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논리 (75022)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	방향	sic 프로그램 가능	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	비트 비트	입력 입력	데이터 데이터	시계 시계	입력 입력	출력 출력	전압 전압	메모리 메모리	다시 다시	타이밍	카운트 카운트	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	슈미트 슈미트 입력	회로	독립 독립	지연 지연 - 시간	전파 전파	번역기 번역기	채널 채널	회로 회로 채널	-VCCA	-VCCB	공급 공급
MC10136P	9.4500	RFQ	312	온세미	*	대부분	활동적인						MC10136								다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1
72291L15PF	-	RFQ	6168	Renesas Electronics America Inc	7200	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	64-LQFP			72291				확인되지 확인되지		4.5 V ~ 5.5 v	64-TQFP (14x14)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	90					동기				66.7MHz					1.125m (128k x 9)							10ns	80ma	단방향	깊이, 너비	예	예	예
74FCT245CTLB	-	RFQ	1334	Renesas Electronics America Inc	74fct	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-LCC			74FCT245	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	20-LCC (8.89x8.89)	-			영향을받지 영향을받지	800-74FCT245CTLB	쓸모없는		1	트랜시버, 반전 비	1	8	15MA, 64MA
MM74HCT374SJ	-	RFQ	2569	온세미	74hct	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	D- 타입		74HCT374		트라이 트라이, 스테이트 반전				4.5V ~ 5.5V	20-SOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	38		1	8	7.2MA, 7.2MA	기준					30MHz								긍정적 긍정적 가장자리	46NS @ 5V, 150pf	8 µA								10 pf
SN74LV595APWT	0.8900	RFQ	4816	텍사스 텍사스	74lv	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74LV595		트라이 트라이				2V ~ 5.5V	16-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	시프트 시프트	1	8		일련의 일련의, 평행
74LV06AS14-13	0.4100	RFQ	4	다이오드가 다이오드가	74lv	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		열린 열린	74LV06					6	2V ~ 5.5V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	인버터			-, 12MA		20 µA		1											7.5ns @ 5V, 50pf										0.5V	1.5V
SN74LV14APWRG3	0.5700	RFQ	6101	텍사스 텍사스	74lv	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		슈미트 슈미트	74LV14					6	2V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	인버터			12MA, 12MA		20 µA		1											10.6ns @ 5V, 50pf										0.75V ~ 1.5V	1.75V ~ 3.5V
SN74LVTH125NSR	0.6600	RFQ	2554	텍사스 텍사스	74lvth	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74lvth125	-	3 국가				2.7V ~ 3.6V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	버퍼, 반전 비	4	1	32MA, 64MA
C67402N	32.3600	RFQ	275	고급 고급 장치	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	16-DIP			C67402				확인되지 확인되지		4.75 V ~ 5.25 v	16-PDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.32.0071	1					비동기				10MHz					64 x 5							45ns	180ma	단방향	너비	아니요	아니요	아니요
5962-8970101EA	21.4700	RFQ	19	해리스 해리스	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	16-CDIP (0.300 ", 7.62mm)	D- 타입		5962-8970101		보완 보완				4.5V ~ 5.5V	16-CDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1		1	4	5.2MA, 5.2MA	마스터 마스터					25MHz								긍정적 긍정적 가장자리	33ns @ 4.5v, 50pf	8 µA								10 pf
MC10H104P	-	RFQ	6969	온세미	10h	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 75 ° C	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)		4/4 n/nand 출력	MC10H104					4	-4.94V ~ -5.46V	16-PDIP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	그리고 그리고			50MA, 50MA				2											1.75ns @ -5.2v, -										-1.48V	-1.13V
CD54HC251F3A	-	RFQ	5764	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-CD54HC251F3A			1
SN74AXC1T45 디어	0.6800	RFQ	21	텍사스 텍사스	74axc	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-xfdfn		-	74AXC1T45		트라이 트라이, 스테이트 반전			1		6-x2son (1x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000									500Mbps		-	-																								전압 전압	양방향	1	0.65 V ~ 3.6 v	0.65 V ~ 3.6 v
CP82C86HS2064	2.9400	RFQ	504	인터 인터	*	대부분	활동적인						CP82C86								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는			0000.00.0000	1
sn74als666dwr	-	RFQ	1030	텍사스 텍사스	74ALS	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	24-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74ALS666		트라이 트라이				4.5V ~ 5.5V	24-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	d- 타입 투명 타입			400µA, 8mA																												8 : 8	1	6ns
SN74F27D	1.0300	RFQ	1	텍사스 텍사스	74f	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74F27					3	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	게이트도			1ma, 20ma				3											5NS @ 5V, 50pf										0.8V	2V
MC74HC163AFEL	0.1400	RFQ	4	모토로라	74HC	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74HC163			위로			2 V ~ 6 v	16- Ooeaj	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	2,000	이진 이진	1	4												동기	동기	35MHz	긍정적 긍정적 가장자리
SN74LV14ADB	-	RFQ	9254	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						74LV14								다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1
72V3670L6PFG	111.4058	RFQ	7882	Renesas Electronics America Inc	72v	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	128-LQFP			72v3670				확인되지 확인되지		3.15 V ~ 3.45 v	128-TQFP (14x20)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	36					동기				166MHz					288K (8k x 36)							4ns	40ma	단방향	깊이, 너비	예	예	예
CD4086BME4	0.4800	RFQ	690	텍사스 텍사스	4000B	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			CD4086		단일 단일			1	3V ~ 18V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	및/반전/또는 게이트			6.8ma, 6.8ma				8, (2, 2, 2, 2)																							아니요
NLV74HC14ADTG	-	RFQ	3167	온세미	자동차, AEC-Q100, 74HC	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		슈미트 슈미트	74HC14					6	2V ~ 6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	96	인버터			5.2MA, 5.2MA		1 µA		1											19NS @ 6V, 50pf										-	-
SN74LVT244BZQNR	1.3000	RFQ	12	텍사스 텍사스	74LVT	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-VFBGA			74LVT244	-	3 국가				2.7V ~ 3.6V	20 BGA Microstar Junior (4x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	버퍼, 반전 비	2	4	32MA, 64MA
PI3B3253LEX	0.2957	RFQ	9643	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	멀티플렉서/demultiplexer		PI3B3253						3V ~ 3.6V	16-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500				-									단일 단일																			2 x 4 : 1	1
CD4066BF	-	RFQ	9514	텍사스 텍사스	4000B	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-CDIP (0.300 ", 7.62mm)	양측, FET 스위치								3V ~ 18V	14-CDIP	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-CD4066BF	귀 99	8542.39.0001	1				-									이중 이중																			1 x 1 : 1	4
9111fm	9.3200	RFQ	2668	국가 국가	-	대부분	활동적인						9111								다운로드	rohs 비준수	2A (4 주)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1
7204L15JI8	-	RFQ	9889	Renesas Electronics America Inc	7200	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	32-LCC (J-Lead)			7204				확인되지 확인되지		4.5 V ~ 5.5 v	32-PLCC (14x11.46)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	750					비동기				40MHz					36k (4k x 9)							15ns	120ma	단방향	깊이, 너비	아니요	예	아니요
SY89307VMG-TR	3.7700	RFQ	8585	마이크로 마이크로 기술	Sy89	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-vfdfn 노출 패드, 8-mlf®			SY89307							8-MLF® (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	차동 차동						-																																		3V ~ 5.5V
MC100EP131MNR4G	-	RFQ	2573	온세미	100ep	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-vfqfn 노출 패드	D- 타입		MC100EP131		보완 보완				-3V ~ -5.5V	32-QFN (5x5)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000		1	4	-	설정 (설정 사전) 및 재설정					3GHz								긍정적이고 긍정적이고	-	120 MA
El5329irez	1.3400	RFQ	4	엘란 엘란	*	대부분	활동적인						EL5329								다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-EL5329IREZ-600006			1
MC74HC4538AFR2	0.3700	RFQ	8	온세미	74HC	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74HC4538						2 V ~ 6 v	16- Ooeaj	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	모노스트 모노스트			5.2MA, 5.2MA																											예		2		30 ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (75022)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²