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논리 (75022)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	sic 프로그램 가능	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	비트 비트	입력 입력	데이터 데이터	시계 시계	입력 입력	출력 출력	전압 전압	메모리 메모리	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	슈미트 슈미트 입력	회로	독립 독립	지연 지연 - 시간	번역기 번역기	채널 채널	회로 회로 채널	-VCCA	-VCCB	공급 공급
72831L10TF8	-	RFQ	8800	Renesas Electronics America Inc	7200	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	64-LQFP			72831			확인되지 확인되지		4.5 V ~ 5.5 v	64-TQFP (10x10)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,250					동기				100MHz					36k (2k x 9 x 2)				6.5ns	60ma	양방향	깊이, 너비	예	아니요	아니요
SN74ALVC3631-10PQ	13.1700	RFQ	2670	텍사스 텍사스	74ALVC	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	132-BQFP q			74ALVC3631			확인되지 확인되지		3 V ~ 3.6 v	132-BQFP (24.13x24.13)	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.31.0001	36					동기				100MHz					18K (512 x 36)				7.5ns	350µA	양방향	깊이, 너비	예	예	아니요
CVMEH22501AIDGVREP	5.5440	RFQ	2783	텍사스 텍사스	74VMEH	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	48-TFSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			CVMEH22501				8 듀얼 듀얼 및 및 1 비트	3.15V ~ 3.45V	48-TVSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	보편적 보편적 버스 인			12MA, 12MA; 48MA, 64MA
74Actq245SJX	-	RFQ	6207	온세미	74ACTQ	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74ACTQ245	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	20-SOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	트랜시버, 반전 비	1	8	24MA, 24MA
MC74VHC1GT126D1G	-	RFQ	3382	온세미	74VHC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5			74VHC1GT126	-	3 국가			3V ~ 5.5V	5-TSP	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	버퍼, 반전 비	1	1	8ma, 8ma
SN74LV138APW-P	-	RFQ	6397	텍사스 텍사스	74lv	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	디코더/demultiplexer							2V ~ 5.5V	16-TSSOP	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		296-SN74LV138APW-P			1				12MA, 12MA									단일 단일																1 x 3 : 8	1
SN74HC109D	1.0900	RFQ	4	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	JK 유형		74HC109		보완 보완			2V ~ 6V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	40		2	1	5.2MA, 5.2MA	설정 (설정 사전) 및 재설정					60MHz					긍정적 긍정적 가장자리	30NS @ 6V, 50pf	4 µA								3 pf
fxwa9306mux	-	RFQ	2051	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)		-	FXWA9306		열린 열린, 배수구 스테이트		1		8-MSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	4,000									-		-	-																				전압 전압	양방향	2	1 V ~ 5.5 v	1.8 V ~ 5.5 v
SN74ABT543ADBRG4	-	RFQ	3383	텍사스 텍사스	74ABT	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)			74ABT543	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	24-SSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	트랜시버, 반전 비	1	8	32MA, 64MA
54LS160ALM	4.1400	RFQ	430	국가 국가	*	대부분	활동적인						54LS160							-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
MC74Act04mg	-	RFQ	9272	온세미	74ACT	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)		-	74Act04				6	4.5V ~ 5.5V	SOEIAJ-14	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	인버터			24MA, 24MA		4 µA		1								8.5ns @ 5V, 50pf										0.8V	2V
SN74F352N	0.1900	RFQ	4	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						74F352							다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1
SN74V3670-10PEU	-	RFQ	4066	텍사스 텍사스	74V	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	128-LQFP			74V3670			확인되지 확인되지		3.15 V ~ 3.45 v	128-LQFP (20x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72					동기				100MHz					288K (8k x 36)				6.5ns	40ma	단방향	깊이, 너비	예	예	예
74F379pc	-	RFQ	9488	온세미	74f	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)	D- 타입		74F379		보완 보완			4.5V ~ 5.5V	16-PDIP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25		1	4	1ma, 20ma	기준					140MHz					긍정적 긍정적 가장자리	6.5ns @ 5V, 50pf	40 MA
SN74LS541NSR	1.4300	RFQ	8780	텍사스 텍사스	74ls	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74LS541	-	3 국가			4.75V ~ 5.25V	20- 의자	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	버퍼, 반전 비	1	8	15ma, 24ma
74HC00D, 653	0.4200	RFQ	130	Nexperia USA Inc.	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74HC00				4	2V ~ 6V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트			5.2MA, 5.2MA		40 µA		2								7NS @ 6V, 50pf										0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
7207L15J8	-	RFQ	6216	Renesas Electronics America Inc	7200	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	32-LCC (J-Lead)			7207			확인되지 확인되지		4.5 V ~ 5.5 v	32-PLCC (14x11.46)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	750					비동기				40MHz					288K (32k x 9)				15ns	120ma	단방향	깊이, 너비	아니요	예	아니요
SC63504L124	1.0600	RFQ	1	온세미	*	대부분	활동적인						SC63504							-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
74VHCT541AN	-	RFQ	2803	온세미	74VHCT	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20-DIP (0.300 ", 7.62mm)			74VHCT541	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	20-PDIP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	450	버퍼, 반전 비	1	8	8ma, 8ma
XC74WL34AASR	-	RFQ	2108	Torex t ltd	74WL	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비)			74WL34	-	3 국가			2V ~ 5.5V	8-MSOPB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	버퍼, 반전 비	3	1	8ma, 8ma
SNJ54AS245J	-	RFQ	9008	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						54AS245							다운로드					귀 99	8542.39.0001	1
MC74VHCT373ADW	-	RFQ	5179	모토로라	74VHCT	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)					트라이 트라이, 스테이트 반전			4.5V ~ 5.5V	20-	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-MC74VHCT373ADW-600066			1	d- 타입 투명 타입			8ma, 8ma																									8 : 8	1	7.7ns
DM74AS244WM	0.5700	RFQ	2	페어차일드 페어차일드	74AS	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74AS244	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	20-	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	1,080	버퍼, 반전 비	2	4	15MA, 64MA
SN74HC74ANS	0.3700	RFQ	1	텍사스 텍사스	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	D- 타입		74HC74		보완 보완			2V ~ 6V	14-	-					귀 99	8542.39.0001	1		2	1	5.2MA, 5.2MA	설정 (설정 사전) 및 재설정					85MHz					긍정적 긍정적 가장자리	26NS @ 6V, 50pf	4 µA								3 pf
DM74S153N	0.4300	RFQ	11	페어차일드 페어차일드	74S	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)	멀티플렉서		74S153					4.75V ~ 5.25V	16-PDIP	다운로드	rohs 비준수				귀 99	8542.39.0001	25				1ma, 20ma									단일 단일																2 x 4 : 1	1
IDT7201LA15SO8	-	RFQ	6768	Renesas Electronics America Inc	7200	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	28-SOIC (0.345 ", 8.77mm 너비)			7201			확인되지 확인되지		4.5 V ~ 5.5 v	28 -Soic	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	7201LA15SO8	귀 99	8542.32.0071	1,000					비동기				40MHz					4.5k (512 x 9)				15ns	80ma	단방향	깊이, 너비	아니요	예	아니요
SSTV16857DGV, 112	-	RFQ	9793	NXP USA Inc.	74SSTV	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	48-TFSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			SSTV16857						48-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	51	ddr 용 sstl_2 호환 I/O 가있는 등록 버퍼						14																														2.3V ~ 2.7V
SN74LVC1G3208YZPR	0.5300	RFQ	7079	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-XFBGA, DSBGA			74LVC1G3208		단일 단일		1	1.65V ~ 5.5V	6-DSBGA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	및/게이트 또는			32MA, 32MA				3) (2, 1)																				아니요
CD74HC4050M	1.1400	RFQ	3	텍사스 텍사스	74HC	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74HC4050	-	푸시 푸시			2V ~ 6V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	40	버퍼, 반전 비	6	1	5.2MA, 5.2MA
74ABT16245ADL112	0.5900	RFQ	816	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면				74ABT162245		3 국가			4.5V ~ 5.5V		다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	트랜시버, 반전 비	2	8

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (75022)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²