SIC
close

논리 (6304)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 입력 입력 출력 출력 방향 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 요소 요소 요소 요소 비트 당 전류 - 높음 출력, 낮음 기능 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 데이터 데이터 시계 시계 입력 입력 출력 출력 전압 전압 다시 다시 타이밍 카운트 카운트 트리거 트리거 cl 현재 -Quiescent (iq) 입력 입력 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음 슈미트 슈미트 입력 회로 독립 독립 번역기 번역기 채널 채널 회로 회로 채널 -VCCA -VCCB
74LVC74ABQ-Q100X Nexperia USA Inc. 74LVC74ABQ-Q100X 0.1751
RFQ
 ECAD 2900 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 14-vfqfn 노출 패드 D- 타입 74LVC74 보완 보완 1.2V ~ 3.6V 14-dhvqfn (2.5x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 2 1 24MA, 24MA 설정 (설정 사전) 및 재설정 250MHz 긍정적 긍정적 가장자리 5.2ns @ 3.3v, 50pf 10 µA 4 pf
74HCT11PW,112 Nexperia USA Inc. 74hct11pw, 112 -
RFQ
 ECAD 4313 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74hct 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HCT11 3 4.5V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 96 그리고 그리고 4MA, 4MA 2 µA 3 24ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
74LVC163D,112 Nexperia USA Inc. 74LVC163D, 112 -
RFQ
 ECAD 4441 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 74LVC163 위로 1.2 v ~ 3.6 v 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 이진 이진 1 4 동기 동기 150MHz 긍정적 긍정적 가장자리
74LVC1G58GM,132 Nexperia USA Inc. 74LVC1G58GM, 132 0.1040
RFQ
 ECAD 8040 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-xfdfn 74LVC1G58 단일 단일 1 1.65V ~ 5.5V 6- XSON, SOT886 (1.45x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 구성 구성 다중 가능한 32MA, 32MA 3 예
CBT3251DS,112 Nexperia USA Inc. CBT3251DS, 112 -
RFQ
 ECAD 7134 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74CBT 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 16-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비) 멀티플렉서/demultiplexer CBT3251 4.5V ~ 5.5V 16-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 - 단일 단일 1 x 8 : 1 1
74HCT251DB-Q100J Nexperia USA Inc. 74HCT251DB-Q100J -
RFQ
 ECAD 3982 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74HCT 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) 멀티플렉서 74HCT251 4.5V ~ 5.5V 16-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 935302775118 귀 99 8542.39.0001 2,000 4MA, 4MA 단일 단일 1 x 8 : 1 1
HEF4070BT-Q100J Nexperia USA Inc. HEF4070BT-Q100J 0.2195
RFQ
 ECAD 6063 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 4000B 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - HEF4070 4 3V ~ 15V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 xor (또는 독점) 3MA, 3MA 4 µA 2 55NS @ 15V, 50pf 1.5V ~ 4V 3.5V ~ 11V
74LVCH244APW-Q100J Nexperia USA Inc. 74LVCH244APW-Q100J 0.2582
RFQ
 ECAD 5938 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74LVCH 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 74LVCH244 - 3 국가 1.2V ~ 3.6V 20-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 버퍼, 반전 비 2 4 24MA, 24MA
74VHCT541PW-Q100J Nexperia USA Inc. 74VHCT541PW-Q100J 0.2466
RFQ
 ECAD 8577 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74VHCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 74VHCT541 - 3 국가 4.5V ~ 5.5V 20-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 버퍼, 반전 비 1 8 8ma, 8ma
74AHCT00PW-Q100J Nexperia USA Inc. 74AHCT00PW-Q100J 0.1515
RFQ
 ECAD 2448 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74AHCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74AHCT00 4 4.5V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 8ma, 8ma 2 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74LVC11D,112 Nexperia USA Inc. 74LVC11D, 112 0.5100
RFQ
 ECAD 360 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74LVC11 3 1.2V ~ 3.6V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 57 그리고 그리고 24MA, 24MA 10 µA 3 6.2ns @ 3.3v, 50pf 0.12V ~ 0.8V 1.08V ~ 2V
74AHC139D,118 Nexperia USA Inc. 74AHC139D, 118 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74AHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 디코더/demultiplexer 74AHC139 2V ~ 5.5V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 8ma, 8ma 단일 단일 1 x 2 : 4 2
74AXP2T45DCH Nexperia USA Inc. 74axp2t45dch 0.7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74axp 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) - 74axp2t45 트라이 트라이 2 8-VSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - - - 전압 전압 양방향 1 0.9 v ~ 5.5 v 0.9 v ~ 5.5 v
74LVC125AD-Q100J Nexperia USA Inc. 74LVC125AD-Q100J 0.4500
RFQ
 ECAD 4609 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 74LVC125 - 3 국가 1.2V ~ 3.6V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 버퍼, 반전 비 4 1 24MA, 24MA
74AHC1G00GV-Q100H Nexperia USA Inc. 74AHC1G00GV-Q100H 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74AHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 - 74AHC1G00 1 2V ~ 5.5V SC-74A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 NAND 게이트 8ma, 8ma 1 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
74LVC8T245PW-Q100J Nexperia USA Inc. 74LVC8T245PW-Q100J 1.3700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 74LVC8T245 - 3 국가 1.2V ~ 5.5V 24-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 번역 번역 2 8 32MA, 32MA
74HC161PW,112 Nexperia USA Inc. 74HC161PW, 112 -
RFQ
 ECAD 3853 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74HC 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 74HC161 위로 2 V ~ 6 v 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 96 이진 이진 1 4 비동기 비동기/동기 48MHz 긍정적 긍정적 가장자리
HEF4040BT,652 Nexperia USA Inc. HEF4040BT, 652 -
RFQ
 ECAD 2578 0.00000000 Nexperia USA Inc. 4000B 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) Hef4040 아래에 4.5 V ~ 15.5 v 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 이진 이진 1 12 비동기 - 50MHz 부정적인 부정적인
74LVT04PW,112 Nexperia USA Inc. 74LVT04PW, 112 1.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVT 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74LVT04 6 2.7V ~ 3.6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 96 인버터 20MA, 32MA 1 2.6ns @ 3.3v, 50pf 0.8V 2V
74AXP1G58GX,147 Nexperia USA Inc. 74axp1g58gx, 147 0.1100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1
74LVC1G06GN,132 Nexperia USA Inc. 74LVC1G06GN, 132 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-xfdfn 열린 열린 74LVC1G06 1 1.65V ~ 5.5V 6-XSON (0.9x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 인버터 -, 32MA 200 µA 1 4NS @ 5V, 50pf 0.58V ~ 1.65V 1.07V ~ 3.85V
74AUP1T04GW125 Nexperia USA Inc. 74AUP1T04GW125 -
RFQ
 ECAD 5909 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74AUP 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 슈미트 슈미트 74AUP1T04 1 2.3V ~ 3.6V 5-TSSOP 다운로드 0000.00.0000 1 인버터 4MA, 4MA 1.2 µA 1 6.9ns @ 3.3v, 30pf 0.1V ~ 0.44V 1.9V ~ 2.6V
74LVC1G11GS,132 Nexperia USA Inc. 74LVC1G11GS, 132 0.1044
RFQ
 ECAD 8008 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-xfdfn - 74LVC1G11 1 1.65V ~ 5.5V 6- XSON, SOT1202 (1x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 그리고 그리고 32MA, 32MA 4 µA 3 3.5ns @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
74HCT390D,652 Nexperia USA Inc. 74HCT390D, 652 -
RFQ
 ECAD 6659 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74hct 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 74HCT390 위로 4.5 V ~ 5.5 v 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 카운터, 10 년 2 4 비동기 - 55MHz 부정적인 부정적인
74HCT4520D,118 Nexperia USA Inc. 74HCT4520D, 118 0.3354
RFQ
 ECAD 4645 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74hct 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 74HCT4520 위로 4.5 V ~ 5.5 v 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 이진 이진 2 4 비동기 동기 58MHz 긍정적이고 긍정적이고
74HC193PW,118 Nexperia USA Inc. 74HC193PW, 118 0.3322
RFQ
 ECAD 4157 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74HC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 74HC193 위로, 아래로 2 V ~ 6 v 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 이진 이진 1 4 비동기 동기 49MHz 긍정적 긍정적 가장자리
74LVC8T245PW Nexperia USA Inc. 74LVC8T245PW -
RFQ
 ECAD 9927 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 74LVC8T245 - 3 국가 1.2V ~ 5.5V 24-TSSOP 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 번역 번역 1 8 32MA, 32MA
74HCT03D-Q100J Nexperia USA Inc. 74HCT03D-Q100J 0.1630
RFQ
 ECAD 2733 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74HCT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 열린 열린 74HCT03 4 4.5V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 NAND 게이트 -, 4MA 2 µA 2 24ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
74ABT245DB,118 Nexperia USA Inc. 74ABT245DB, 118 -
RFQ
 ECAD 6238 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74ABT 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) 74ABT245 - 3 국가 4.5V ~ 5.5V 20-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 트랜시버, 반전 비 1 8 32MA, 64MA
74LVC1G98GN,132 Nexperia USA Inc. 74LVC1G98GN, 132 0.2080
RFQ
 ECAD 2123 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-xfdfn 74LVC1G98 단일 단일 1 1.65V ~ 5.5V 6-XSON (0.9x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 구성 구성 다중 가능한 32MA, 32MA 3 예
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
Enter를 누르십시오. 검색 또는 ESC를 닫으십시오