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논리 (75022)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	방향	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	비트 비트	입력 입력	시계 시계	전압 전압	다시 다시	타이밍	카운트 카운트	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	회로	독립 독립	지연 지연 - 시간
74HCT154PW, 112	0.3800	RFQ	2	nxp 반도체	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	24-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	디코더/demultiplexer		74HCT154					4.5V ~ 5.5V	24-TSSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT154PW, 112-954			1				4MA, 4MA						단일 단일										1 x 4:16	1
nlu2g07amx1tcg	-	RFQ	1644	온세미	Minigate ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-XFLGA			NLU2G07	-	열린 열린			1.65V ~ 5.5V	6- 룰가 (1.45x1)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	버퍼, 반전 비	2	1	-, 8ma
74ALVCH162525GRG4	-	RFQ	7903	텍사스 텍사스	74ALVCH	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)			74ALVCH162525				18 비트	1.65V ~ 3.6V	56-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	Universal Bus Transceiver, CMOS			24MA, 24MA; 12MA, 12MA
5497dm	-	RFQ	4940	국가 국가	-	대부분	활동적인		구멍을 구멍을	16-CDIP (0.300 ", 7.62mm)			5497						16-CDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	이진 이진 승수						-
SN74AHC132DR	0.4900	RFQ	6	텍사스 텍사스	74AHC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		슈미트 슈미트	74AHC132				4	2V ~ 5.5V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	NAND 게이트			8ma, 8ma		2 µA		2							9.7ns @ 5V, 50pf			0.9V ~ 1.65V	2.2V ~ 3.85V
74VHC541MX	-	RFQ	5543	온세미	74VHC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74VHC541	-	3 국가			2V ~ 5.5V	20-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	버퍼, 반전 비	1	8	8ma, 8ma
CD74FCT245M	3.2448	RFQ	8802	텍사스 텍사스	74fct	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74FCT245	-	3 국가			4.75V ~ 5.25V	20-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	트랜시버, 반전 비	1	8	15MA, 64MA
SY100EP58VZG-TR	-	RFQ	4802	마이크로 마이크로 기술	100ep	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	멀티플렉서		100ep58					3V ~ 5.5V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000				-						이중 이중										1 x 2 : 1	1
74LVC2G32GF, 115	0.6500	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	74LVC	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-xfdfn		-	74LVC2G32				2	1.65V ~ 5.5V	8-XSON (1.35X1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000	또는 또는			32MA, 32MA		4 µA		2							3.2ns @ 5V, 50pf			0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
SN74AUP1G04DSF2	0.5700	RFQ	691	텍사스 텍사스	74AUP	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-xfdfn		-	74AUP1G04				1	0.8V ~ 3.6V	6) (1x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000	인버터			4MA, 4MA		500 NA		1							5.4ns @ 3.3v, 30pf			0.7V ~ 0.9V	1.6V ~ 2V
SN74ABT16244DLR	0.8265	RFQ	7454	텍사스 텍사스	74ABT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)			74ABT162244	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	48-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	버퍼, 반전 비	4	4	12MA, 12MA
CD4059AE	-	RFQ	6594	텍사스 텍사스	4000	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	24-DIP (0.600 ", 15.24mm)			CD4059			아래에		3 V ~ 12 v	24-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	15	나누기 -n	1	16								비동기	-	12MHz	긍정적 긍정적 가장자리
FAGD16556ECLBA	20.0000	RFQ	100	인텔	*	대부분	활동적인													-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는			0000.00.0000	1
74CBTLV3253PWRG4	-	RFQ	5928	텍사스 텍사스	74CBTLV	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	멀티플렉서/demultiplexer		74CBTLV3253					2.3V ~ 3.6V	16-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000				-						단일 단일										2 x 4 : 1	1
74Act153Scx	-	RFQ	4354	온세미	74ACT	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	멀티플렉서		74ATT153					4.5V ~ 5.5V	16-	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500				24MA, 24MA						단일 단일										2 x 4 : 1	1
SN74LVC1G10DSFR	0.5000	RFQ	7	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn		-	74LVC1G10				1	1.65V ~ 5.5V	6) (1x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	5,000	NAND 게이트			32MA, 32MA		10 µA		3							3.6ns @ 5V, 50pf			0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
74LVT16374MEA	-	RFQ	4098	온세미	74LVT	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)	D- 타입		74LVT16374		트라이 트라이, 스테이트 반전			2.7V ~ 3.6V	48-ssop	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	29		2	8	32MA, 64MA	기준				160MHz					긍정적 긍정적 가장자리	4.5ns @ 3.3v, 50pf	190 µA	4 pf
HEF4059BP, 652	-	RFQ	7240	NXP USA Inc.	4000B	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	24-DIP (0.600 ", 15.24mm)			Hef4059			아래에		4.5 V ~ 15.5 v	24-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	15	나누기 -n	1	16								비동기	-	20MHz	긍정적 긍정적 가장자리
74HCT245PW, 112	-	RFQ	4487	Nexperia USA Inc.	74hct	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74HCT245	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	20-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	75	트랜시버, 반전 비	1	8	6MA, 6MA
74LVC138AD-Q100J	0.5600	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	디코더/demultiplexer		74LVC138					1.2V ~ 3.6V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500				24MA, 24MA						단일 단일										1 x 3 : 8	1
74HC259BQ-Q100,115	0.2215	RFQ	3244	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-vfqfn 노출 패드			74HC259		기준			2V ~ 6V	16-DHVQFN (2.5x3.5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	d- 타입, 타입			5.2MA, 5.2MA																1 : 8	1	17ns
74FCT377ATSOG	0.2900	RFQ	3	idt, 장치 통합 기술 in inc	74fct	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	D- 타입		74FCT377		비 비			4.5V ~ 5.5V	20-	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8542.39.0001	37		1	8	12MA, 48MA	설정 (설정 사전) 및 재설정									긍정적 긍정적 가장자리	7.2ns @ 5V, 50pf	1 MA	6 pf
MC74ACT125DTR2	-	RFQ	9392	온세미	74ACT	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74ACT125	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	버퍼, 반전 비	4	1	24MA, 24MA
SN74LVCH16244ADGG	0.5100	RFQ	19	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인													-					귀 99	8542.39.0001	1
74ABT16543DGGR	-	RFQ	9165	텍사스 텍사스	74ABT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)			74ABT16543	-	3 국가			4.5V ~ 5.5V	56-tssop	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	296-74ABT16543DGGRTR			1	트랜시버, 반전 비	2	8	32MA, 64MA
SN74LS145DR	1.0200	RFQ	5	텍사스 텍사스	74ls	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	디코더		74LS145					4.75V ~ 5.25V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500				-, 80ma						단일 단일										1 x 4:10	1
74FCT244ATPGG8	0.7348	RFQ	6732	Renesas Electronics America Inc	74fct	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74FCT244	-	3 국가			4.75V ~ 5.25V	20-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	버퍼, 반전 비	2	4	15MA, 64MA
SN74LVC07ARGYR	0.4700	RFQ	15	텍사스 텍사스	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-vfqfn 노출 패드			74LVC07	-	열린 열린			1.65V ~ 5.5V	14-VQFN (3.5x3.5)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	버퍼, 반전 비	6	1	-, 24ma
SY100EL29VZG	9.2700	RFQ	5570	마이크로 마이크로 기술	100el	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	D- 타입		100el29		미분			-3V ~ -5.5V	20-	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	38		2	1	-	설정 (설정 사전) 및 재설정				1.1GHz					긍정적 긍정적 가장자리	-	50 MA
SN74HCT74PWRE4	-	RFQ	7658	텍사스 텍사스	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	D- 타입		74HCT74		보완 보완			4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000		2	1	4MA, 4MA	설정 (설정 사전) 및 재설정				46MHz					긍정적 긍정적 가장자리	25ns @ 5.5v, 50pf	4 µA	3 pf

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (75022)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²