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![]() | 72v3660L7-5pfgi8 | 82.9155 | ![]() | 9139 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 72v | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 128-LQFP | 72v3660 | 확인되지 확인되지 | 3.15 V ~ 3.45 v | 128-TQFP (14x20) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 동기 | 133.3MHz | 144K (4K X 36) | 5ns | 40ma | 단방향 | 깊이, 너비 | 예 | 예 | 예 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | N74F786N, 602 | - | ![]() | 1579 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 74f | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | 74F786 | 16-DIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 25 | 버스 버스 | 4 | 4.5V ~ 5.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | 72V3660L10PF8 | - | ![]() | 3833 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 72v | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 표면 | 128-LQFP | 72v3660 | 확인되지 확인되지 | 3.15 V ~ 3.45 v | 128-TQFP (14x20) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 동기 | 100MHz | 144K (4K X 36) | 6.5ns | 40ma | 단방향 | 깊이, 너비 | 예 | 예 | 예 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74VHC9152FT | 0.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | 자동차, AEC-Q100, 74VHC | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | 74VHC9152 | 9 | 2V ~ 5.5V | 20-TSSSOPB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 인버터 | 8ma, 8ma | 4 µA | 9 | 13ns @ 5V, 50pf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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