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논리 (75022)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	방향	sic 프로그램 가능	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	데이터 데이터	시계 시계	전압 전압	메모리 메모리	다시 다시	타이밍	카운트 카운트	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	슈미트 슈미트 입력	회로	독립 독립	전파 전파
SN74LVC1G06DRYR	0.4200	RFQ	851	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-ufdfn		열린 열린	74LVC1G06					1	1.65V ~ 5.5V	6 x (1.45x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000	인버터			-, 32MA		10 µA	1									3.5ns @ 5V, 50pf										0.58V ~ 1.65V	1.07V ~ 3.85V
72V821L20TF8	-	RFQ	9517	Renesas Electronics America Inc	72v	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	64-LQFP			72v821				확인되지 확인되지		3 V ~ 3.6 v	64-TQFP (10x10)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,250					동기			50MHz			18k (1k x 9 x 2)							12ns	40ma	양방향	깊이, 너비	예	아니요	아니요
SN74LVC16374DL	1.5800	RFQ	329	텍사스 텍사스	74LVC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)	D- 타입		74LVC16374		트라이 트라이, 스테이트 반전				1.65V ~ 3.6V	48-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25		2	8	24MA, 24MA	기준				150MHz						긍정적 긍정적 가장자리	4.5ns @ 3.3v, 50pf	20 µA								5 pf
5962-9221301M2A	-	RFQ	5911	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-LCC			5962-9221301	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	20-LCC (8.89x8.89)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-5962-9221301M2A	쓸모없는		55	버퍼, 반전	2	4	12MA, 64MA
SN74HC05PWR	0.4000	RFQ	63	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		열린 열린	74HC05					6	2V ~ 6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	인버터			-, 5.2ma		2 µA	1									20ns @ 6v, 50pf										0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
sn74als857dwr	-	RFQ	4345	텍사스 텍사스	74ALS	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	멀티플렉서		sn74als8						4.5V ~ 5.5V	24-SOIC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000				2.6ma, 24ma						단일 단일																			6 x 2 : 1	1
MC74HC04AFL1	0.0600	RFQ	19	온세미	74HC	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)		-	74HC04					6	2V ~ 6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	인버터			5.2MA, 5.2MA		1 µA	1									13ns @ 6v, 50pf										0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
74HC365D, 652	-	RFQ	4630	NXP USA Inc.	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74HC365	-	3 국가				2V ~ 6V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	버퍼, 반전 비	1	6	7.8ma, 7.8ma
54F64FMQB	2.9400	RFQ	12	국가 국가	54f	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-cflatpack			54F64		단일 단일			1	4.5V ~ 5.5V	14-cfp	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	및/반전/또는 게이트			20MA, 1MA			11, (4, 2, 3, 2)																					아니요
72V3611L15PFG8	52.3712	RFQ	6829	Renesas Electronics America Inc	72v	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	120-lqfp			72v3611				확인되지 확인되지		3 V ~ 3.6 v	120-TQFP (14x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	750					동기			66.7MHz			2.25K (64 x 36)							10ns	500µA	양방향	너비	예	아니요	아니요
SN74HC393PWR	0.6100	RFQ	1	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74HC393			아래에			2 V ~ 6 v	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	이진 이진	2	4									비동기	-	36 MHz	부정적인 부정적인
MC74HC112FR2	0.2000	RFQ	6	온세미	74HC	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	JK 유형		74HC112		보완 보완				2V ~ 6V	16- Ooeaj	-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	2,000		2	1	5.2MA, 5.2MA	설정 (설정 사전) 및 재설정				35MHz						부정적인 부정적인	21ns @ 6v, 50pf	4 µA								10 pf
72V241L15PFG8	-	RFQ	2877	Renesas Electronics America Inc	-	대부분	쓸모없는						72v241				확인되지 확인되지				-			영향을받지 영향을받지	800-72V241L15PFG8	쓸모없는		1
74HCT86PW, 112	0.1200	RFQ	28	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74HCT86								다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT86PW, 112-954			1
SN74LS109ANE4	0.7300	RFQ	560	텍사스 텍사스	74ls	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)	JK 유형		74LS109		보완 보완				4.75V ~ 5.25V	16-PDIP	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1		2	1	400µA, 8mA	설정 (설정 사전) 및 재설정				33MHz						긍정적 긍정적 가장자리	40ns @ 5v, 15pf	8 MA
CD40102BEX	0.5200	RFQ	2	해리스 해리스	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)			CD40102			아래에			3 V ~ 18 v	16-PDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	BCD 카운터	2	4									비동기	동기	4.8 MHz	긍정적 긍정적 가장자리
QS74FCT2161TQ	1.4200	RFQ	3	품질 품질	QS74FCT2161T	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	-			74FCT2161			위로				-	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	1	이진 이진		4									비동기	동기		긍정적 긍정적 가장자리
NC7SZ57FHX	-	RFQ	8450	온세미	7SZ	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-ufdfn			7SZ57		단일 단일			1	1.65V ~ 5.5V	6-Micropak2 ™	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000	구성 구성 다중 가능한			32MA, 32MA			3																					아니요
SN74LVC2G08DCURG4	-	RFQ	3664	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비)		-	74LVC2G08					2	1.65V ~ 5.5V	8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	그리고 그리고			32MA, 32MA		10 µA	2									3.8ns @ 5V, 50pf										0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
SN74AHCT1G125DBVT	0.9700	RFQ	18	텍사스 텍사스	74AHCT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	SC-74A, SOT-753			74AHCT1G125	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	버퍼, 반전 비	1	1	8ma, 8ma
74AHC125PW/S400118	0.0900	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						74AHC125								다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	2,500
SN74HCS10DR	0.3500	RFQ	2	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		슈미트 슈미트 입력	74HCS10					3	2V ~ 6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트			7.8ma, 7.8ma		2 µA	3									16ns @ 6v, 50pf										1V ~ 3V	1.5V ~ 4.2V
74HC166D, 653	0.1700	RFQ	167	NXP USA Inc.	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74HC166		푸시 푸시				2V ~ 6V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	시프트 시프트	1	8		평행 평행 일련의 또는
IDT74FCT163827BPA	-	RFQ	2278	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74FCT163827	-	3 국가				2.7V ~ 3.6V	56-TVSOP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1	버퍼, 반전 비	2	10	8ma, 24ma
CD4093BM	0.4900	RFQ	4	해리스 해리스	4000B	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		슈미트 슈미트	CD4093					4	3V ~ 18V	14 -Soic	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	NAND 게이트			3.4ma, 3.4ma		4 µA	2									130ns @ 15V, 50pf										0.9V ~ 4V	3.6V ~ 10.8V
74LVC1G157GN, 132	0.1319	RFQ	9653	Nexperia USA Inc.	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn	멀티플렉서		74LVC1G157						1.65V ~ 5.5V	6-XSON (0.9x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000				32MA, 32MA						단일 단일																			1 x 2 : 1	1
MC74HC4538AFG	-	RFQ	8271	온세미	74HC	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74HC4538						2 V ~ 6 v	16- Ooeaj	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	모노스트 모노스트			5.2MA, 5.2MA																								예		2	30 ns
SN74CBTLV3383PW	0.8400	RFQ	779	텍사스 텍사스	74CBTLV	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	24-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	버스 FET 스위치 교환		74CBTLV3383						2.3V ~ 3.6V	24-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	60				-						단일 단일																			5 x 2 : 2	1
SN74ACT72241L15RJ	13.4000	RFQ	29	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						74ACT72241				확인되지 확인되지				다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.32.0071	1
54LS295B/BCA	62.1100	RFQ	773	로체스터 로체스터 장치, LLC	*	대부분	활동적인						54LS295								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (75022)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²