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논리 (75022)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	방향	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	시계 시계	전압 전압	다시 다시	타이밍	카운트 카운트	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	슈미트 슈미트 입력	회로	독립 독립
74AUP1G125GW, 125	-	RFQ	2367	NXP USA Inc.	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353			74AUP1G125	-	3 국가			0.8V ~ 3.6V	5-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	3,000	버퍼, 반전 비	1	1	4MA, 4MA
84042012A	28.7500	RFQ	12	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						84042012A							다운로드			귀 99	8542.39.0001	1
74AUP3G34GN115	-	RFQ	2007	NXP USA Inc.	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-xfdfn			74AUP3G34	-	푸시 푸시			0.8V ~ 3.6V	8-XSON (1.2x1)	다운로드				0000.00.0000	1	버퍼, 반전 비	3	1	4MA, 4MA
SNJ54HC4020FK	-	RFQ	9825	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						54HC4020							다운로드			귀 99	8542.39.0001	1
74HC00PW, 118	-	RFQ	6055	NXP USA Inc.	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		-	74HC00				4	2V ~ 6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트			5.2MA, 5.2MA		40 µA	2							7NS @ 6V, 50pf			0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
74LVC1G80GX, 125	-	RFQ	3339	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	4-xfdfn 노출 패드	D- 타입		74LVC1G80		반전			1.65V ~ 5.5V	5-X2SON (0.80x0.80)	다운로드				0000.00.0000	1		1	1	32MA, 32MA	기준			400MHz					긍정적 긍정적 가장자리	4.5ns @ 5V, 50pf	200 µA	5 pf
9324dm/b	-	RFQ	4088	로체스터 로체스터 장치, LLC	*	대부분	활동적인													-				0000.00.0000	4
74LVC1G97GN, 132	0.1600	RFQ	14	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn			74LVC1G97		단일 단일		1	1.65V ~ 5.5V	6-XSON (0.9x1)	다운로드			귀 99	8542.39.0001	1	구성 구성 다중 가능한			32MA, 32MA			3												아니요
SN54ALS580BJ	15.2300	RFQ	32	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						54ALS580							다운로드			귀 99	8542.39.0001	1
V62/04702-01XE	1.9000	RFQ	710	텍사스 텍사스	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			V62/04702			아래에		2 V ~ 6 v	16-	다운로드			귀 99	8542.39.0001	1	이진 이진	1	8							비동기	동기	18 MHz	긍정적 긍정적 가장자리
SNJ54ALS576BJ	28.7200	RFQ	18	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						54ALS576							다운로드			귀 99	8542.39.0001	1
SN74LS122NE4	0.6700	RFQ	4607	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인													다운로드			귀 99	8542.39.0001	318
74VHC541MX	0.3900	RFQ	20	페어차일드 페어차일드	74VHC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74VHC541	-	3 국가			2V ~ 5.5V	20-	다운로드			귀 99	8542.39.0001	766	버퍼, 반전 비	1	8	8ma, 8ma
74CBTLV3253PW, 118	-	RFQ	6342	nxp 반도체	74CBTLV	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	멀티플렉서/demultiplexer		74CBTLV3253					2.3V ~ 3.6V	16-TSSOP	다운로드				0000.00.0000	1				-					단일 단일											2 x 4 : 1	1
74AUP3G3404GM, 125	0.2200	RFQ	4	Nexperia USA Inc.	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-xfqfn 노출 패드			74AUP3G3404		단일 단일		3	0.8V ~ 3.6V	8-xqfn (1.6x1.6)	다운로드			귀 99	8542.39.0001	1	버퍼/인버터			4MA, 4MA			3) (2, 1)												아니요
74CBTLV3257PW/S911	-	RFQ	4984	Nexperia USA Inc.	*	대부분	활동적인													다운로드			귀 99	8542.39.0001	1
5962-9218201MCA	7.7700	RFQ	46	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						5962-9218201							다운로드			귀 99	8542.39.0001	1
54AC175ERQMLV	316.0600	RFQ	83	국가 국가	54AC	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-Clcc	D- 타입		54AC175		보완 보완			2V ~ 6V	20-LCCC (8.89x8.89)	다운로드			귀 99	8542.39.0001	1		1	4	24MA, 24MA	마스터 마스터			95MHz					긍정적 긍정적 가장자리	11.5ns @ 5V, 50pf	160 µA	4.5 pf
CBT3244ABQ, 115	0.1700	RFQ	21	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						CBT32							다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	3,000
74HCT08PW, 118	0.1000	RFQ	12	NXP USA Inc.	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		-	74HCT08				4	4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500	그리고 그리고			4MA, 4MA		2 µA	2							24ns @ 4.5v, 50pf			0.8V	2V
74VCX08MX	0.2400	RFQ	180	페어차일드 페어차일드	74VCX	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74VCX08				4	1.2V ~ 3.6V	14 -Soic	다운로드			귀 99	8542.39.0001	1,245	그리고 그리고			24MA, 24MA		20 µA	2							2.8ns @ 3.3v, 30pf			0.7V ~ 0.8V	1.6V ~ 2V
74HC2G32DC, 125	-	RFQ	7691	NXP USA Inc.	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비)		-	74HC2G32				2	2V ~ 6V	8-VSSOP	다운로드			귀 99	8542.39.0001	1	또는 또는			5.2MA, 5.2MA		1 µA	2							13ns @ 6v, 50pf			0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
74AHCT1G126GM115	-	RFQ	4747	Nexperia USA Inc.	*	대부분	활동적인						74AHCT1G126							다운로드			귀 99	8542.39.0001	1
74HCT1G08GW, 125	-	RFQ	8334	NXP USA Inc.	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353		-	74HCT1G08				1	4.5V ~ 5.5V	5-TSSOP	다운로드			귀 99	8542.39.0001	1	그리고 그리고			2MA, 2MA		20 µA	2							27ns @ 4.5v, 50pf			0.8V	2V
74HCT74D, 652	0.0900	RFQ	55	NXP USA Inc.	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	D- 타입		74HCT74		보완 보완			4.5V ~ 5.5V	14-	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	1,140		2	1	4MA, 4MA	설정 (설정 사전) 및 재설정			59MHz					긍정적 긍정적 가장자리	44ns @ 4.5v, 50pf	40 µA	3.5 pf
78010012A	31.5200	RFQ	59	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						78010012							다운로드			귀 99	8542.39.0001	1
74HC367D, 653	-	RFQ	4836	NXP USA Inc.	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74HC367	-	3 국가			2V ~ 6V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500	버퍼, 반전 비	2	2, 4 (16 16)	7.8ma, 7.8ma
74LCX02MTCX	0.2600	RFQ	48	페어차일드 페어차일드	74lcx	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		-	74LCX02				4	2V ~ 3.6V	14-tssop	다운로드			귀 99	8542.39.0001	1,156	게이트도			24MA, 24MA		10 µA	2							5.2ns @ 3.3v, 50pf			0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
74LVCH32245ABFG8	-	RFQ	8007	idt, 장치 통합 기술 in inc	74lvch	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	96-LFBGA			74LVCH32245	-	3 국가			2.7V ~ 3.6V	96-Cabga (13.5x5.5)	다운로드			귀 99	8542.39.0001	1	트랜시버, 반전 비	4	8	24MA, 24MA
74HC7541DB, 112	-	RFQ	3115	NXP USA Inc.	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)			74HC7541	슈미트 슈미트	3 국가			2V ~ 6V	20-ssop	다운로드	Rohs3 준수	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	924	버퍼, 반전 비	1	8	7.8ma, 7.8ma

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (75022)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²