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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 입력 입력 출력 출력 방향 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 요소 요소 요소 요소 비트 당 전류 - 높음 출력, 낮음 기능 현재 -Quiescent (최대) 비트 비트 입력 입력 시계 시계 전압 전압 다시 다시 타이밍 카운트 카운트 트리거 트리거 cl 현재 -Quiescent (iq) 입력 입력 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음 슈미트 슈미트 입력 회로 독립 독립 지연 지연 - 시간 전파 전파 공급 공급
CD74LPT16543ASM Harris Corporation CD74LPT16543ASM 3.6800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비) 74LPT16543 - 3 국가 2.7V ~ 3.6V 56-ssop 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 트랜시버, 반전 비 2 8 24MA, 24MA
CD4025AF/3 Harris Corporation CD4025AF/3 1.7900
RFQ
ECAD 9517 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) - CD4025 3 3V ~ 12V 14-CDIP 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 게이트도 - 2 µA 3 65NS @ 10V, 15pf - -
CD74HC258E Harris Corporation CD74HC258E 0.3300
RFQ
ECAD 7792 0.00000000 해리스 해리스 74HC 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) 멀티플렉서 74HC258 2V ~ 6V 16-PDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 7.8ma, 7.8ma 단일 단일 4 x 2 : 1 1
CD74FCT240TQM Harris Corporation CD74FCT240TQM 0.2000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비) 74FCT240 - 3 국가 4.75V ~ 5.25V 20-QSOP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 버퍼, 반전 1 8 15MA, 64MA
CD74HC158E Harris Corporation CD74HC158E -
RFQ
ECAD 9404 0.00000000 해리스 해리스 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 멀티플렉서 74HC158 2V ~ 6V 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 7.8ma, 7.8ma 단일 단일 4 x 2 : 1 1
CD74HC259M Harris Corporation CD74HC259M 0.6000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 해리스 해리스 74HC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 74HC259 기준 2V ~ 6V 16- 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.39.0001 40 d- 타입, 타입 5.2MA, 5.2MA 1 : 8 1 13ns
CD74HCT139M Harris Corporation CD74HCT139M 0.5700
RFQ
ECAD 24 0.00000000 해리스 해리스 74hct 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 디코더/demultiplexer 74HCT139 4.5V ~ 5.5V 16- 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.39.0001 40 4MA, 4MA 단일 단일 1 x 2 : 4 2
CD74HC597M Harris Corporation CD74HC597M 0.5000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 해리스 해리스 74HC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 74HC597 푸시 푸시 2V ~ 6V 16- 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.39.0001 40 시프트 시프트 1 8 평행 평행 일련의 또는
CD74FCT541ATM96 Harris Corporation CD74FCT541ATM96 0.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 74FCT541 - 3 국가 4.75V ~ 5.25V 20- 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 버퍼, 반전 1 8 15MA, 64MA
CD74FCT244M96 Harris Corporation CD74FCT244M96 0.4700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 해리스 해리스 74fct 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 74FCT244 - 3 국가 4.75V ~ 5.25V 20- 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.39.0001 2,000 버퍼, 반전 비 2 4 15MA, 64MA
CD4019BF3 Harris Corporation CD4019BF3 1.1100
RFQ
ECAD 295 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 CD4019 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 1
CD74FCT162374ATMT96 Harris Corporation CD74FCT162374ATMT96 1.3200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비) D- 타입 74FCT162374 트라이 트라이, 스테이트 반전 4.5V ~ 5.5V 48-tssop 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 2 8 24MA, 24MA 기준 긍정적 긍정적 가장자리 6.5ns @ 5V, 50pf 500 µA 4.5 pf
CD74HCT244EX Harris Corporation CD74HCT244EX 0.1800
RFQ
ECAD 8605 0.00000000 해리스 해리스 74hct 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 20-DIP (0.300 ", 7.62mm) 74HCT244 - 3 국가 4.5V ~ 5.5V 20-PDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 버퍼, 반전 비 2 4 6MA, 6MA
CD74HC245E Harris Corporation CD74HC245E 0.3600
RFQ
ECAD 11 0.00000000 해리스 해리스 74HC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 20-DIP (0.300 ", 7.62mm) 74HC245 - 3 국가 2V ~ 6V 20-PDIP 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.39.0001 20 트랜시버, 반전 비 1 8 5.2MA, 5.2MA
CD74AC563E Harris Corporation CD74AC563E 0.5300
RFQ
ECAD 16 0.00000000 해리스 해리스 74AC 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 20-DIP (0.300 ", 7.62mm) 74AC563 트라이 트라이 1.5V ~ 5.5V 20-PDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 d- 타입 투명 타입 24MA, 24MA 8 : 8 1 3ns
CD4078BF Harris Corporation CD4078BF -
RFQ
ECAD 4598 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-CDIP (0.300 ", 7.62mm) CD4078 단일 단일 1 3V ~ 18V 14-CDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 /또는 게이트 6.8ma, 6.8ma 8 아니요
JM38510/17504BEA Harris Corporation JM38510/17504BEA 64.2200
RFQ
ECAD 208 0.00000000 해리스 해리스 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) 3 V ~ 18 v 16-CDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1 모노스트 모노스트 6.8ma, 6.8ma 2 100 ns
CD74HC241M Harris Corporation CD74HC241M 0.4800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 해리스 해리스 74HC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 74HC241 - 3 국가 2V ~ 6V 20- 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.39.0001 25 버퍼, 반전 비 2 4 7.8ma, 7.8ma
CD4000BK3 Harris Corporation CD4000BK3 37.5900
RFQ
ECAD 202 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-cflatpack - CD4000 2 3V ~ 18V 14-cfp 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 게이트도 3.4ma, 3.4ma 5 µA 3 250ns @ 5V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
CD40174BF/3 Harris Corporation CD40174BF/3 2.4100
RFQ
ECAD 146 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) D- 타입 CD40174 비 비 3V ~ 18V 16-CDIP 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 1 6 6.8ma, 6.8ma 마스터 마스터 16MHz 긍정적 긍정적 가장자리 100ns @ 15V, 50pf 20 µA 5 pf
CD74HC377M Harris Corporation CD74HC377M 0.6200
RFQ
ECAD 17 0.00000000 해리스 해리스 74HC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) D- 타입 74HC377 비 비 2V ~ 6V 20- 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.39.0001 25 1 8 5.2MA, 5.2MA 기준 60MHz 긍정적 긍정적 가장자리 30NS @ 6V, 50pf 8 µA 10 pf
CD74HCT04E Harris Corporation CD74HCT04E -
RFQ
ECAD 8488 0.00000000 해리스 해리스 74hct 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74HCT04 6 4.5V ~ 5.5V 14-PDIP 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.39.0001 25 인버터 4MA, 4MA 2 µA 1 19NS @ 4.5V, 50pf 0.8V 2V
CD74HCT30E Harris Corporation CD74HCT30E 0.1300
RFQ
ECAD 16 0.00000000 해리스 해리스 74hct 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74HCT30 1 4.5V ~ 5.5V 14-PDIP 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.39.0001 25 NAND 게이트 4MA, 4MA 2 µA 8 28ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
CD4008BD3 Harris Corporation CD4008BD3 17.9500
RFQ
ECAD 420 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) CD4008 16-Cerdip 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 전체 전체 4 3V ~ 18V
CD74FCT163244MT Harris Corporation CD74FCT163244MT 2.3300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비) 74FCT163244 - 3 국가 2.7V ~ 3.6V 48-tssop 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 버퍼, 반전 비 4 4 24MA, 24MA
CD4045BF Harris Corporation CD4045BF -
RFQ
ECAD 8287 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) CD4045 위로 3 V ~ 18 v 16-CDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 이진 이진 1 21 - - 30MHz 부정적인 부정적인
CD74HC08M96 Harris Corporation CD74HC08M96 -
RFQ
ECAD 6387 0.00000000 해리스 해리스 74HC 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HC08 4 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.39.0001 2,500 그리고 그리고 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 15NS @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
CD74FCT245ATE Harris Corporation CD74FCT245ATE 0.2000
RFQ
ECAD 5663 0.00000000 해리스 해리스 74fct 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 20-DIP (0.300 ", 7.62mm) 74FCT245 - 3 국가 4.75V ~ 5.25V 20-PDIP 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 트랜시버, 반전 비 1 8 15MA, 64MA
8406701RAX161 Harris Corporation 8406701RAX161 144.1200
RFQ
ECAD 195 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 8406701 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 0000.00.0000 1
CD4020AF3 Harris Corporation CD4020AF3 4.3800
RFQ
ECAD 347 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 CD4020 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고