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논리 (75022)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	방향	sic 프로그램 가능	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	비트 비트	입력 입력	데이터 데이터	시계 시계	메모리 메모리	다시 다시	타이밍	카운트 카운트	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	슈미트 슈미트 입력	회로	독립 독립	지연 지연 - 시간	전파 전파	공급 공급
SN74LVTH244ANSR	1.1000	RFQ	729	텍사스 텍사스	74lvth	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74LVTH244	-	3 국가				2.7V ~ 3.6V	20- 의자	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	버퍼, 반전 비	2	4	32MA, 64MA
72V3660L15PFI8	-	RFQ	9028	Renesas Electronics America Inc	72v	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	128-LQFP			72v3660				확인되지 확인되지		3.15 V ~ 3.45 v	128-TQFP (14x20)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,000					동기				66.7MHz		144K (4K X 36)							10ns	40ma	단방향	깊이, 너비	예	예	예
SY100EL16VAZG-TR	-	RFQ	9193	마이크로 마이크로 기술	100el	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			100el16							8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	차동 차동						1																										3.3V, 5V
74v1t77str	-	RFQ	7223	stmicroelectronics	74V	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753			74V1T77		기준				4.5V ~ 5.5V	SOT-23-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	d- 타입 투명 타입			8ma, 8ma																									1 : 1	1	5.3ns
74AUP1G74GM, 125	0.0800	RFQ	18	NXP USA Inc.	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-xfqfn 노출 패드	D- 타입		74AUP1G74		보완 보완				0.8V ~ 3.6V	8-xqfn (1.6x1.6)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	4,000		1	1	4MA, 4MA	설정 (설정 사전) 및 재설정					315 MHz					긍정적 긍정적 가장자리	5.8ns @ 3.3v, 30pf	500 NA								0.6 pf
74ALVT16823DGGY	1.5673	RFQ	2076	Nexperia USA Inc.	74ALVT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)	D- 타입		74ALVT16823		트라이 트라이, 스테이트 반전				2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V	56-tssop	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000		2	9	8MA, 24MA; 32MA, 64MA	마스터 마스터					250MHz					긍정적 긍정적 가장자리	3.1ns @ 3.3v, 50pf	100 µa								3 pf
74HCT32PW, 112	-	RFQ	6309	NXP USA Inc.	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		-	74HCT32					4	4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,400	또는 또는			4MA, 4MA		2 µA		2								24ns @ 4.5v, 50pf										0.8V	2V
SN74HC74AN	-	RFQ	2397	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인														-	Rohs3 준수			296-SN74HC74AN	귀 99	8542.39.0001	1
LM9740CCVS	-	RFQ	1287	텍사스 텍사스	*	쟁반	쓸모없는						LM9740								-	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	90
SN74ALS245AN	1.4300	RFQ	2	텍사스 텍사스	74ALS	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20-DIP (0.300 ", 7.62mm)			74ALS245	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	20-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	20	트랜시버, 반전 비	1	8	15ma, 24ma
74ALVTH162245LRG4	-	RFQ	8582	텍사스 텍사스	74alvth	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)			74ALVTH162245	-	3 국가				2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V	48-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	트랜시버, 반전 비	2	8	12MA, 12MA; 32MA, 32MA
SN74LV123APWR	0.6200	RFQ	6052	텍사스 텍사스	74lv	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			SN74LV123						2 V ~ 5.5 v	16-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	모노스트 모노스트			12MA, 12MA																								예		2		13 ns
JM54AC08BDA-RH	298.1700	RFQ	169	국가 국가	54AC	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-cflatpack		-	54AC08					4	2V ~ 6V	14-cfp	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	그리고 그리고			24MA, 24MA		40 µA		2								9NS @ 5V, 50pf										0.9V ~ 1.65V	2.1V ~ 3.85V
74LVC1G86GV, 125	-	RFQ	6761	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인						74LVC1G86								다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1G86GV, 125-954			1
9602pcqr	-	RFQ	5166	국가 국가	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 75 ° C	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)									4.75 V ~ 5.25 v	16-PDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	모노스트 모노스트			16MA, 800µA																								아니요		2		48 ns
MC74LVX573DTR2	-	RFQ	4958	온세미	74lvx	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74LVX573		트라이 트라이				2V ~ 3.6V	20-tssop	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	d- 타입 투명 타입			4MA, 4MA																									8 : 8	1	6.4ns
72V3641L15PFG8	71.6430	RFQ	5287	Renesas Electronics America Inc	72v	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	120-lqfp			72v3641				확인되지 확인되지		3 V ~ 3.6 v	120-TQFP (14x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	750					동기				66.7MHz		36k (1k x 36)							10ns	400µA	양방향	깊이, 너비	예	예	예
STPIC6D595B1R	0.4800	RFQ	342	stmicroelectronics	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)			STPIC6D595		열린 열린				4.5V ~ 5.5V	16-DIP	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	497-6328-5	귀 99	8542.39.0001	25	시프트 시프트	1	8		일련의 일련의, 평행
SN74S373N	7.3200	RFQ	25	텍사스 텍사스	74S	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	20-DIP (0.300 ", 7.62mm)			74S373		트라이 트라이				4.75V ~ 5.25V	20-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	20	d- 타입 투명 타입			-																									8 : 8	1	7ns
54LS366ADMQB	0.5400	RFQ	731	국가 국가	54ls	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	16-CDIP (0.300 ", 7.62mm)			54LS366	-	트라이 트라이, 스테이트				4.5V ~ 5.5V	16-CDIP	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	버퍼, 반전	1	6	1ma, 12ma
SN74AUC1G14DCKRE4	-	RFQ	5004	텍사스 텍사스	74AUC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353		슈미트 슈미트	74AUC1G14					1	0.8V ~ 2.7V	SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터			9MA, 9MA		10 µA		1								2.5ns @ 2.5v, 30pf										0.22V ~ 0.58V	0.5V ~ 1.56V
74VHC02M	0.2400	RFQ	81	페어차일드 페어차일드	74VHC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74VHC02					4	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	게이트도			8ma, 8ma		2 µA		2								7.5ns @ 5V, 50pf										0.5V	1.5V
MC74VHC00DTR2	-	RFQ	7548	온세미	74VHC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		-	74VHC00					4	2V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트			8ma, 8ma		2 µA		2								7.5ns @ 5V, 50pf										0.5V	1.5V
100171DCQR	4.3400	RFQ	1	국가 국가	-	대부분	활동적인						100171								다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
74LCX573MSAX	-	RFQ	4502	페어차일드 페어차일드	74lcx	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)			74LCX573		트라이 트라이				2V ~ 3.6V	20-ssop	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	35	d- 타입 투명 타입			24MA, 24MA																									8 : 8	1	1.5ns
74HC4520D/S400,118	0.2200	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)						위로			2 V ~ 6 v	16- 형의 행위	-				2156-74HC4520D/S400,118			1,394	이진 이진	2	4									비동기	동기	69MHz	긍정적이고 긍정적이고
72V281L20TF8	-	RFQ	4428	Renesas Electronics America Inc	72v	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	64-LQFP			72v281				확인되지 확인되지		3 V ~ 3.6 v	64-TQFP (10x10)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	500					동기				50MHz		576k (64k x 9)							12ns	55MA	단방향	깊이, 너비	예	예	예
74FCT162373ETPAG8	-	RFQ	3167	Renesas Electronics America Inc	74fct	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)			74FCT162373		트라이 트라이				4.5V ~ 5.5V	48-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	d- 타입 투명 타입			24MA, 24MA																									8 : 8	2	1.5ns
SNJ54CBT3383JT	23.1600	RFQ	226	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인														-	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1
72V261LA10pfg	71.3424	RFQ	5985	Renesas Electronics America Inc	72v	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	64-LQFP			72v261				확인되지 확인되지		3 V ~ 3.6 v	64-TQFP (14x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	90					동기				100kHz		144K (16k x 9)							6.5ns	55MA	단방향	깊이, 너비	예	예	예

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (75022)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²