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논리 (75022)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	sic 프로그램 가능	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	데이터 데이터	시계 시계	전압 전압	메모리 메모리	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	회로	독립 독립
nlx1g10amx1tcg	-	RFQ	6984	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-XFLGA		-	NLX1G10				1	1.65V ~ 5.5V	6- 룰가 (1.45x1)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	NAND 게이트			32MA, 32MA		1 µA	3						7NS @ 5V, 50pf										-	-
NC7ST08M5X-L22090	0.4500	RFQ	1738	온세미	일곱 일곱	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753		-	7st08				1	4.5V ~ 5.5V	SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	3,000	그리고 그리고			2MA, 2MA		1 µA	2						26ns @ 5.5v, 50pf										0.8V	2V
54LS299FM	2.5400	RFQ	165	국가 국가	54ls	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	20-cflatpack			54LS299		트라이 트라이			4.5V ~ 5.5V	20-cflatpack	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	시프트 시프트	1	8		만능인
74LVC244AG	0.1400	RFQ	35	idt, 장치 통합 기술 in inc	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)			74LVC244	-	3 국가			2.7V ~ 3.6V	20-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	버퍼, 반전 비	2	4	24MA, 24MA
74VCX38MTCX	0.1200	RFQ	12	페어차일드 페어차일드	74VCX	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		열린 열린	74VCX38				4	1.2V ~ 3.6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트			-, 24ma		20 µA	2						2.8ns @ 3.3v, 30pf										0.7V ~ 0.8V	1.6V ~ 2V
HEF4515BT, 652	-	RFQ	1456	NXP USA Inc.	4000B	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	디코더/demultiplexer		Hef45					4.5V ~ 15.5V	24-	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	30				3MA, 3MA						이중 이중															1 x 4:16	1
TC7SZ00F, LJ (CT	0.3700	RFQ	2	Toshiba 반도체 a 저장	TC7SZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753		-	7SZ00				1	1.8V ~ 5.5V	SMV	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	3,000	NAND 게이트			32MA, 32MA		2 µA	2						4.3ns @ 5V, 50pf										-	-
74LVC1G34QSE-7	0.4400	RFQ	8	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q100, 74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353			74LVC1G34	-	푸시 푸시			1.65V ~ 5.5V	SOT-353	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	버퍼, 반전 비	1	1	32MA, 32MA
SN74AHC245RKSR	0.6600	RFQ	3	텍사스 텍사스	74AHC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-vfqfn 노출 패드				-	3 국가			2V ~ 5.5V	20-VQFN (2.5x4.5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	트랜시버, 반전 비	1	8	8ma, 8ma
NC7WZ38L8X-L2185	0.1537	RFQ	1903	온세미	7wz	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-ufqfn		열린 열린	7WZ38				2	1.65V ~ 5.5V	8-uqfn (1.6x1.6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		488-NC7WZ38L8X-L22185TR	귀 99	8542.39.0001	5,000	NAND 게이트			-, 32MA		1 µA	2						3.4ns @ 5V, 50pf										-	-
74HCT1G02GW/C2125	-	RFQ	8125	NXP USA Inc.	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353		-	74HCT1G02				1	4.5V ~ 5.5V	5-TSSOP	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	3,000	게이트도			2MA, 2MA		20 µA	2						11ns @ 4.5v, 50pf										0.8V	2V
SN74LS374NE4	-	RFQ	6912	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						74LS374							다운로드					귀 99	8542.39.0001	1
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74FCT16244ATPVG8	0.7348	RFQ	5429	Renesas Electronics America Inc	74fct	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)			74FCT16244	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	48-ssop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	버퍼, 반전 비	4	4	32MA, 64MA
SN74AHC1G14Dckt	0.8900	RFQ	7	텍사스 텍사스	74AHC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353		슈미트 슈미트	74AHC1G14				1	2V ~ 5.5V	SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	인버터			8ma, 8ma		1 µA	1						10.6ns @ 5V, 50pf										0.9V ~ 1.65V	2.2V ~ 3.85V
SN74ACT74DRG4	-	RFQ	7420	텍사스 텍사스	74ACT	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	D- 타입		74Act74		보완 보완			4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500		2	1	24MA, 24MA	설정 (설정 사전) 및 재설정				210MHz			긍정적 긍정적 가장자리	11ns @ 5V, 50pf	2 µA								3 pf
74AUP1G34GN, 132	0.1846	RFQ	5605	Nexperia USA Inc.	74AUP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-xfdfn			74AUP1G34	-	푸시 푸시			0.8V ~ 3.6V	6-XSON (0.9x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000	버퍼, 반전 비	1	1	4MA, 4MA
74ac11244pwr	3.3600	RFQ	1	텍사스 텍사스	74AC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74AC11244	-	3 국가			3V ~ 5.5V	24-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	버퍼, 반전 비	2	4	24MA, 24MA
IDT723614L20PFI	-	RFQ	7885	Renesas Electronics America Inc	7200	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	120-lqfp			723614			확인되지 확인되지		4.5 V ~ 5.5 v	120-TQFP (14x14)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	723614L20PFI	귀 99	8542.32.0071	45					동기			50MHz			4.5k (64 x 36 x 2)				12ns	1MA	양방향	너비	예	아니요	아니요
74FCT162H245ATPAG8	-	RFQ	2856	Renesas Electronics America Inc	74fct	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)			74FCT162H245	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	48-tssop	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	트랜시버, 반전 비	2	8	24MA, 24MA
SN74ALS162BD	0.6600	RFQ	1	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						74ALS162							다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1
74LVC00AD/C4118	0.0900	RFQ	15	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						74LVC00							다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	2,500
CD4009UBM96G4	-	RFQ	9471	텍사스 텍사스	4000B	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	CD4009				6	3V ~ 18V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000	인버터			1.5MA, 24MA		4 µA	1						60ns @ 15V, 50pf										1V ~ 2.5V	4V ~ 12.5V
74AHCT1G06GW, 125	0.0500	RFQ	12	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						74AHCT1G06							다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000
HEF4528BP652	0.6400	RFQ	7866	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인													-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는	2156-HEF4528BP652	귀 99	8542.39.0001	1
5962-87794012A	-	RFQ	3934	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-87794012A			1
74HC374DB, 112	-	RFQ	9596	NXP USA Inc.	74HC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)	D- 타입		74HC374		트라이 트라이, 스테이트 반전			2V ~ 6V	20-ssop	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지				1		1	8	7.8ma, 7.8ma	기준				83MHz			긍정적 긍정적 가장자리	28ns @ 6v, 50pf	4 µA								3.5 pf
SN74LVC1G08YZPR	0.6200	RFQ	21	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	5-XFBGA, DSBGA		-	74LVC1G08				1	1.65V ~ 5.5V	5-DSBGA (1.4x0.9)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	그리고 그리고			32MA, 32MA		10 µA	2						4NS @ 5V, 50pf										-	-
SY100E157JC	-	RFQ	6989	마이크로 마이크로 기술	100e	대부분	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	28-LCC (J-Lead)	멀티플렉서		100E157					-4.2V ~ -5.5V	28-PLCC (11.48x11.48)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	38				-						단일 단일															1 x 2 : 1	4
PI3B3253WE+CUX	0.3286	RFQ	2078	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	활동적인						PI3B3253							다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (75022)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²