SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 입력 입력 출력 출력 방향 sic 프로그램 가능 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 요소 요소 요소 요소 비트 당 전류 - 높음 출력, 낮음 기능 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 데이터 데이터 시계 시계 전압 전압 메모리 메모리 다시 다시 타이밍 카운트 카운트 트리거 트리거 cl 현재 -Quiescent (iq) 액세스 액세스 현재 -공급 (max) 버스 버스 확장 확장 프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한 역 역 재전송합니다 fwft 지원 입력 입력 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음 슈미트 슈미트 입력 회로 독립 독립 지연 지연 - 시간 전파 전파
MC10H158FN onsemi MC10H158FN -
RFQ
ECAD 7797 0.00000000 온세미 10h 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 75 ° C 표면 표면 20-LCC (J-Lead) 멀티플렉서 10H158 -4.94V ~ -5.46V 20-PLCC (9x9) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 46 - 단일 단일 4 x 2 : 1 1
74FCT573ATLB Renesas Electronics America Inc 74FCT573ATLB -
RFQ
ECAD 2430 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 74fct 쟁반 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 20-LCC 트라이 트라이, 스테이트 반전 4.75V ~ 5.25V 20-LCC (8.89x8.89) - 800-74FCT573ATLB 1 d- 타입 투명 타입 15MA, 48MA 8 : 8 1 -
SY10E016JC-TR Microchip Technology sy10e016jc-tr -
RFQ
ECAD 9510 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 10E 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 28-LCC (J-Lead) 10E016 위로 4.2 v ~ 5.5 v 28-PLCC (11.48x11.48) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 750 이진 이진 1 8 비동기 동기 900MHz 긍정적이고 긍정적이고
CY7C4201-15JXCT Infineon Technologies Cy7c4201-15jxct -
RFQ
ECAD 1200 0.00000000 인피온 인피온 cy7c 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 32-LCC (J-Lead) 7C4201 확인되지 확인되지 4.5 V ~ 5.5 v 32-PLCC (11.43x13.97) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 750 동기 66.7MHz 2.25K (256 x 9) 10ns 35MA 단방향 깊이, 너비 아니요 아니요
5962-8405601VDA Texas Instruments 5962-8405601VDA -
RFQ
ECAD 3509 0.00000000 텍사스 텍사스 * 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 296-5962-8405601VDA 1
72T1875L5BB Renesas Electronics America Inc 72T1875L5BB -
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ECAD 8632 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 72T 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 144-bga 72T1875 확인되지 확인되지 2.375 V ~ 2.625 v 144-PBGA (13x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1 비동기식, 동기 83MHz, 200MHz 288k (16k x 18) (32k x 9) 10ns, 3.6ns 60ma 단방향 깊이, 너비
FST3126QSC onsemi FST3126QSC -
RFQ
ECAD 8273 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 16-LSSOP (0.154 ", 3.90mm 너비) 버스 버스 FST3126 4V ~ 5.5V 16-QSOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 4,700 - 단일 단일 1 x 1 : 1 4
CD74HC4049M96G4 Texas Instruments CD74HC4049M96G4 -
RFQ
ECAD 8932 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 74HC4049 - 푸시 푸시 2V ~ 6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 버퍼, 반전 6 1 5.2MA, 5.2MA
MC74VHC1G01DTT1G onsemi MC74VHC1G01DTT1G 0.4200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 온세미 74VHC 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 열린 열린 74VHC1G01 1 2V ~ 5.5V 5-TSP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 NAND 게이트 -, 8ma 1 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
72221L15PFGI8 Renesas Electronics America Inc 72221L15pfgi8 -
RFQ
ECAD 5278 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 7200 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 32-LQFP 72221 확인되지 확인되지 4.5 V ~ 5.5 v 32-TQFP (7x7) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 동기 66.7MHz 9k (1k x 9) 10ns 35MA - - 아니요 아니요
CD4572UBNSR Texas Instruments CD4572UBNSR 0.8025
RFQ
ECAD 9279 0.00000000 텍사스 텍사스 4000B 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) CD4572 미분 6 3V ~ 18V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 NOR/NAND//게이트 6.8ma, 6.8ma 8, (1, 1, 1, 2, 2, 1, 1) 아니요
SN7417NSRG4 Texas Instruments SN7417NSRG4 -
RFQ
ECAD 1775 0.00000000 텍사스 텍사스 7400 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) SN7417 - 오픈 오픈 4.75V ~ 5.25V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 버퍼, 반전 비 6 1 -, 40ma
CD4072BM96 Texas Instruments CD4072BM96 0.5500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 텍사스 텍사스 4000B 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - CD4072 2 3V ~ 18V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 또는 또는 3.4ma, 3.4ma 1 µA 4 90ns @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
MC100E101FN onsemi MC100E101FN -
RFQ
ECAD 3056 0.00000000 온세미 100e 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 28-LCC (J-Lead) 100e101 미분 4 4.2V ~ 5.7V 28-PLCC (11.51x11.51) - rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 37 /또는 게이트 - 16, (4, 4, 4, 4) 아니요
100165DC National Semiconductor 100165DC -
RFQ
ECAD 1521 0.00000000 국가 국가 100165 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 24-CDIP 인코더 100165 -4.2V ~ -5.7V 24-CDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 - 이중 이중 1 x 8 : 4 1
AM7203A-50RC Advanced Micro Devices AM7203A-50RC 46.7000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 고급 고급 장치 - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 28-DIP (0.300 ", 7.62mm) AM7203A 확인되지 확인되지 4.5 V ~ 5.5 v 28-PDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.32.0071 1 비동기 15.3MHz 18k (2k x 9) 50ns 60ma 단방향 깊이, 너비 아니요 아니요
CD74HC40103M Texas Instruments CD74HC40103M 1.5700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 74HC40103 아래에 2 V ~ 6 v 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 40 이진 이진 1 8 비동기 동기 18 MHz 긍정적 긍정적 가장자리
SN74AHCT245PWR-P Texas Instruments SN74AHCT245PWR-P -
RFQ
ECAD 1103 0.00000000 텍사스 텍사스 74AHCT 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 3 국가 4.5V ~ 5.5V 20-tssop 다운로드 Rohs3 준수 296-SN74AHCT245PWR-P 1 트랜시버, 반전 비 1 8 8ma, 8ma
SNJ54AC00J Texas Instruments snj54ac00j 9.8800
RFQ
ECAD 384 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 54AC00 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1
5962-9557401QDA Texas Instruments 5962-9557401QDA -
RFQ
ECAD 3198 0.00000000 텍사스 텍사스 * 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 296-5962-9557401QDA 귀 99 8542.39.0001 1
5962-9227102MXA Renesas Electronics America Inc 5962-9227102MXA 44.9397
RFQ
ECAD 4820 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-cflatpack 5962-9227102 - 3 국가 4.5V ~ 5.5V 48-cerpack 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 800-5962-9227102MXA 15 버퍼, 반전 비 4 4 32MA, 64MA
PI74ST1G126CEX Diodes Incorporated PI74ST1G126CEX -
RFQ
ECAD 6443 0.00000000 다이오드가 다이오드가 74st 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 74ST1G126 - 3 국가 1.8V ~ 3.6V SC-70-5 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 버퍼, 반전 비 1 1 24MA, 24MA
SN74HCT541DBR Texas Instruments SN74HCT541DBR 0.6900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 74hct 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) 74HCT541 - 3 국가 4.5V ~ 5.5V 20-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 버퍼, 반전 비 1 8 6MA, 6MA
MM74HC4538M-G Rochester Electronics, LLC MM74HC4538M-G 11.6300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 로체스터 로체스터 장치, LLC 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 74HC4538 2 V ~ 6 v 16- - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 모노스트 모노스트 5.2MA, 5.2MA 2 26 ns
CD4013BCM onsemi CD4013BCM -
RFQ
ECAD 4349 0.00000000 온세미 4000B 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) D- 타입 CD4013 보완 보완 3V ~ 15V 14 -Soic 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 55 2 1 8.8ma, 8.8ma 설정 (설정 사전) 및 재설정 15.5MHz 긍정적 긍정적 가장자리 120ns @ 15V, 50pf 4 µA 5 pf
LTC6993CS6-4#TRMPBF Analog Devices Inc. LTC6993CS6-4#TRMPBF 4.8300
RFQ
ECAD 3194 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. LTC®6993 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 LTC6993 2.25 V ~ 5.5 v TSOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 모노스트 모노스트 16MA, 16MA 아니요 1 11 ns
74LVTH245MTCX onsemi 74LVTH245MTCX 2.1400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 74lvth 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 74LVTH245 - 3 국가 2.7V ~ 3.6V 20-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 트랜시버, 반전 비 1 8 32MA, 64MA
SN7406NS Texas Instruments SN7406NS -
RFQ
ECAD 5033 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 오픈 오픈 6 4.75V ~ 5.25V 14- - Rohs3 준수 1 (무제한) 296-SN7406NS 귀 99 8542.39.0001 1 인버터 51 MA 6 23ns @ 5v, 15pf 0.8V 2V
74AHC1G126GF,132 NXP USA Inc. 74AHC1G126GF, 132 -
RFQ
ECAD 4201 0.00000000 NXP USA Inc. 74AHC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 74AHC1G126 - 3 국가 2V ~ 5.5V 6- Xson (1x1) 다운로드 0000.00.0000 1 버퍼, 반전 비 1 1 8ma, 8ma
67C4023-10N Advanced Micro Devices 67C4023-10N 41.7000
RFQ
ECAD 24 0.00000000 고급 고급 장치 - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 20 딥 67C4023 확인되지 확인되지 4.5 V ~ 5.5 v 20-PDIP 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.32.0071 1 비동기 10MHz 64 x 5 - 35MA 단방향 깊이, 너비 아니요 아니요 아니요
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고