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논리 (75022)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	방향	sic 프로그램 가능	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	비트 비트	입력 입력	데이터 데이터	시계 시계	입력 입력	출력 출력	전압 전압	메모리 메모리	다시 다시	타이밍	카운트 카운트	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	액세스 액세스	현재 -공급 (max)	버스 버스	확장 확장	프로그래밍 프로그래밍 플래그 가능한	역 역 재전송합니다	fwft 지원	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	회로	독립 독립	번역기 번역기	채널 채널	회로 회로 채널	공급 공급
74LVCH8T245PW-Q10J	1.4100	RFQ	6	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 74LVCH	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	24-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74LVCH8T245	-	3 국가				1.2V ~ 5.5V	24-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	번역 번역	2	8	32MA, 32MA
MC74LCX374DTR2	-	RFQ	5910	온세미	74lcx	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	D- 타입		74LCX374		트라이 트라이, 스테이트 반전				2V ~ 3.6V	20-tssop	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500		1	8	24MA, 24MA	기준					150MHz								긍정적 긍정적 가장자리	8.5ns @ 3.3v, 50pf	10 µA								7 pf
SN74HC14IPWRSV	-	RFQ	4602	텍사스 텍사스	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		슈미트 슈미트						6	2V ~ 6V	14-tssop	-	Rohs3 준수			296-SN74HC14IPWRSV			1	인버터			5.2MA, 5.2MA		2 µA		6											21ns @ 6v, 50pf										1V ~ 3.2V	1.5V ~ 4.2V
Snj54Act245J	-	RFQ	9377	텍사스 텍사스	54ACT	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20-CDIP (0.300 ", 7.62mm)			54ACT245	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	20-cdip	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	트랜시버, 반전 비	1	8	24MA, 24MA
sy10el16vbzg	-	RFQ	5326	마이크로 마이크로 기술	10EL	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			10el16							8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	95	차동 차동						1																													3.3V, 5V
JM38510/37202B2A	-	RFQ	6908	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-JM38510/37202B2A	귀 99	8542.39.0001	1
74LVC1G19GW-Q100125	-	RFQ	2958	nxp 반도체	자동차, AEC-Q100, 74LVC	대부분	활동적인						74LVC1G19								다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1G19GW-Q100125-954			1
AM26S10SC	4.4000	RFQ	651	고급 고급 장치	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			AM26S10	-	열린 열린				4.75V ~ 5.25V	16- 형의 행위	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	트랜시버, 반전	1	4	1ma, 20ma
DM54LS368W/883	2.7900	RFQ	113	국가 국가	-	대부분	활동적인						54LS368								다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1
72825LB15pf8	-	RFQ	7416	Renesas Electronics America Inc	7200	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	128-LQFP			72825				확인되지 확인되지		4.5 V ~ 5.5 v	128-TQFP (14x20)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,000					동기				66.7MHz					36k (1k x 18 x 2)							10ns	100ma	양방향	깊이, 너비	예	아니요	예
SN74CB3Q16211GQLR	-	RFQ	2578	텍사스 텍사스	74cb	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	56-VFBGA	버스 버스		74CB3Q16211						2.3V ~ 3.6V	56-BGA Microstar Junior (7x4.5)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000				-									단일 단일																		12 x 1 : 1	2
NC7SU04L6X	0.1400	RFQ	194	페어차일드 페어차일드	7SU	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-ufdfn		-	7SU04					1	2V ~ 6V	6 마이크로 팩	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	인버터			2.6MA, 2.6MA		1 µA		1											17ns @ 6v, 50pf										0.3V ~ 1.2V	1.7V ~ 4.8V
74LVC1G32GW, 125	-	RFQ	2498	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인						74LVC1G32								다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1G32GW, 125-954			1
9097fm	9.2200	RFQ	322	국가 국가	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-cflatpack	JK 유형		9097		보완 보완				4.5V ~ 5.5V	14CERPACK	다운로드	rohs 비준수	2A (4 주)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1		2	1	540µa, 13.6ma	-													부정적인 부정적인	-	32 MA
SN74CBTLV3125PW	1.2900	RFQ	12	텍사스 텍사스	74CBTLV	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	버스 버스		74CBTLV3125						2.3V ~ 3.6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	90				-									단일 단일																		1 x 1 : 1	4
74LVC1G08QW5-7	0.4200	RFQ	32	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q100, 74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	SC-74A, SOT-753		-	74LVC1G08					1	1.65V ~ 5.5V	SOT-25	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	그리고 그리고			32MA, 32MA		4 µA		2											5.5ns @ 5V, 50pf										0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
74AUP1G17GF, 132	-	RFQ	3767	nxp 반도체	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-xfdfn				-	푸시 푸시				0.8V ~ 3.6V	6- Xson (1x1)	-				2156-74AUP1G17GF, 132			1	버퍼, 반전 비	1	1	4MA, 4MA
MC74HC74ADT	-	RFQ	7167	온세미	74HC	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	D- 타입		74HC74		보완 보완				2V ~ 6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1		2	1	5.2MA, 5.2MA	설정 (설정 사전) 및 재설정					35MHz								긍정적 긍정적 가장자리	17ns @ 6v, 50pf	2 µA								10 pf
MC74HC165AFR1	0.1500	RFQ	12	온세미	74HC	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			74HC165		보완 보완				2V ~ 6V	16- Ooeaj	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	시프트 시프트	1	8		평행 평행 일련의 또는
SN74HC74QDRG4VS	-	RFQ	4365	텍사스 텍사스	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	D- 타입				보완 보완				2V ~ 6V	14 -Soic	-	Rohs3 준수			296-SN74HC74QDRG4VS			1		2	1	5.2MA, 5.2MA	설정 (설정 사전) 및 재설정					60MHz								긍정적 긍정적 가장자리	30NS @ 6V, 50pf	4 µA								3 pf
IDT72T20128L10BB	-	RFQ	4785	Renesas Electronics America Inc	72T	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	208-bga			72T20128				확인되지 확인되지		2.375 V ~ 2.625 v	208-PBGA (17x17)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	72T20128L10BB	귀 99	8542.32.0071	1					동기				100MHz					5m (256k x 20) (512k x 10)							4.5ns	60ma	단방향	깊이, 너비	예	예	예
MC74ACT163NG	-	RFQ	7088	온세미	74ACT	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)			74ATT163			위로			4.5 V ~ 5.5 v	16-PDIP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	500	이진 이진	1	4												동기	동기	140MHz	긍정적 긍정적 가장자리
74ATT11478DW	1.2500	RFQ	893	텍사스 텍사스	74ACT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74ATT11478	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	28 -Soic	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1	트랜시버, 반전 비	1	8	24MA, 24MA
74Actq244QSC	-	RFQ	4907	온세미	74ACTQ	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-LSSOP (0.154 ", 3.90mm 너비)			74ACTQ244	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	20-QSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	54	버퍼, 반전 비	2	4	24MA, 24MA
SY10H602JC-TR	-	RFQ	1848	마이크로 마이크로 기술	10h	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	28-LCC (J-Lead)		-	10H602		비 비			1		28-PLCC (11.48x11.48)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	750									-		TTL	ECL																					혼합 혼합	단방향	9
74AHCT245PW, 112	-	RFQ	5731	Nexperia USA Inc.	74AHCT	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74AHCT245	-	3 국가				4.5V ~ 5.5V	20-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	75	트랜시버, 반전 비	1	8	8ma, 8ma
74FCT245ATPYG	1.1400	RFQ	17	idt, 장치 통합 기술 in inc	74fct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)			74FCT245	-	3 국가				4.75V ~ 5.25V	20-ssop	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	트랜시버, 반전 비	1	8	15MA, 64MA
SN74BCT25642NTE4	-	RFQ	9271	텍사스 텍사스	74bct	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	구멍을 구멍을	24-DIP (0.300 ", 7.62mm)			74BCT25642						4.5V ~ 5.5V	24-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	15	트랜시버, 반전	1	8	-, 188ma; 3ma, 24ma
CP82C86HS2064	2.9400	RFQ	504	인터 인터	*	대부분	활동적인						CP82C86								-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는			0000.00.0000	1
JM38510/07402BDA	-	RFQ	1504	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인														-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-JM38510/07402BDA			1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (75022)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²