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논리 (75022)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	방향	sic 프로그램 가능	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	데이터 데이터	시계 시계	입력 입력	출력 출력	전압 전압	메모리 메모리	다시 다시	타이밍	카운트 카운트	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	슈미트 슈미트 입력	회로	독립 독립	지연 지연 - 시간	번역기 번역기	채널 채널	회로 회로 채널
Mc10ep58dg	-	RFQ	9620	온세미	10ep	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	멀티플렉서		10EP58						± 3V ~ 5.5V	8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	98				-								이중 이중																			1 x 2 : 1	1
SN74AS02D	2.8300	RFQ	261	텍사스 텍사스	74AS	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74AS02					4	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	50	게이트도			2MA, 20MA			2											4.5ns @ 5V, 50pf										0.8V	2V
SN74LS640N3	0.4100	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20-DIP (0.300 ", 7.62mm)			74LS640	-	3 국가				4.75V ~ 5.25V	20-PDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다	귀 99	8542.39.0001	1	트랜시버, 반전	1	8	15ma, 24ma
100302w-qmlv	464.3800	RFQ	63	국가 국가	-	대부분	활동적인		표면 표면				100302						-4.2V ~ -5.7V		다운로드				귀 99	8542.39.0001	1	/또는 게이트						10, (2, 2, 2, 2, 2, 2)
SNJ54LS592J	61.3000	RFQ	14	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						54LS592								다운로드				귀 99	8542.39.0001	1
MC10EP131FAR2	-	RFQ	7695	온세미	10ep	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-LQFP	D- 타입		MC10EP131		보완 보완				3V ~ 5.5V	32-LQFP (7x7)	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000		1	4	-	설정 (설정 사전) 및 재설정				3GHz								긍정적 긍정적 가장자리
PI3B3253LEX	0.2957	RFQ	9643	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	멀티플렉서/demultiplexer		PI3B3253						3V ~ 3.6V	16-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500				-								단일 단일																			2 x 4 : 1	1
TC74LVX174ftelm	-	RFQ	5123	Toshiba 반도체 a 저장	TC74LVX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	D- 타입		74LVX174		비 비				2V ~ 3.6V	16-TSSOP	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8542.39.0001	2,000		1	6	4MA, 4MA	마스터 마스터				95MHz								긍정적 긍정적 가장자리	12.8ns @ 3.3v, 50pf	4 µA								4 pf
74LVT16245BDL, 112	1.5900	RFQ	18	Nexperia USA Inc.	74LVT	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)			74LVT16245	-	3 국가				2.7V ~ 3.6V	48-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	31	트랜시버, 반전 비	2	8	32MA, 64MA
SN74CB3Q3345RGYR	1.1600	RFQ	1	텍사스 텍사스	74cb	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	20-vfqfn 노출 패드	버스 버스		74cb3q3345						2.3V ~ 3.6V	20-VQFN (3.5x4.5)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	3,000				-								단일 단일																			8 x 1 : 1	1
SN74AHC08DGVR	0.4700	RFQ	5695	텍사스 텍사스	74AHC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TFSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		-	74AHC08					4	2V ~ 5.5V	14-TVSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000	그리고 그리고			8ma, 8ma		2 µA	2											7.9ns @ 5V, 50pf										0.5V ~ 1.65V	1.5V ~ 3.85V
MC10H124FNR2G	8.2100	RFQ	1	온세미	10h	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 75 ° C (TA)	표면 표면	20-LCC (J-Lead)		-	10H124		미분			1		20-PLCC (9x9)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	500								-		TTL	MECL																							혼합 혼합	단방향	4
HEF4059BT, 653	-	RFQ	6027	NXP USA Inc.	4000B	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			Hef4059			아래에			4.5 V ~ 15.5 v	24-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	1,000	나누기 -n	1	16											비동기	-	20MHz	긍정적 긍정적 가장자리
AM7201-35PC	-	RFQ	8030	고급 고급 장치	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	28-DIP (0.600 ", 15.24mm)			AM7201				확인되지 확인되지		4.5 V ~ 5.5 v	28-PDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는	귀 99	8542.32.0071	1					비동기			22.2MHz					512 x 9							35ns	60ma	단방향	깊이, 너비	아니요	예	아니요
CD74HC74M	1.0200	RFQ	1	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	D- 타입		74HC74		보완 보완				2V ~ 6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	50		2	1	5.2MA, 5.2MA	설정 (설정 사전) 및 재설정				50MHz								긍정적 긍정적 가장자리	30NS @ 6V, 50pf	4 µA								10 pf
DM74ALS374SJX	-	RFQ	4660	온세미	74ALS	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	D- 타입		74ALS374		트라이 트라이, 스테이트 반전				4.5V ~ 5.5V	20-SOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000		1	8	2.6ma, 24ma	기준				35MHz								긍정적 긍정적 가장자리	16ns @ 5V, 50pf	19 MA
JM54AC257SEA-RH	266.4900	RFQ	22	국가 국가	54AC	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	16-CDIP (0.300 ", 7.62mm)	데이터 데이터/선택기								2V ~ 6V	16-CDIP	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1				24MA, 24MA								단일 단일																			4 x 2 : 1	1
sn74act04pwr	0.5700	RFQ	8	텍사스 텍사스	74ACT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		-	74Act04					6	4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000	인버터			24MA, 24MA		2 µA	1											8.5ns @ 5V, 50pf										0.8V	2V
MC100LVEP05MNTXG	11.9300	RFQ	6615	온세미	100lvep	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-vfdfn 노출 패드			100LVEP05		미분			1	2.375V ~ 3.6V	8-DFN (2x2)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	1,000	및/nand and			-			2) (1, 1)																							아니요
PI3B3253WE+CUX	0.3286	RFQ	2078	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	활동적인						PI3B3253								다운로드			영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500
SN74F157ANSR	0.6300	RFQ	7609	텍사스 텍사스	74f	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	멀티플렉서		74F157						4.5V ~ 5.5V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000				1ma, 20ma								단일 단일																			4 x 2 : 1	1
TPIC6273N	4.5100	RFQ	12	텍사스 텍사스	TPIC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	20-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TPIC6273		기준				4.5V ~ 5.5V	20-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	20	d- 타입 투명 타입			-																											8 : 8	1	625ns
Cy7c4245V-15ASXC	-	RFQ	9328	인피온 인피온	cy7c	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	64-LQFP			7C4245				확인되지 확인되지		3 V ~ 3.6 v	64-TQFP (14x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0041	160					동기			66.7MHz					72k (4k x 18)							11ns	30ma	단방향	깊이, 너비	예	예	아니요
M74HC259YRM13TR	1.1500	RFQ	4901	stmicroelectronics	자동차, AEC-Q100, 74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74HC259		기준				2V ~ 6V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500	d- 타입, 타입			5.2MA, 5.2MA																											1 : 8	1	15ns
74ABT16821ADGG, 112	-	RFQ	7172	NXP USA Inc.	74ABT	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)	D- 타입		74ABT16821		트라이 트라이, 스테이트 반전				4.5V ~ 5.5V	56-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	875		2	10	32MA, 64MA	기준				250MHz								긍정적 긍정적 가장자리	3.3ns @ 5v, 50pf	1 MA								3 pf
SN74HC151N	0.5700	RFQ	3	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)	멀티플렉서		74HC151						2V ~ 6V	16-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	25				7.8ma, 7.8ma								단일 단일																			1 x 8 : 1	1
72v3680L7-5BB	-	RFQ	4924	Renesas Electronics America Inc	72v	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	144-bga			72v3680				확인되지 확인되지		3.15 V ~ 3.45 v	144-PBGA (13x13)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0071	1					동기			133.3MHz					576k (16k x 36)							5ns	40ma	단방향	깊이, 너비	예	예	예
74LVC3G07DP, 125	0.6300	RFQ	14	Nexperia USA Inc.	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			74LVC3G07	-	열린 열린				1.65V ~ 5.5V	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	3,000	버퍼, 반전 비	3	1	-, 32MA
SN74AHC05DGVRE4	-	RFQ	8973	텍사스 텍사스	74AHC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TFSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		열린 열린	74AHC05					6	2V ~ 5.5V	14-TVSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	4,000	인버터			-, 8ma		2 µA	1											7.5ns @ 5V, 50pf										0.5V ~ 1.65V	1.5V ~ 3.85V
MC74HC1G02DFT2G	-	RFQ	6193	온세미	74HC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353		-	74HC1G02					1	2V ~ 6V	SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	3,000	게이트도			2.6MA, 2.6MA		1 µA	2											17ns @ 6v, 50pf										0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (75022)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²