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논리 (6304)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 입력 입력 출력 출력 방향 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 요소 요소 요소 요소 비트 당 전류 - 높음 출력, 낮음 기능 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 시계 시계 전압 전압 다시 다시 타이밍 카운트 카운트 트리거 트리거 cl 현재 -Quiescent (iq) 입력 입력 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음 회로 독립 독립 지연 지연 - 시간
74LVT16374AEVY Nexperia USA Inc. 74LVT16374AEVY -
RFQ
 ECAD 8489 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVT 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-VFBGA D- 타입 74LVT16374 트라이 트라이 2.7V ~ 3.6V 56-VFBGA (4.5x7) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 935271933518 귀 99 8542.39.0001 3,500 2 8 32MA, 64MA 기준 150MHz 긍정적 긍정적 가장자리 5ns @ 3.3v, 50pf 4 µA 3 pf
74HCT153D,653 Nexperia USA Inc. 74HCT153d, 653 0.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74hct 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 멀티플렉서 74HCT153 4.5V ~ 5.5V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 4MA, 4MA 단일 단일 2 x 4 : 1 1
74HCT20D-Q100,118 Nexperia USA Inc. 74HCT20D-Q100,118 -
RFQ
 ECAD 7366 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74hct 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HCT20 2 4.5V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 4MA, 5.2MA 2 µA 4 28ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
74HC2G02DP-Q100H Nexperia USA Inc. 74HC2G02DP-Q100H 0.1868
RFQ
 ECAD 8902 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74HC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) - 74HC2G02 2 2V ~ 6V 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 게이트도 5.2MA, 5.2MA 20 µA 2 16ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
74AUP1G34GF,132 Nexperia USA Inc. 74AUP1G34GF, 132 -
RFQ
 ECAD 5334 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74AUP 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 74AUP1G34 - 푸시 푸시 0.8V ~ 3.6V 6- XSON, SOT891 (1x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 버퍼, 반전 비 1 1 4MA, 4MA
74HCT2G32DC,125 Nexperia USA Inc. 74HCT2G32DC, 125 0.1848
RFQ
 ECAD 7313 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74hct 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) - 74HCT2G32 2 4.5V ~ 5.5V 8-VSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 또는 또는 4MA, 4MA 1 µA 2 24ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
74AVCH16245DGG,112 Nexperia USA Inc. 74AVCH16245DGG, 112 -
RFQ
 ECAD 5857 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74AVCH 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비) 74AVCH16245 - 3 국가 1.2V ~ 3.6V 48-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 39 트랜시버, 반전 비 2 8 12MA, 12MA
74AUP1T50GXH Nexperia USA Inc. 74AUP1T50GXH 0.4500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74AUP 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 4-xfdfn 노출 패드 74AUP1T50 슈미트 슈미트 푸시 푸시 2.3V ~ 3.6V 5-X2SON (0.80x0.80) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 10,000 버퍼, 반전 비 1 1 4MA, 4MA
74AUP1G80GF Nexperia USA Inc. 74AUP1G80GF 0.1700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74AUP 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn D- 타입 74AUP1G80 반전 0.8V ~ 3.6V 6- Xson (1x1) 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 1 1 4MA, 4MA 기준 309 MHz 긍정적 긍정적 가장자리 6.4ns @ 3.3v, 30pf 500 NA 1.5 pf
74HCT173D,652 Nexperia USA Inc. 74HCT173D, 652 -
RFQ
 ECAD 6103 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74hct 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) D- 타입 74HCT173 트라이 트라이, 스테이트 반전 4.5V ~ 5.5V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 1 4 6MA, 6MA 마스터 마스터 80MHz 긍정적 긍정적 가장자리 40ns @ 6v, 50pf 4 µA 3.5 pf
74HC175DB,112 Nexperia USA Inc. 74HC175DB, 112 -
RFQ
 ECAD 5243 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74HC 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) D- 타입 74HC175 보완 보완 2V ~ 6V 16-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 78 1 4 5.2MA, 5.2MA 마스터 마스터 89MHz 긍정적 긍정적 가장자리 30NS @ 6V, 50pf 8 µA 3.5 pf
74HCT365DB/DG,118 Nexperia USA Inc. 74HCT365dB/DG, 118 -
RFQ
 ECAD 3000 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74hct 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) 74HCT365 - 3 국가 4.5V ~ 5.5V 16-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 935283545118 귀 99 8542.39.0001 3,000 버퍼, 반전 1 6 7.8ma, 7.8ma
74AUP1G132GF,132 Nexperia USA Inc. 74AUP1G132GF, 132 -
RFQ
 ECAD 3070 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74AUP 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-xfdfn 슈미트 슈미트 74AUP1G132 1 0.8V ~ 3.6V 6- XSON, SOT891 (1x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 NAND 게이트 4MA, 4MA 500 NA 2 7.8ns @ 3.3v, 30pf 0.1V ~ 0.88V 0.6V ~ 2.29V
74LV14DB,118 Nexperia USA Inc. 74LV14DB, 118 -
RFQ
 ECAD 4821 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74lv 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) 슈미트 슈미트 74LV14 6 1V ~ 5.5V 14-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 인버터 12MA, 12MA 40 µA 1 15ns @ 3.3v, 50pf 0.3V ~ 1.1V 1.4V ~ 3.85V
74ALVC08PW,118 Nexperia USA Inc. 74ALVC08PW, 118 0.5000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74ALVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74ALVC08 4 1.65V ~ 3.6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 그리고 그리고 24MA, 24MA 20 µA 2 2ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
74AUP1G373GM,132 Nexperia USA Inc. 74AUP1G373GM, 132 0.1768
RFQ
 ECAD 9498 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74AUP 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-xfdfn 74AUP1G373 트라이 트라이 0.8V ~ 3.6V 6- XSON, SOT886 (1.45x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 d- 타입 투명 타입 4MA, 4MA 1 : 1 1 2.5ns
74CBTLV3253PW,118 Nexperia USA Inc. 74CBTLV3253PW, 118 0.6200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74CBTLV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 멀티플렉서/demultiplexer 74CBTLV3253 2.3V ~ 3.6V 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - 단일 단일 2 x 4 : 1 1
74LVC126AD,118 Nexperia USA Inc. 74LVC126ad, 118 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 74LVC126 - 3 국가 1.2V ~ 3.6V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 버퍼, 반전 비 4 1 24MA, 24MA
74HCT86DB,112 Nexperia USA Inc. 74HCT86DB, 112 -
RFQ
 ECAD 8601 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74hct 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74HCT86 4 4.5V ~ 5.5V 14-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 78 xor (또는 독점) 4MA, 4MA 2 µA 2 32ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
74HC08PW,112 Nexperia USA Inc. 74HC08PW, 112 -
RFQ
 ECAD 9497 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74HC 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HC08 4 2V ~ 6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 96 그리고 그리고 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 15NS @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
74LVC163D,118 Nexperia USA Inc. 74LVC163D, 118 0.7700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 74LVC163 위로 1.2 v ~ 3.6 v 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 이진 이진 1 4 동기 동기 150MHz 긍정적 긍정적 가장자리
74LVT2241D,118 Nexperia USA Inc. 74LVT2241D, 118 0.4247
RFQ
 ECAD 6263 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 74LVT2241 - 3 국가 2.7V ~ 3.6V 20- 의자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 버퍼, 반전 비 2 4 12MA, 12MA
74HC193DB,118 Nexperia USA Inc. 74HC193dB, 118 -
RFQ
 ECAD 8413 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74HC 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) 74HC193 위로, 아래로 2 V ~ 6 v 16-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 이진 이진 1 4 비동기 동기 49MHz 긍정적 긍정적 가장자리
CBT3125D,112 Nexperia USA Inc. CBT3125D, 112 -
RFQ
 ECAD 8318 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74CBT 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 버스 버스 CBT3125 4.5V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 57 - 단일 단일 1 x 1 : 1 4
74HCT273BQ,115 Nexperia USA Inc. 74HCT273BQ, 115 0.2459
RFQ
 ECAD 2715 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74hct 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-vfqfn 노출 패드 D- 타입 74HCT273 비 비 4.5V ~ 5.5V 20-DHVQFN (4.5x2.5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 1 8 4MA, 5.2MA 마스터 마스터 36 MHz 긍정적 긍정적 가장자리 30ns @ 4.5v, 50pf 8 µA 3.5 pf
74ALVC32PW,118 Nexperia USA Inc. 74ALVC32PW, 118 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74ALVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74ALVC32 4 1.65V ~ 3.6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 또는 또는 24MA, 24MA 10 µA 2 2ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
74AHC1G08GV-Q100,1 Nexperia USA Inc. 74AHC1G08GV-Q100,1 0.0784
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74AHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 - 74AHC1G08 1 2V ~ 5.5V SC-74A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 935298622125 귀 99 8542.39.0001 3,000 그리고 그리고 8ma, 8ma 1 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
74HC7014D-Q100J Nexperia USA Inc. 74HC7014D-Q100J 2.3800
RFQ
 ECAD 5012 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74HC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 74HC7014 슈미트 슈미트 푸시 푸시 2V ~ 6V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 버퍼, 반전 비 6 1 5.2MA, 5.2MA
74ALVC02PW,112 Nexperia USA Inc. 74ALVC02PW, 112 -
RFQ
 ECAD 8201 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74ALVC 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74ALVC02 4 1.65V ~ 3.6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 96 게이트도 24MA, 24MA 20 µA 2 2.2ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
74LVC2G74GT,115 Nexperia USA Inc. 74LVC2G74GT, 115 0.4800
RFQ
 ECAD 3218 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn D- 타입 74LVC2G74 보완 보완 1.65V ~ 5.5V 8-Xson, SOT833-1 (1.95x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 1 1 32MA, 32MA 설정 (설정 사전) 및 재설정 200MHz 긍정적 긍정적 가장자리 4.1ns @ 5V, 50pf 40 µA 4 pf
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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