7SZ18L6X Fairchild Semiconductor NC7SZ18L6X 0.1700
RFQ
ECAD 125 0.00000000 페어차일드 페어차일드 7SZ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-ufdfn demultiplexer NC7SZ18 1.65V ~ 5.5V 6 마이크로 팩 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 32MA, 32MA 단일 단일 1 x 1 : 2 1
SN74HCT04DE4 Texas Instruments SN74HCT04DE4 0.4800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 74hct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HCT04 6 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 인버터 4MA, 4MA 2 µA 1 18NS @ 5.5V, 50pf 0.8V 2V
74AUP1G3208GF,132 NXP USA Inc. 74AUP1G3208GF, 132 0.1800
RFQ
ECAD 163 0.00000000 NXP USA Inc. 74AUP 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-xfdfn 74AUP1G3208 단일 단일 1 0.8V ~ 3.6V 6- Xson (1x1) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1,658 및/게이트 또는 4MA, 4MA 3) (2, 1) 아니요
74HCT238D,652 NXP USA Inc. 74HCT238D, 652 -
RFQ
ECAD 3670 0.00000000 NXP USA Inc. 74hct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 디코더/demultiplexer 74HCT238 4.5V ~ 5.5V 16- 형의 행위 다운로드 ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 4MA, 4MA 단일 단일 1 x 3 : 8 1
74LVT2245D,112 NXP USA Inc. 74LVT2245D, 112 0.3800
RFQ
ECAD 982 0.00000000 NXP USA Inc. 74LVT 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 74LVT2245 - 3 국가 2.7V ~ 3.6V 20- 의자 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 트랜시버, 반전 비 1 8 12MA, 12MA
74ALVC162245PAG8 IDT, Integrated Device Technology Inc 74ALVC162245PAG8 1.5700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 74ALVC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비) 74ALVC162245 - 3 국가 2.7V ~ 3.6V 48-tssop 다운로드 귀 99 8542.39.0001 192 트랜시버, 반전 비 2 8 12MA, 12MA; 24MA, 24MA
54ACTQ32WRQMLV National Semiconductor 54ACTQ32WRQMLV 301.5900
RFQ
ECAD 144 0.00000000 국가 국가 54ACTQ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-cflatpack - 54ACTQ32 4 4.5V ~ 5.5V 14-cfp 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 또는 또는 24MA, 24MA 1.6 MA 2 7.5ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2.2V
74HCT20D-Q100,118 NXP USA Inc. 74HCT20D-Q100,118 0.1100
RFQ
ECAD 2311 0.00000000 NXP USA Inc. 74hct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HCT20 2 4.5V ~ 5.5V 14- 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 4MA, 5.2MA 2 µA 4 28ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
74AUP1GU04GX,125 NXP USA Inc. 74AUP1GU04GX, 125 0.1900
RFQ
ECAD 230 0.00000000 NXP USA Inc. 74AUP 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 - 74AUP1GU04 1 0.8V ~ 3.6V 5-X2SON (0.80x0.80) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 인버터 4MA, 4MA 500 NA 1 4.3ns @ 3.3v, 30pf - -
74AHCT257PW,118 NXP USA Inc. 74AHCT257PW, 118 0.1600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. 74AHCT 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 멀티플렉서 74AHCT257 4.5V ~ 5.5V 16-TSSOP 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1,909 8ma, 8ma 단일 단일 4 x 2 : 1 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고