RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

논리 (75022)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	sic 프로그램 가능	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	데이터 데이터	시계 시계	입력 입력	출력 출력	메모리 메모리	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	회로	독립 독립	지연 지연 - 시간	번역기 번역기	채널 채널	회로 회로 채널
SNJ54AHC373W	-	RFQ	5822	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-SNJ54AHC373W			1
SN74AHC00MDREP	0.9300	RFQ	6341	텍사스 텍사스	74AHC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74AHC00				4	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트			8ma, 8ma		2 µA	2							7.5ns @ 5V, 50pf										0.5V ~ 1.65V	1.5V ~ 3.85V
MM74HC174N	-	RFQ	7565	온세미	74HC	튜브	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)	D- 타입		74HC174		비 비			2V ~ 6V	16-PDIP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	MM74HC174N-NDR	귀 99	8542.39.0001	25		1	6	5.2MA, 5.2MA	마스터 마스터				31MHz				긍정적 긍정적 가장자리	28ns @ 6v, 50pf	8 µA								5 pf
SN72548N	0.6300	RFQ	900	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인						SN725							-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.31.0001	775
72v215L20pf8	-	RFQ	9453	Renesas Electronics America Inc	72v	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	64-LQFP			72v215			확인되지 확인되지		3 V ~ 3.6 v	64-TQFP (14x14)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	750					동기			50MHz				9k (512 x 18)				12ns	30ma	단방향	깊이, 너비	예	아니요	예
7205L35J	-	RFQ	8017	Renesas Electronics America Inc	7200	튜브	쓸모 쓸모	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	32-LCC (J-Lead)			7205			확인되지 확인되지		4.5 V ~ 5.5 v	32-PLCC (14x11.46)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	32					비동기			22.22MHz				72k (8k x 9)				35ns	120ma	단방향	깊이, 너비	아니요	예	아니요
SN54LS151J	-	RFQ	3375	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인													-					귀 99	8542.39.0001	1
SN74ABTR2245N	-	RFQ	6213	텍사스 텍사스	74ABTR	튜브	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20-DIP (0.300 ", 7.62mm)			74ABTR2245	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	20-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,200	트랜시버, 반전 비	1	8	12MA, 12MA
74AHCT00BQ-Q100X	0.1300	RFQ	2	NXP USA Inc.	74AHCT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-vfqfn 노출 패드		-	74AHCT00				4	4.5V ~ 5.5V	14-dhvqfn (2.5x3)	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	NAND 게이트			8ma, 8ma		2 µA	2							7.9ns @ 5V, 50pf										0.8V	2V
74ALVC74PW, 112	-	RFQ	3153	NXP USA Inc.	74ALVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	D- 타입		74ALVC74		보완 보완			1.65V ~ 3.6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,400		2	1	24MA, 24MA	설정 (설정 사전) 및 재설정				425 MHz				긍정적 긍정적 가장자리	3.8ns @ 3.3v, 50pf	10 µA								3.5 pf
SN74AS763N	2.8900	RFQ	765	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						74AS763							다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1
SN54AC02VTD1	306.0285	RFQ	5581	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-	-	주사위		-	54AC02				4	1.5V ~ 5.5V	주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	게이트도			-			2							-										-	-
SN74LVTH245AMDBREP	1.7415	RFQ	1265	텍사스 텍사스	74lvth	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)			74LVTH245	-	3 국가			2.7V ~ 3.6V	20-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	트랜시버, 반전 비	1	8	32MA, 64MA
74ALVC16244DL, 112	0.6800	RFQ	1	NXP USA Inc.	74ALVC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)			74ALVC16244	-	3 국가			1.2V ~ 3.6V	48-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	버퍼, 반전 비	4	4	24MA, 24MA
74LVCH162373ADL, 112	0.4400	RFQ	10	NXP USA Inc.	74lvch	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)			74LVCH162373		트라이 트라이			1.2V ~ 3.6V	48-ssop	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	d- 타입 투명 타입			12MA, 12MA																						8 : 8	2	3.3ns
Sn74Act7204L20RJ	10.1400	RFQ	1	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						74ACT7204			확인되지 확인되지				다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.32.0071	1
74HCT374D, 653	0.1900	RFQ	14	nxp 반도체	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	D- 타입		74HCT374		트라이 트라이, 스테이트 반전			4.5V ~ 5.5V	20- 의자	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT374D, 653-954			1		1	8	6MA, 6MA	기준				44 MHz				긍정적 긍정적 가장자리	32ns @ 4.5v, 50pf	4 µA								3.5 pf
MC100H680FNG	-	RFQ	4516	온세미	100h	튜브	쓸모 쓸모	0 ° C ~ 75 ° C (TA)	표면 표면	28-LCC (J-Lead)		-	100H680		차동, 끝 단일		1		28-PLCC (11.51x11.51)	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	37								-		ECL	TTL																		혼합 혼합	양방향	4
IH5012CDE	121.3300	RFQ	197	로체스터 로체스터 장치, LLC	*	대부분	활동적인													-	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
MC74AC132M	0.3300	RFQ	1	모토로라	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)		슈미트 슈미트	74AC132				4	2V ~ 6V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	NAND 게이트			24MA, 24MA		4 µA	2							9NS @ 5V, 50pf										0.5V ~ 1.1V	2.2V ~ 3.9V
74AHC1GU04GW-Q100125	-	RFQ	3925	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						74AHC1GU04							다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	3,000
74FCT573KASO	-	RFQ	9416	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인						74FCT573							-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1
NC7SZ05P5X	1.0000	RFQ	6319	페어차일드 페어차일드	7SZ	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353		열린 열린	7SZ05				1	1.65V ~ 5.5V	SC-70-5	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	인버터			-, 32MA		2 µA	1							4.3ns @ 5V, 50pf										-	-
CAHCT1G32QDCKRQ1	0.4600	RFQ	8613	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100, 74AHCT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353		-	74AHCT1G32				1	4.5V ~ 5.5V	SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	또는 또는			8ma, 8ma		1 µA	2							7.9ns @ 5V, 50pf										0.8V	2V
CD74HC86E	0.3100	RFQ	19	해리스 해리스	74HC	튜브	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)		-	74HC86				4	2V ~ 6V	14-PDIP	다운로드	rohs 비준수				귀 99	8542.39.0001	25	xor (또는 독점)			5.2MA, 5.2MA		2 µA	2							20ns @ 6v, 50pf										0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
5962-8974501EA	14.8600	RFQ	71	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						5962-8974501							다운로드					귀 99	8542.39.0001	1
sn74act08idrep	1.1760	RFQ	5943	텍사스 텍사스	74ACT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74Act08				4	4.5V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	그리고 그리고			24MA, 24MA		2 µA	2							9NS @ 5V, 50pf										0.8V	2V
MM74HCT14N	0.3400	RFQ	6	페어차일드 페어차일드	74hct	튜브	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)		슈미트 슈미트	74HCT14				6	4.5V ~ 5.5V	14-DIP	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	500	인버터			4.8ma, 4.8ma		1 µA	1							20NS @ 5V, 50pf										0.5V ~ 0.6V	1.9V ~ 2.1V
72V811L20TF8	-	RFQ	5534	Renesas Electronics America Inc	72v	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	64-LQFP			72v811			확인되지 확인되지		3 V ~ 3.6 v	64-TQFP (10x10)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,250					동기			50MHz				9k (512 x 9 x 2)				12ns	40ma	양방향	깊이, 너비	예	아니요	아니요
V62/04712-02ZA	-	RFQ	2976	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모						V62/04712							-	Rohs3 준수			296-v62/04712-02Zatr	귀 99	8542.39.0001	2,000

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (75022)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²