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논리 (75022)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	방향	sic 프로그램 가능	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	데이터 데이터	시계 시계	입력 입력	출력 출력	전압 전압	메모리 메모리	다시 다시	타이밍	카운트 카운트	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	회로	독립 독립	번역기 번역기	채널 채널	회로 회로 채널	-VCCA	-VCCB
IDT74FCT273TPY	-	RFQ	3301	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)	D- 타입		74FCT273		비 비				4.75V ~ 5.25V	20-ssop	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1		1	8	15MA, 48MA	마스터 마스터												긍정적 긍정적 가장자리	-	1 MA								6 pf
TMC2111AB2C	4.9900	RFQ	626	페어차일드 페어차일드	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	24-CDIP (0.300 ", 7.62mm)			TMC2111		-				4.75V ~ 5.25V	24-cerdip	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	시프트 시프트	1	16		-
74AHC2G00DP, 125	-	RFQ	7862	NXP USA Inc.	74AHC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)		-	74AHC2G00					2	2V ~ 5.5V	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	NAND 게이트			8ma, 8ma		10 µA	2											7.5ns @ 5V, 50pf										0.5V ~ 1.65V	1.5V ~ 3.85V
40244f	0.5400	RFQ	8807	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	활동적인						40244								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는				1
74LVX74SJX	0.1900	RFQ	56	페어차일드 페어차일드	74lvx	대부분	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	D- 타입		74LVX74		보완 보완				2V ~ 3.6V	14-SOP	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	2,000		2	1	4MA, 4MA	설정 (설정 사전) 및 재설정				85MHz								긍정적 긍정적 가장자리	13.2ns @ 3.3v, 50pf	2 µA								4 pf
4731BDC	22.4600	RFQ	91	국가 국가	4731B	대부분	활동적인	-	구멍을 구멍을	14-CDIP			4731		비 비				4.5V ~ 12.5V	14-CDIP	다운로드	rohs 비준수	2A (4 주)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	시프트 시프트	4	64		일련의 일련의
SNJ54ACT11074FK	5.5700	RFQ	210	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						54ACT11074								다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1
74HCT4020D, 652	0.2600	RFQ	18	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74HCT4020								다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT4020D, 652-954			1
74LVCH2T45GT, 115	0.6400	RFQ	131	Nexperia USA Inc.	74lvch	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-xfdfn		-	74LVCH2T45		트라이 트라이, 스테이트 반전			1		8-Xson, SOT833-1 (1.95x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000								420Mbps		-	-																					전압 전압	양방향	2	1.2 v ~ 5.5 v	1.2 v ~ 5.5 v
CD54HC166F3A	-	RFQ	7742	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인														-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-CD54HC166F3A			1
MC74ACT574ML1	0.1900	RFQ	6	온세미	*	대부분	활동적인						74ACT574								다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1,000
72205LB15TFI8	-	RFQ	5117	Renesas Electronics America Inc	7200	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	64-LQFP			72205				확인되지 확인되지		4.5 V ~ 5.5 v	64-TQFP (10x10)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	500					동기			66.7MHz					4.5k (256 x 18)							10ns	60ma	단방향	깊이, 너비	예	아니요	아니요
74ALVCH162244PAG	1.8600	RFQ	14	idt, 장치 통합 기술 in inc	74ALVCH	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)			74ALVCH162244	-	3 국가				2.7V ~ 3.6V	48-tssop	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	버퍼, 반전 비	4	4	12MA, 12MA
74HCT125D, 652	0.1200	RFQ	9490	nxp 반도체	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74HCT125	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	14-	다운로드			영향을받지 영향을받지	2156-74HCT125D, 652-954			1	버퍼, 반전 비	4	1	6MA, 6MA
74HCT153dB, 112	0.3400	RFQ	2	NXP USA Inc.	74hct	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)	멀티플렉서		74HCT153						4.5V ~ 5.5V	16-SSOP	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,092				4MA, 4MA								단일 단일																		2 x 4 : 1	1
IDT723612L15PQF	-	RFQ	4206	Renesas Electronics America Inc	7200	쟁반	쓸모 쓸모	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	132-BQFP q			723612				확인되지 확인되지		4.5 V ~ 5.5 v	132-PQFP (24.13x24.13)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	723612L15PQF	귀 99	8542.32.0071	36					동기			66.7MHz					4.5k (64 x 36 x 2)							10ns	1MA	양방향	너비	예	아니요	아니요
72420L15TP	-	RFQ	6093	Renesas Electronics America Inc	7200	튜브	쓸모 쓸모	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	28-DIP (0.300 ", 7.62mm)			72420				확인되지 확인되지		4.5 V ~ 5.5 v	28-PDIP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	14					동기			66.7MHz					512 (64 x 8)							10ns	40ma	단방향	깊이, 너비	아니요	아니요	아니요
CD54HCT4020F	1.1100	RFQ	7810	해리스 해리스	54hct	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	16-CDIP (0.300 ", 7.62mm)			54HCT4020			위로			4.5 V ~ 5.5 v	16-CDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	이진 이진	1	14											비동기	-	25MHz	부정적인 부정적인
5430dm	-	RFQ	4635	국가 국가	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-CDIP (0.300 ", 7.62mm)		-	5430					1	4.5V ~ 5.5V	14-cerdip	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	NAND 게이트			400µA, 16MA		6 MA	8											22ns @ 5V, 15pf										0.8V	2V
74HC273FPDV-E	0.8500	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)			D- 타입		74HC273		비 비				2V ~ 6V		-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1		1	8	5.2MA, 5.2MA	마스터 마스터				122 MHz								긍정적 긍정적 가장자리	26NS @ 6V, 50pf	8 µA								3.5 pf
QS72231-15JR	13.3700	RFQ	752	품질 품질	-	대부분	쓸모 쓸모	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	-			QS72231				확인되지 확인되지			-	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.32.0071	1					동기			-					18k (2k x 9)							10ns	-	-	-	예	아니요	아니요
M74VHC1GT66D	-	RFQ	8721	온세미	*	대부분	활동적인														-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	3,000
QS74FCT2543ATSOX	0.7200	RFQ	2	품질 품질	*	대부분	활동적인						74FCT2543								다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1
72V255LA10TFI	-	RFQ	2996	Renesas Electronics America Inc	72v	쟁반	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	64-LQFP									3 V ~ 3.6 v	64-TQFP (10x10)	-				800-72V255LA10TFI			1					동기			100MHz					8k x 18							6.5ns	55MA	단방향	깊이, 너비	예	예	예
MC74LCX08SD	0.1400	RFQ	8798	온세미	*	대부분	활동적인						74LCX08								다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1
SNJ54HC173FK	-	RFQ	1680	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						54HC173								다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1
74LVC109AXTDC	0.1400	RFQ	9	idt, 장치 통합 기술 in inc	*	대부분	쓸모 쓸모						74LVC109								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1
72V36110L7-5BBI8	-	RFQ	4044	Renesas Electronics America Inc	72v	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	144-bga			72v36110				확인되지 확인되지		3.15 V ~ 3.45 v	144-PBGA (13x13)	-				800-72V36110L7-5BBI8TR	쓸모없는		1,000					비동기식, 동기			133.3MHz					4.5m (128k x 36)							5ns	40ma	단방향	깊이, 너비	예	예	예
74FCT574PC	2.7200	RFQ	4	국가 국가	74fct	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20-DIP (0.300 ", 7.62mm)	D- 타입		74FCT574		트라이 트라이, 스테이트 반전				4.75V ~ 5.25V	20-PDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1		1	8	15MA, 48MA	기준												긍정적 긍정적 가장자리	6.6ns @ 5V, 50pf	40 µA								6 pf
72V36110L7-5BCY8	-	RFQ	7800	Renesas Electronics America Inc	72v	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	-	-			72v36110				확인되지 확인되지		3.15 V ~ 3.45 v	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	800-72V36110L7-5BCY8TR			1,000					비동기식, 동기			133.3MHz					4.5m (128k x 36)							5ns	40ma	단방향	깊이, 너비	예	예	예

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (75022)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²