RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

논리 (75022)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	데이터 데이터	시계 시계	입력 입력	출력 출력	전압 전압	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	회로	독립 독립	지연 지연 - 시간	번역기 번역기	채널 채널	회로 회로 채널
74AUP2G32GD, 125	-	RFQ	3112	Nexperia USA Inc.	74AUP	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-xfdfn		-	74AUP2G32			2	0.8V ~ 3.6V	8- Xson (2x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	또는 또는			4MA, 4MA		500 NA	2							6.4ns @ 3.3v, 30pf			0.7V ~ 0.9V	1.6V ~ 2V
SY100EL52ZC-TR	-	RFQ	2397	마이크로 마이크로 기술	100el	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	D- 타입		100el52		보완 보완		-4.2V ~ -5.5V	8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000		1	1	-	기준				2.8GHz				긍정적이고 긍정적이고	-	25 MA
SN74AHC125QPWRG4	-	RFQ	1065	텍사스 텍사스	74AHC	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74AHC125	-	3 국가		2V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	버퍼, 반전 비	4	1	8ma, 8ma
74LV1G32ACME-e	-	RFQ	1023	Renesas Electronics America Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는						74LV1G32						-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	559-74LV1G32ACME-ETR	귀 99	8542.39.0001	3,000
74LVC07APW, 118	0.0900	RFQ	4	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74LVC07	-	열린 열린		1.2V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC07APW, 118-954			1	버퍼, 반전 비	6	1	-, 32MA
74ALVCH16244DL, 118	-	RFQ	5113	Nexperia USA Inc.	74ALVCH	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)			74ALVCH16244	-	3 국가		1.2V ~ 3.6V	48-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	버퍼, 반전 비	4	4	24MA, 24MA
QS3VH16211PAG	3.5886	RFQ	2081	Renesas Electronics America Inc	3VH	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)	버스 버스		QS3VH16211				2.3V ~ 3.6V	56-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	34				-								단일 단일							12 x 1 : 1	2
NC7SZ374L6X-L22175	0.1150	RFQ	3444	온세미	7SZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	6-ufdfn	D- 타입		7SZ374		트라이 트라이, 스테이트 반전		1.65V ~ 5.5V	6 마이크로 팩	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		488-NC7SZ374L6X-L22175TR	귀 99	8542.39.0001	5,000		1	1	32MA, 32MA	기준				175 MHz				긍정적 긍정적 가장자리	4NS @ 5V, 50pf	1 µA	3 pf
74AHCT1G02DBVRG4	-	RFQ	8971	텍사스 텍사스	74AHCT	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753		-	74AHCT1G02			1	4.5V ~ 5.5V	SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	게이트도			8ma, 8ma		1 µA	2							7.5ns @ 5V, 50pf			0.8V	2V
SN74ALS577ANSRG4	-	RFQ	5924	텍사스 텍사스	74ALS	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	24-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	D- 타입		74ALS577		트라이 트라이, 스테이트		4.5V ~ 5.5V	24-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000		1	8	2.6ma, 24ma	마스터 마스터				30MHz				긍정적 긍정적 가장자리	14ns @ 5V, 50pf	18 MA
SN74LVC573APW	1.4200	RFQ	1	텍사스 텍사스	74LVC	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74LVC573		트라이 트라이		1.65V ~ 3.6V	20-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	70	d- 타입 투명 타입			24MA, 24MA															8 : 8	1	2ns
SNJ54LS194AW	-	RFQ	1602	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인						54LS194						다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1
MC74LVX257mg	-	RFQ	7836	온세미	74lvx	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	멀티플렉서		74LVX257				2V ~ 5.5V	16- Ooeaj	-		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50				4MA, 4MA								단일 단일							4 x 2 : 1	1
JM38510/65001BDA	-	RFQ	4975	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-JM38510/65001BDA	귀 99	8542.39.0001	1
MC14073BDG	0.8400	RFQ	1	온세미	4000B	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	MC14073			3	3V ~ 18V	14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	55	그리고 그리고			8.8ma, 8.8ma		1 µA	3							100ns @ 15V, 50pf			1.5V ~ 4V	3.5V ~ 11V
100363pc	4.3100	RFQ	2	페어차일드 페어차일드	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	24-DIP (0.400 ", 10.16mm)	멀티플렉서		100363				-4.2V ~ 5.7V	24-PDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1				-								단일 단일							2 x 8 : 1	1
MC1214L	68.3900	RFQ	241	모토로라	MC1200	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)	D- 타입		MC1214		보완 보완		-	TO-116	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1		2	1	-	설정 (설정 사전) 및 재설정								긍정적 긍정적 가장자리	-
MC308G	19.7700	RFQ	171	로체스터 로체스터 장치, LLC	*	대부분	활동적인						MC308						다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받습니다	2156-MC308G-2156			1
MC2126FB2	99.6000	RFQ	247	로체스터 로체스터 장치, LLC	*	대부분	활동적인						MC2126						다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받습니다	2156-MC2126FB2-2156			1
IDT74FCT646TPY	0.8500	RFQ	576	idt, 장치 통합 기술 in inc	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)			74FCT646	-	3 국가		4.75V ~ 5.25V	24-SSOP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1	트랜시버, 반전 비	1	8	15MA, 64MA
74HCT74D/C118	0.0800	RFQ	15	NXP USA Inc.	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	D- 타입		74HCT74		보완 보완		4.5V ~ 5.5V	14-	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	2,500		2	1	4MA, 4MA	설정 (설정 사전) 및 재설정				59MHz				긍정적 긍정적 가장자리	44ns @ 4.5v, 50pf	40 µA	3.5 pf
54F240dm	3.7200	RFQ	233	국가 국가	54f	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	20-CDIP (0.300 ", 7.62mm)			54F240	-	3 국가		4.5V ~ 5.5V	20-cerdip	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	1	버퍼, 반전	2	4	12MA, 48MA
SN5451J	-	RFQ	9644	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인												-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-SN5451J			1
85222AMLF	-	RFQ	7696	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	85222A		미분	1		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	97								-		lvcmos, lvttl	lvhstl											혼합 혼합	단방향	2
74AHC1G00GV-Q100125	-	RFQ	4528	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						74AHC1G00						다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	3,000
MC74HC4049DR2	0.1400	RFQ	18	온세미	74HC	대부분	활동적인						74HC4049						다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.39.0001	2,500
74LVC1G157GN, 132	0.0900	RFQ	2477	NXP USA Inc.	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn	멀티플렉서		74LVC1G157				1.65V ~ 5.5V	6-XSON (0.9x1)	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1				32MA, 32MA								단일 단일							1 x 2 : 1	1
SN74AHC245QWRKSRQ1	0.7700	RFQ	2650	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100, 74AHC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면, 마운트 측면	20-vfqfn 노출 패드				-	3 국가		2V ~ 5.5V	20-VQFN (2.5x4.5)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	트랜시버, 반전 비	1	8	8ma, 8ma
74AHCT32PW, 118	0.4800	RFQ	4457	Nexperia USA Inc.	74AHCT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		-	74AHCT32			4	4.5V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	또는 또는			8ma, 8ma		2 µA	2							7.9ns @ 5V, 50pf			0.8V	2V
74LVC2G02GN, 115	0.1600	RFQ	52	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인						74LVC2G02						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC2G02GN, 115-954			1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (75022)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²