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논리 (75022)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	방향	sic 프로그램 가능	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	데이터 데이터	시계 시계	전압 전압	메모리 메모리	다시 다시	타이밍	카운트 카운트	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	회로	독립 독립	지연 지연 - 시간
74LV08D, 112	0.1200	RFQ	21	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74LV08								다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LV08D, 112-954			1
74LVCH16541ADGG, 11	-	RFQ	7610	Nexperia USA Inc.	74lvch	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)			74LVCH16541	-	3 국가				1.2V ~ 3.6V	48-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	935238590112	귀 99	8542.39.0001	39	버퍼, 반전 비	2	8	24MA, 24MA
CD4099BMT	-	RFQ	2367	텍사스 텍사스	4000B	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			CD4099		기준				3V ~ 18V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	d- 타입, 타입			6.8ma, 6.8ma																								1 : 8	1	50ns
54F158ADM	2.5100	RFQ	6179	국가 국가	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	16-CDIP (0.300 ", 7.62mm)	멀티플렉서		54F158						4.5V ~ 5.5V	16-CDIP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1				20MA, 1MA						단일 단일																		4 x 2 : 1	4
SN74LVC14AQPWREP	1.8800	RFQ	2	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		슈미트 슈미트	74LVC14					6	2V ~ 3.6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	인버터			24MA, 24MA		10 µA	1									6.4ns @ 3.3v, 50pf										0.4V ~ 0.8V	2V
74AUP2G38GF, 115	-	RFQ	3167	Nexperia USA Inc.	74AUP	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-xfdfn		열린 열린	74AUP2G38					2	0.8V ~ 3.6V	8-XSON (1.35X1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	935291492115	귀 99	8542.39.0001	5,000	NAND 게이트			-, 4MA		500 NA	2									12.7ns @ 3.3v, 30pf										0.7V ~ 0.9V	1.6V ~ 2V
SN74S38DR	2.1900	RFQ	792	텍사스 텍사스	74S	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		오픈 오픈	74S38					4	4.75V ~ 5.25V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트			-, 60ma			2									9NS @ 5V, 150pf										0.8V	2V
Hef4011ubt, 653	-	RFQ	9165	NXP USA Inc.	4000B	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	HEF4011					4	3V ~ 15V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트			3MA, 3MA		4 µA	2									40ns @ 15V, 50pf										1V ~ 2.5V	4V ~ 12.5V
Cy7c421-20vxc	-	RFQ	7166	인피온 인피온	cy7c	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비)			7C421				확인되지 확인되지		4.5 V ~ 5.5 v	28-SOJ	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	27					비동기			50MHz			4.5k (512 x 9)							20ns	55MA	단방향	깊이, 너비	아니요	예	아니요
CD4029BD3	11.0000	RFQ	129	해리스 해리스	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	16-CDIP (0.300 ", 7.62mm)			CD4029			위로, 아래로			3 V ~ 18 v	16-CDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	이진 이진, 10 카운터	1	4									비동기	동기	11 MHz	긍정적 긍정적 가장자리
CD74FCT162540DTSM	1.3500	RFQ	480	해리스 해리스	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)			74FCT162540	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	48-ssop	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	버퍼, 반전	1	16	32MA, 64MA
SN74LVTH16501DGG	4.6800	RFQ	1	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						74LVTH16501								다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1
74FCT162501ATPVCT	1.0900	RFQ	101	Cypress Semiconductor Corp	74fct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	56-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)			74FCT162501					18 비트	4.5V ~ 5.5V	56-ssop	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	보편적 보편적 버스 인			24MA, 24MA
SN74ALS374ADBR	-	RFQ	8111	텍사스 텍사스	74ALS	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)	D- 타입		74ALS374		트라이 트라이, 스테이트 반전				4.5V ~ 5.5V	20-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000		1	8	2.6ma, 24ma	기준				35MHz						긍정적 긍정적 가장자리	16ns @ 5V, 50pf	19 MA
74LVC273AQ20-13	0.2154	RFQ	9950	다이오드가 다이오드가	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-vfqfn 노출 패드	D- 타입		74LVC273		비 비				1.65V ~ 3.6V	V-QFN4525-20	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500		1	8	24MA, 24MA	다시 다시				230MHz						긍정적 긍정적 가장자리	7.3ns @ 3.3v, 50pf	10 µA								4 pf
74ALVT16244DL118	1.6800	RFQ	700	NXP USA Inc.	74ALVT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)			74ALVT16244	-	3 국가				2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V	48-ssop	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1,000	버퍼, 반전 비	4	4	32MA, 64MA
9301dm	5.8400	RFQ	9165	국가 국가	9301	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	16-CDIP (0.300 ", 7.62mm)	디코더								4.5V ~ 5.5V	16-CDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1				800µA, 16MA						단일 단일																		1 x 4:10	1
SN74LV573ATDWE4	-	RFQ	7039	텍사스 텍사스	74lv	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74LV573		트라이 트라이				2V ~ 5.5V	20-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	d- 타입 투명 타입			16MA, 16MA																								8 : 8	1	1ns
SNJ54HC151FK	-	RFQ	3329	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-SNJ54HC151FK			1
MC1014P	11.6700	RFQ	1	모토로라	MC1000	대부분	활동적인	0 ° C ~ 75 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	D- 타입		MC1014		보완 보완				-	14-DIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1		2	1	-	설정 (설정 사전) 및 재설정										긍정적 긍정적 가장자리	-
74HC139DB, 112	-	RFQ	4966	Nexperia USA Inc.	74HC	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)	디코더/demultiplexer		74HC139						2V ~ 6V	16-SSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	78				5.2MA, 5.2MA						단일 단일																		1 x 2 : 4	2
74HC590PW, 112	-	RFQ	2278	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74HC590								다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HC590PW, 112-954			1
74Act174SCX	-	RFQ	8127	온세미	74ACT	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	D- 타입		74ACT174		비 비				4.5V ~ 5.5V	16-	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500		1	6	24MA, 24MA	마스터 마스터				200MHz						긍정적 긍정적 가장자리	10.5ns @ 5V, 50pf	40 µA								4.5 pf
74HCT541N, 652	-	RFQ	4860	NXP USA Inc.	74hct	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20-DIP (0.300 ", 7.62mm)			74HCT541	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	20 딥	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	18	버퍼, 반전 비	1	8	6MA, 6MA
MC74VHCT157ADR2	-	RFQ	9899	온세미	74VHCT	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	멀티플렉서		74VHCT157						4.5V ~ 5.5V	16-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500				8ma, 8ma						단일 단일																		4 x 2 : 1	1
74AHC1G06GW, 125	-	RFQ	2751	NXP USA Inc.	74AHC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353		열린 열린	74AHC1G06					1	2V ~ 5.5V	5-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터			-, 8ma		1 µA	1									7NS @ 5V, 50pf										0.5V ~ 1.65V	1.5V ~ 3.85V
SN74LVC2G04YEPR	-	RFQ	9057	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-XFBGA, DSBGA		-	74LVC2G04					2	1.65V ~ 5.5V	6-DSBGA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	인버터			32MA, 32MA		10 µA	2									3.2ns @ 5V, 50pf										0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
SN74HC259DRE4	-	RFQ	5073	텍사스 텍사스	74HC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74HC259		기준				2V ~ 6V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	d- 타입, 타입			5.2MA, 5.2MA																								1 : 8	1	13ns
JD54F161SFA	243.9900	RFQ	236	국가 국가	*	대부분	활동적인						54F161								다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받습니다	2156-JD54F161SFA-14			1
sn74aup1g00yfpr	0.2640	RFQ	3099	텍사스 텍사스	74AUP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-XFBGA, DSBGA		-	74AUP1G00					1	0.8V ~ 3.6V	6-DSBGA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	NAND 게이트			4MA, 4MA		500 NA	2									6.5ns @ 3.3v, 30pf										0.7V ~ 0.9V	1.6V ~ 2V

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (75022)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²