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논리 (75022)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	방향	sic 프로그램 가능	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	데이터 데이터	시계 시계	입력 입력	출력 출력	전압 전압	메모리 메모리	다시 다시	타이밍	카운트 카운트	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	회로	독립 독립	번역기 번역기	채널 채널	회로 회로 채널	-VCCA	-VCCB
SN74HC163NE4	0.4378	RFQ	6260	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)						위로			2 V ~ 6 v	16-PDIP	-	Rohs3 준수			296-SN74HC163NE4	귀 99	8542.39.0001	25	이진 이진	1	4											동기	동기	36 MHz	긍정적 긍정적 가장자리
SN74ABT16823DL	2.8958	RFQ	7411	텍사스 텍사스	74ABT	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)	D- 타입		74ABT16823		트라이 트라이, 스테이트 반전				4.5V ~ 5.5V	56-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	20		2	9	32MA, 64MA	마스터 마스터				150MHz								긍정적 긍정적 가장자리	5.5ns @ 5V, 50pf	500 µA								3.5 pf
SN74ABT640NS	-	RFQ	1084	텍사스 텍사스	74ABT	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)				-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	20- 의자	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		296-SN74ABT640NS			1	트랜시버, 반전	1	8	32MA, 64MA
SN74ALS323N3	2.4200	RFQ	580	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						74ALS323								다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1
74LVC2T45GS-Q100X	0.6300	RFQ	82	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-xfdfn		-	74LVC2T45		트라이 트라이, 스테이트 반전			1		8-XSON (1.35X1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000								420Mbps		-	-																					전압 전압	양방향	2	1.2 v ~ 5.5 v	1.2 v ~ 5.5 v
SN74HCT04DR	0.4000	RFQ	12	텍사스 텍사스	74hct	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74HCT04					6	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	인버터			4MA, 4MA		2 µA	1											18NS @ 5.5V, 50pf										0.8V	2V
74LVC2G86GN, 115	0.2114	RFQ	4227	Nexperia USA Inc.	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-xfdfn		-	74LVC2G86					2	1.65V ~ 5.5V	8-XSON (1.2x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000	xor (또는 독점)			32MA, 32MA		4 µA	2											3.6ns @ 5V, 50pf										0.58V ~ 1.65V	1.07V ~ 3.85V
74AUP1T58GM, 132	0.1000	RFQ	5	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74AUP1T58								다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AUP1T58GM, 132-954			1
74AUP1G74GT, 115	0.4100	RFQ	4	Nexperia USA Inc.	74AUP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-xfdfn	D- 타입		74AUP1G74		보완 보완				0.8V ~ 3.6V	8-Xson, SOT833-1 (1.95x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000		1	1	4MA, 4MA	설정 (설정 사전) 및 재설정				315 MHz								긍정적 긍정적 가장자리	5.8ns @ 3.3v, 30pf	500 NA								0.6 pf
CD74HCT126M96E4	-	RFQ	7335	텍사스 텍사스	74hct	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74HCT126	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	버퍼, 반전 비	4	1	6MA, 6MA
QS74FCT158CTP	1.8400	RFQ	191	품질 품질	QS74FCT158	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	-	멀티플렉서		74FCT158						5V	-	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	1				12MA, 32MA								단일 단일																		2 x 8 : 4	4
DM74LS393N	-	RFQ	3423	온세미	74ls	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)			74LS393			위로			4.75 V ~ 5.25 v	14-mdip	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	74LS393	귀 99	8542.39.0001	25	이진 이진	2	4											비동기	-	25MHz	부정적인 부정적인
SN74LVC1G386DSFR	0.4000	RFQ	6	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-xfdfn		-	74LVC1G386					1	1.65V ~ 5.5V	6) (1x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000	xor (또는 독점)			32MA, 32MA		10 µA	3											4NS @ 5V, 50pf										0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
CD4010cmx	-	RFQ	1317	페어차일드 페어차일드	*	대부분	활동적인						CD4010								-	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.59.0080	2,500
MC14076BCP	0.1500	RFQ	7760	온세미	4000B	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)	D- 타입		MC14076		비 비				3V ~ 18V	16-PDIP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25		1	4	8.8ma, 8.8ma	마스터 마스터				12MHz								긍정적 긍정적 가장자리
MC74VHCU04DR2G	0.6100	RFQ	324	온세미	74VHCU	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74VHCU04					6	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	인버터			8ma, 8ma		2 µA	1											7NS @ 5V, 50pf										0.3V	1.7V
SN74AS805bn	-	RFQ	5427	텍사스 텍사스	74AS	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	20-DIP (0.300 ", 7.62mm)		-	74AS805					6	4.5V ~ 5.5V	20-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	20	게이트도			48MA, 48MA			2											4.3ns @ 5V, 50pf										0.8V	2V
7281L20PA	-	RFQ	4733	Renesas Electronics America Inc	7200	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)			7281				확인되지 확인되지		4.5 V ~ 5.5 v	56-tssop	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	34					비동기			33.3MHz					9k (512 x 9 x 2)							20ns	125MA	단방향	깊이, 너비	아니요	예	아니요
MM54C901J/883	65.1100	RFQ	1	로체스터 로체스터 장치, LLC	*	대부분	활동적인						54C901								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
74HC258D, 653	-	RFQ	8015	NXP USA Inc.	74HC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	멀티플렉서		74HC258						2V ~ 6V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500				7.8ma, 7.8ma								단일 단일																		4 x 2 : 1	1
74LVC2G08GM, 125-NXP	-	RFQ	3618	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						74LVC2G08								-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지				4,000
CD40161BPW	-	RFQ	3110	텍사스 텍사스	4000B	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			CD40161			위로			3 V ~ 18 v	16-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,800	이진 이진	1	4											비동기	동기	8 MHz	긍정적 긍정적 가장자리
SY100S325FC	-	RFQ	7734	마이크로 마이크로 기술	100 년대	대부분	sic에서 중단되었습니다	-	표면 표면	24-cqflatpack, Cerpack		-	100S325		비 비			1		24-cerpack	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	15								-		ECL	TTL																					혼합 혼합	단방향	6
MC74ACT138M	0.2000	RFQ	9	모토로라	74ACT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	디코더/demultiplexer		74ATT138						4.5V ~ 5.5V	16- Ooeaj	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1				24MA, 24MA								단일 단일																		1 x 3 : 8	1
SN74S09D	-	RFQ	3185	텍사스 텍사스	74S	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		오픈 오픈	74S09					4	4.75V ~ 5.25V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	그리고 그리고			-, 20ma			2											9NS @ 5V, 50pf										0.8V	2V
74LVC1G18GV-Q100H	0.1103	RFQ	3143	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74, SOT-457	demultiplexer		74LVC1G18						1.65V ~ 5.5V	6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000				32MA, 32MA								단일 단일																		1 x 1 : 2	1
74FCT244CTSOG	1.1400	RFQ	3	idt, 장치 통합 기술 in inc	74fct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74FCT244	-	3 국가				4.75V ~ 5.25V	20-	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	버퍼, 반전 비	2	4	15MA, 64MA
SN74LVT245DW	1.2500	RFQ	859	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						74LVT245								다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1
SN74AS250ADWR	-	RFQ	5222	텍사스 텍사스	74AS	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	데이터 데이터/생성기		74AS250						4.5V ~ 5.5V	24-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000				15MA, 48MA								단일 단일																		1 x 16 : 1	1
54LS32FMQB	0.9400	RFQ	3	국가 국가	54ls	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-cflatpack		-	54LS32					4	4.5V ~ 5.5V	14-cfp	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	또는 또는			400µA, 4MA		9.8 MA	2											15NS @ 5V, 50pf										0.7V	2V

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (75022)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²