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논리 (1087)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	전압 전압	cl	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	슈미트 슈미트 입력	회로	독립 독립
74HC4024D, 652	0.2700	RFQ	8356	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74HC4024						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HC4024D, 652-954	귀 99	8542.39.0001	1
74ALVC164245DL, 112	-	RFQ	7739	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74ALVC164245						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74ALVC164245DL, 112-954			1
74AUP1G98GF, 132	0.1700	RFQ	179	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74AUP1G98						다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74AUP1G98GF, 132-954			1
74AVC2T45GT, 115	-	RFQ	5401	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74AVC2T45						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AVC2T45GT, 115-954			1
HEF4040BT, 653	-	RFQ	4996	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						Hef4040						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-HEF4040BT, 653-954	귀 99	8542.39.0001	1
74HC86DB, 112	-	RFQ	1471	nxp 반도체	74HC	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)		-				4	2V ~ 6V	14-ssop	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-74HC86DB, 112-954			1	xor (또는 독점)			5.2MA, 5.2MA	2 µA	2		20ns @ 6v, 50pf	0.5V ~ 1.8V	1.2V ~ 3.2V
74LVC2G14GM, 115	-	RFQ	3488	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-xfdfn		슈미트 슈미트	74LVC2G14			2	1.65V ~ 5.5V	6-XSON (1.45X1)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC2G14GM, 115-954			1	인버터			32MA, 32MA	4 µA	2		4.3ns @ 5V, 50pf	0.25V ~ 1.2V	1.7V ~ 3.8V
HEF4094BTT118	-	RFQ	7523	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						Hef4094						다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-HEF4094BTT118-954			1
74AUP3G17GM, 125	0.1000	RFQ	6	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74AUP3G17						다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74AUP3G17GM, 125-954			1
74LVT240DB, 112	0.3100	RFQ	3	nxp 반도체	74LVT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)			74LVT240	-	3 국가		2.7V ~ 3.6V	20-ssop	다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74LVT240DB, 112-954			1	버퍼, 반전	2	4	32MA, 64MA
74ALVT16827DGG, 118	-	RFQ	3969	nxp 반도체	74ALVT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)				-	3 국가		2.3V ~ 3.6V	56-tssop	-				2156-74ALVT16827DGG, 118			1	버퍼, 반전 비	2	10	32MA, 64MA
74HCT157D, 652	0.1700	RFQ	16	nxp 반도체	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	멀티플렉서		74HCT157				4.5V ~ 5.5V	16- 형의 행위	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT157D, 652-954			1				4MA, 4MA			단일 단일					4 x 2 : 1	1
HEF40106BTT, 112	0.1600	RFQ	8	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						Hef40106						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-HEF40106BTT, 112-954			1
74LVC1G99GM, 125	0.0800	RFQ	245	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74LVC1G99						다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1G99GM, 125-954			1
74LVC1G14GF, 132	0.0600	RFQ	1	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74LVC1G14						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1G14GF, 132-954			1
74LVC1G98GN, 132	-	RFQ	5898	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn			74LVC1G98		단일 단일	1	1.65V ~ 5.5V	6-XSON (0.9x1)	다운로드						0000.00.0000	1	구성 구성 다중 가능한			32MA, 32MA		3					예
74LVC161PW, 112	0.2500	RFQ	7837	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74LVC161						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC161PW, 112-954			1
74LVC1G06GS, 132	0.0700	RFQ	90	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn		열린 열린	74LVC1G06			1	1.65V ~ 5.5V	6- XSON, SOT1202 (1x1)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1G06GS, 132-954			4,616	인버터			-, 32MA	200 µA	1		4NS @ 5V, 50pf	0.58V ~ 1.65V	1.07V ~ 3.85V
74LVT04D, 112	0.4300	RFQ	821	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74LVT04						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVT04D, 112-954			1
74HCT10PW, 112	0.1600	RFQ	15	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74HCT10						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT10PW, 112-954			1
74HC165D-Q100,118	-	RFQ	7511	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74HC165						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HC165D-Q100,118-954			1
74AUP1G07GF, 132	0.0800	RFQ	721	nxp 반도체	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-xfdfn			74AUP1G07	-	열린 열린		0.8V ~ 3.6V	6- XSON, SOT891 (1x1)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AUP1G07GF, 132-954			1	버퍼, 반전 비	1	1	-, 4MA
74HCT257D, 653	0.1800	RFQ	12	nxp 반도체	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	멀티플렉서		74HCT257				4.5V ~ 5.5V	16- 형의 행위	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT257D, 653-954			1,624				6MA, 6MA			단일 단일					4 x 2 : 1	1
74LVC1T45GN, 132	0.1300	RFQ	4	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74LVC1T45						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1T45GN, 132-954	귀 99	8542.39.0001	1
74ABT244DB, 112	0.3000	RFQ	9	nxp 반도체	74ABT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)			74ABT244	-	3 국가		4.5V ~ 5.5V	20-ssop	다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74ABT244DB, 112-954			1	버퍼, 반전 비	2	4	32MA, 64MA
74AHC1G125GM, 132	-	RFQ	4227	nxp 반도체	74AHC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-xfdfn			74AHC1G125	-	3 국가		2V ~ 5.5V	6-XSON (1.45X1)	다운로드						0000.00.0000	1	버퍼, 반전 비	1	1	8ma, 8ma
74LV02PW, 118	-	RFQ	8028	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74LV02						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LV02PW, 118-954			1
74HCU04D-Q100118	-	RFQ	7123	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74HCU04						다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74HCU04D-Q100118-954			1
74AHCT1G126GW, 125	-	RFQ	8229	nxp 반도체	74AHCT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353			74AHCT1G126	-	3 국가		4.5V ~ 5.5V	5-TSSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AHCT1G126GW, 125-954		0000.00.0000	1	버퍼, 반전 비	1	1	8ma, 8ma
74ALVC08D, 118	0.1300	RFQ	11	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74ALVC08						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74ALVC08D, 118-954			1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (1087)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²