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논리 (75022)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	sic 프로그램 가능	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	비트 비트	입력 입력	데이터 데이터	시계 시계	전압 전압	메모리 메모리	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	회로	독립 독립	지연 지연 - 시간	공급 공급
74S174PCQR	0.6800	RFQ	6	국가 국가	74S	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)	D- 타입		74S174		비 비			4.75V ~ 5.25V	16-PDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1		1	6	1ma, 20ma	마스터 마스터					65MHz			긍정적 긍정적 가장자리	21ns @ 5V, 50pf	96 MA
SN74HC175NE4	0.4023	RFQ	5674	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)	D- 타입				보완 보완			2V ~ 6V	16-PDIP	-	Rohs3 준수			296-SN74HC175NE4	귀 99	8542.39.0001	25		1	4	5.2MA, 5.2MA	마스터 마스터					60MHz			긍정적 긍정적 가장자리	26NS @ 6V, 50pf	8 µA								3 pf
74LCX16646MEA	-	RFQ	1674	페어차일드 페어차일드	74lcx	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)			74LCX16646	-	3 국가			2V ~ 3.6V	56-ssop	-	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	25	트랜시버, 반전 비	2	8	24MA, 24MA
74LVC1G34GX, 125	0.0600	RFQ	319	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	4-xfdfn 노출 패드			74LVC1G34	-	푸시 푸시			1.65V ~ 5.5V	5-X2SON (0.80x0.80)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1G34GX, 125-954			4,849	버퍼, 반전 비	1	1	32MA, 32MA
SN74HC00ANSR	0.6300	RFQ	7721	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)		-	74HC00				4	2V ~ 6V	14-	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	NAND 게이트			5.2MA, 5.2MA		2 µA		2						13ns @ 6v, 50pf										0.1V ~ 0.26V	1.9V ~ 5.9V
SN74ALS1645ADWE4	-	RFQ	3108	텍사스 텍사스	74ALS	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74ALS1645	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	20-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	125	트랜시버, 반전 비	1	8	15MA, 16MA
M38510/07903BFA	-	RFQ	1456	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													-	Rohs3 준수			296-M38510/07903BFA			1
74ACTQ153SC	0.8700	RFQ	6341	페어차일드 페어차일드	74ACTQ	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	멀티플렉서		74ACTQ153					4.5V ~ 5.5V	16-	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	48				24MA, 24MA							단일 단일															2 x 4 : 1	1
74LV04PW, 118	0.1000	RFQ	3	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74LV04							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LV04PW, 118-954	귀 99	8542.39.0001	1
SN54HC00TDF1	7.2437	RFQ	4131	텍사스 텍사스	54HC	튜브	활동적인	25 ° C	표면 표면	주사위		-	54HC00				4	-	주사위	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	400	NAND 게이트			-				2						-										-	-
74AC257pc	0.4200	RFQ	8	페어차일드 페어차일드	74AC	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)	멀티플렉서		74AC257					2V ~ 6V	16-PDIP	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	500				24MA, 24MA							단일 단일															4 x 2 : 1	1
74FCT162543CTPACT	1.8900	RFQ	7	Cypress Semiconductor Corp	74fct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)			74FCT162543	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	56-tssop	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	트랜시버, 반전 비	2	8	24MA, 24MA
74HCT74PW-Q100,118	-	RFQ	2466	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 74HCT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	D- 타입		74HCT74		보완 보완			4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1		2	1	4MA, 4MA	설정 (설정 사전) 및 재설정					59MHz			긍정적 긍정적 가장자리	44ns @ 4.5v, 50pf	40 µA								3.5 pf
CD74HC125EG4	-	RFQ	2746	텍사스 텍사스	74HC	튜브	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)			74HC125	-	3 국가			2V ~ 6V	14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	버퍼, 반전 비	4	1	7.8ma, 7.8ma
SN74AS1000ANS	1.6600	RFQ	14	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						74AS1000							-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
MC14008BD	0.1000	RFQ	3924	온세미	*	대부분	활동적인						MC14008							다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
NC7WV17L6X	-	RFQ	1451	온세미	7WV	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	6-ufdfn			NC7WV17	슈미트 슈미트	푸시 푸시			0.9V ~ 3.6V	6 마이크로 팩	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000	버퍼, 반전 비	2	1	24MA, 24MA
SN74ABT533ANSRE4	-	RFQ	3334	텍사스 텍사스	74ABT	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	20-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74ABT533		트라이 트라이			4.5V ~ 5.5V	20- 의자	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	d- 타입 투명 타입			32MA, 64MA																						8 : 8	1	4.9ns
CD4093BPWRG4	-	RFQ	8778	텍사스 텍사스	4000B	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		슈미트 슈미트	CD4093				4	3V ~ 18V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	NAND 게이트			3.4ma, 3.4ma		4 µA		2						130ns @ 15V, 50pf										0.9V ~ 4V	3.6V ~ 10.8V
9328FMQB	6.7200	RFQ	195	국가 국가	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-cflatpack			9328		푸시 푸시			4.5V ~ 5.5V	16-cflatpack	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	등록, 다중화	2	8		일련의 일련의
SN74ALS641ANS	2.3500	RFQ	3	텍사스 텍사스	74ALS	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74ALS641	-	오픈 오픈			4.5V ~ 5.5V	20- 의자	다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-SN74ALS641ANS-296	귀 99	8542.39.0001	1	트랜시버, 반전 비	1	8	-, 24ma
74LVC1G08GX, 125	0.4800	RFQ	9	Nexperia USA Inc.	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	4-xfdfn 노출 패드		-	74LVC1G08				1	1.65V ~ 5.5V	5-X2SON (0.80x0.80)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	10,000	그리고 그리고			32MA, 32MA		4 µA		2						4NS @ 5V, 50pf										0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
CD54HC648F3A	3.3100	RFQ	420	해리스 해리스	54HC	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	24-CDIP 창			54HC648	-	3 국가			2V ~ 6V	창이있는 24-CDIP -c 씰	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	트랜시버, 반전	1	8	7.8ma, 7.8ma
MC100LVEL16DTR2	2.6600	RFQ	4	온세미	100lvel	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			100lvel16						8-tssop	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	차동 차동						1																						3V ~ 3.8V
PI74FCT273TSE	-	RFQ	1947	다이오드가 다이오드가	74fct	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	D- 타입		74FCT273		비 비			4.5V ~ 5.5V	20-	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	38		1	8	15MA, 64MA	마스터 마스터								긍정적 긍정적 가장자리	13ns @ 5V, 50pf	500 µA								6 pf
NC7WZ14L6X-L22175	0.1273	RFQ	7568	온세미	7wz	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-ufdfn		슈미트 슈미트 입력	7WZ14				2	1.65V ~ 5.5V	6 마이크로 팩	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		488-NC7WZ14L6X-L22175TR	귀 99	8542.39.0001	5,000	인버터			32MA, 32MA		1 µA		2						4.9ns @ 5V, 50pf										0.5V ~ 1.68V	1.4V ~ 3.6V
74ABT541CMSAX	0.7000	RFQ	14	페어차일드 페어차일드	74ABT	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)			74ABT541	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	20-ssop	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	2,000	버퍼, 반전 비	1	8	32MA, 64MA
SN74LVC1G08DBVRE4	0.4700	RFQ	11	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	SC-74A, SOT-753		-	74LVC1G08				1	1.65V ~ 5.5V	SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	그리고 그리고			32MA, 32MA		10 µA		2						4NS @ 5V, 50pf										-	-
72V3670L15PF	-	RFQ	9391	Renesas Electronics America Inc	72v	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	128-LQFP			72v3670			확인되지 확인되지		3.15 V ~ 3.45 v	128-TQFP (14x20)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	36					동기				66.7MHz			288K (8k x 36)				10ns	40ma	단방향	깊이, 너비	예	예	예
74HCT245PW, 118	0.6600	RFQ	38	Nexperia USA Inc.	74hct	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74HCT245	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	20-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	트랜시버, 반전 비	1	8	6MA, 6MA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (75022)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²