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논리 (6304)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	시계 시계	전압 전압	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	회로	독립 독립	지연 지연 - 시간
74HC04DB, 118	-	RFQ	8484	Nexperia USA Inc.	74HC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)		-	74HC04			6	2V ~ 6V	14-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000	인버터			5.2MA, 5.2MA		2 µA	1				14ns @ 6v, 50pf			0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
74AVC16836ADGG, 118	-	RFQ	1366	Nexperia USA Inc.	74AVC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)			74AVC16836				1.2V ~ 3.6V	56-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000	범용 범용 운전사			12MA, 12MA
74LVC1G126GS	-	RFQ	7269	Nexperia USA Inc.	*	대부분	활동적인												다운로드					0000.00.0000	1
74HCT259D, 653	0.6300	RFQ	28	Nexperia USA Inc.	74hct	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74HCT259		기준		4.5V ~ 5.5V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500	d- 타입, 타입			4MA, 4MA												1 : 8	1	20ns
74LVT125D, 118	0.5600	RFQ	7	Nexperia USA Inc.	74LVT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74LVT125	-	3 국가		2.7V ~ 3.6V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500	버퍼, 반전 비	4	1	32MA, 64MA
74HCT9114D, 118	1.9300	RFQ	166	Nexperia USA Inc.	74hct	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)		슈미트 슈미트, 트리거 드레인	74HCT9114			9	4.5V ~ 5.5V	20- 의자	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000	인버터			-, 4MA		8 µA	1				17ns @ 5V, 50pf			0.7V ~ 0.8V	2V
74HC74PW, 112	-	RFQ	5154	Nexperia USA Inc.	74HC	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	D- 타입		74HC74		보완 보완		2V ~ 6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	96		2	1	5.2MA, 5.2MA	설정 (설정 사전) 및 재설정			82 MHz		긍정적 긍정적 가장자리	37ns @ 6v, 50pf	80 µA	3.5 pf
74LVC573ad, 118	0.8100	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74LVC573		트라이 트라이		1.2V ~ 3.6V	20- 의자	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000	d- 타입 투명 타입			24MA, 24MA												8 : 8	1	1.5ns
74LVT08PW, 118	1.1500	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	74LVT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		-	74LVT08			4	2.7V ~ 3.6V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500	그리고 그리고			20MA, 32MA			2				3.4ns @ 3.3v, 50pf			0.8V	2V
CBTD3861BQ, 118	-	RFQ	4962	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	24-vfqfn 노출 패드	버스 버스		CBTD3861				4.5V ~ 5.5V	24-dhvqfn (5.5x3.5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	3,000				-					단일 단일							10 x 1 : 1	1
74LVC1G74GT, 115	0.4500	RFQ	23	Nexperia USA Inc.	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-xfdfn	D- 타입		74LVC1G74		보완 보완		1.65V ~ 5.5V	8-Xson, SOT833-1 (1.95x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	5,000		1	1	32MA, 32MA	설정 (설정 사전) 및 재설정			200MHz		긍정적 긍정적 가장자리	4.1ns @ 5V, 50pf	40 µA	4 pf
74ALVCH16646DGGS	-	RFQ	4240	Nexperia USA Inc.	74ALVCH	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)			74ALVCH16646	-	3 국가		2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V	56-tssop	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	35	트랜시버, 반전 비	2	8	24MA, 24MA
74HC109DB, 118	-	RFQ	9373	Nexperia USA Inc.	74HC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	16-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)	JK 유형		74HC109		보완 보완		2V ~ 6V	16-SSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000		2	1	5.2MA, 5.2MA	설정 (설정 사전) 및 재설정			81 MHz		긍정적 긍정적 가장자리	30NS @ 6V, 50pf	4 µA	3.5 pf
74HCT3G34DC, 125	0.7000	RFQ	11	Nexperia USA Inc.	74hct	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비)			74HCT3G34	-	푸시 푸시		4.5V ~ 5.5V	8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	3,000	버퍼, 반전 비	3	1	4MA, 4MA
74HC4050DB, 112	-	RFQ	9801	Nexperia USA Inc.	74HC	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	16-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)			74HC4050	-	푸시 푸시		2V ~ 6V	16-SSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	78	버퍼, 반전 비	6	1	5.2MA, 5.2MA
74HCT245DB, 112	-	RFQ	8969	Nexperia USA Inc.	74hct	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)			74HCT245	-	3 국가		4.5V ~ 5.5V	20-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	66	트랜시버, 반전 비	1	8	6MA, 6MA
74LVC573AD, 112	0.7300	RFQ	7	Nexperia USA Inc.	74LVC	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			74LVC573		트라이 트라이		1.2V ~ 3.6V	20- 의자	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	38	d- 타입 투명 타입			24MA, 24MA												8 : 8	1	1.5ns
74LVC2G04GF, 132	-	RFQ	8819	Nexperia USA Inc.	74LVC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn		-	74LVC2G04			2	1.65V ~ 5.5V	6- XSON, SOT891 (1x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	5,000	인버터			32MA, 32MA		4 µA	2				3.2ns @ 5V, 50pf			0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V
74LVCH245ABX, 115	-	RFQ	1470	Nexperia USA Inc.	74lvch	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-xfqfn 노출 패드			74LVCH245	-	3 국가		1.2V ~ 3.6V	20-dhxqfn (4.5x2.5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	4,000	트랜시버, 반전 비	1	8	24MA, 24MA
74AUP1G132GF, 132	-	RFQ	3070	Nexperia USA Inc.	74AUP	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn		슈미트 슈미트	74AUP1G132			1	0.8V ~ 3.6V	6- XSON, SOT891 (1x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	5,000	NAND 게이트			4MA, 4MA		500 NA	2				7.8ns @ 3.3v, 30pf			0.1V ~ 0.88V	0.6V ~ 2.29V
74AVC16245DGG, 518	-	RFQ	7614	Nexperia USA Inc.	74AVC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)			74AVC16245	-	3 국가		1.2V ~ 3.6V	48-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000	트랜시버, 반전 비	2	8	12MA, 12MA
74LVC08ADB, 118	-	RFQ	4121	Nexperia USA Inc.	74LVC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)		-	74LVC08			4	1.2V ~ 3.6V	14-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,000	그리고 그리고			24MA, 24MA		40 µA	2				4.1ns @ 3.3v, 50pf			0.12V ~ 0.8V	1.08V ~ 2V
74LVC1G97GS	-	RFQ	7396	Nexperia USA Inc.	*	대부분	활동적인												다운로드					0000.00.0000	1
74HCT132d, 652	-	RFQ	6514	Nexperia USA Inc.	74hct	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		슈미트 슈미트	74HCT132			4	4.5V ~ 5.5V	14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	57	NAND 게이트			4MA, 4MA		2 µA	2				33ns @ 4.5v, 50pf			0.5V ~ 0.6V	1.9V ~ 2.1V
74HCT273PW-Q100J	0.2368	RFQ	6193	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100, 74HCT	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	D- 타입		74HCT273		비 비		4.5V ~ 5.5V	20-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500		1	8	4MA, 5.2MA	마스터 마스터			36 MHz		긍정적 긍정적 가장자리	30ns @ 4.5v, 50pf	8 µA	3.5 pf
74HC367D, 653	0.8000	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	74HC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			74HC367	-	3 국가		2V ~ 6V	16- 형의 행위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	2,500	버퍼, 반전 비	2	2, 4 (16 16)	7.8ma, 7.8ma
74AHCT595PW, 112	-	RFQ	1240	Nexperia USA Inc.	74AHCT	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74AHCT595		트라이 트라이		4.5V ~ 5.5V	16-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	96	시프트 시프트	1	8		일련의 일련의, 평행
74LVC11BQ, 115	0.4900	RFQ	8	Nexperia USA Inc.	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-vfqfn 노출 패드		-	74LVC11			3	1.2V ~ 3.6V	14-dhvqfn (2.5x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	3,000	그리고 그리고			24MA, 24MA		10 µA	3				6.2ns @ 3.3v, 50pf			0.12V ~ 0.8V	1.08V ~ 2V
74LVC1G07GF, 132	-	RFQ	8927	Nexperia USA Inc.	74LVC	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-xfdfn			74LVC1G07	-	열린 열린		1.65V ~ 5.5V	6- XSON, SOT891 (1x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	5,000	버퍼, 반전 비	1	1	-, 32MA
74LVC1G332GN, 132	0.1319	RFQ	7190	Nexperia USA Inc.	74LVC	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn		-	74LVC1G332			1	1.65V ~ 5.5V	6-XSON (0.9x1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	5,000	또는 또는			32MA, 32MA		4 µA	3				3.5ns @ 5V, 50pf			0.7V ~ 0.8V	1.7V ~ 2V

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (6304)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²