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논리 (1087)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	비트 비트	입력 입력	시계 시계	전압 전압	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	회로	독립 독립	공급 공급
74AUP1Z04GM132	-	RFQ	9259	nxp 반도체	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn			74AUP1Z04					6-XSON (1.45X1)	다운로드				귀 99	8542.39.0001	1	인버터, x-tal x						-												0.8V ~ 3.6V
CBT3257ADB, 118	0.1900	RFQ	2	nxp 반도체	74CBT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)	멀티플렉서/demultiplexer		CBT3257				4.5V ~ 5.5V	16-SSOP	다운로드	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-CBT3257ADB, 118-954			1				-						단일 단일							4 x 2 : 1	1
74LVC1G98GV, 125	0.0500	RFQ	258	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74LVC1G98						다운로드	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1G98GV, 125-954			1
74AUP1G34GX, 125	-	RFQ	4685	nxp 반도체	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	4-xfdfn 노출 패드			74AUP1G34	-	푸시 푸시		0.8V ~ 3.6V	5-X2SON (0.80x0.80)	다운로드					0000.00.0000	1	버퍼, 반전 비	1	1	4MA, 4MA
74AUP1GU04GS, 132	0.1500	RFQ	5	nxp 반도체	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn		-	74AUP1GU04			1	0.8V ~ 3.6V	6- XSON, SOT1202 (1x1)	다운로드	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AUP1GU04GS, 132-954	귀 99	8542.39.0001	1	인버터			4MA, 4MA		500 NA		1				4.3ns @ 3.3v, 30pf			-	-
74HCT253D, 652	0.2000	RFQ	25	nxp 반도체	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	멀티플렉서		74HCT253				4.5V ~ 5.5V	16- 형의 행위	다운로드	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT253D, 652-954			1				6MA, 6MA						단일 단일							2 x 4 : 1	1
74HCT32PW-Q100,118	-	RFQ	8548	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74HCT32						다운로드	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT32PW-Q100,118-954			1
74HC374PW, 112	0.1700	RFQ	2	nxp 반도체	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	D- 타입		74HC374		트라이 트라이, 스테이트 반전		2V ~ 6V	20-tssop	다운로드	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HC374PW, 112-954			1		1	8	7.8ma, 7.8ma	기준				83MHz		긍정적 긍정적 가장자리	28ns @ 6v, 50pf	4 µA	3.5 pf
74ALVT16373DGG112	0.9100	RFQ	723	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74ALVT16373						다운로드				귀 99	8542.39.0001	1
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74HCT597D, 652	-	RFQ	4140	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74HCT597						다운로드	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT597D, 652-954	귀 99	8542.39.0001	1
74LVC2G38DP, 125	0.1200	RFQ	128	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인						74LVC2G38						다운로드	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC2G38DP, 125-954			1
74axp1g04gmh	-	RFQ	6216	nxp 반도체	74axp	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-xfdfn		-				1	0.7V ~ 2.75V	6-XSON (1.45X1)	-			2156-74AXP1G04GMH			1	인버터			8ma, 8ma		0.3 µA		1							0.7V	1.6V
74HC390D, 652	0.2400	RFQ	18	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74HC390						다운로드	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HC390D, 652-954			1
74LVC1G175GV, 125	-	RFQ	2450	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	SC-74, SOT-457	D- 타입		74LVC1G175		비 비		1.65V ~ 5.5V	6TSOP	다운로드	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1G175GV, 125-954			1		1	1	32MA, 32MA	다시 다시				200MHz		긍정적 긍정적 가장자리	4NS @ 5V, 50pf	40 µA	2.5 pf
74AVCH1T45GM, 115	0.2100	RFQ	500	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74AVCH1T45						다운로드	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AVCH1T45GM, 115-954			1,437
74ALVCH162245DGG, 112	0.4300	RFQ	711	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74ALVCH162245						다운로드	공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74ALVCH162245DGG, 112-954	귀 99	8542.39.0001	1
74ALVT162245DL, 112	-	RFQ	7752	nxp 반도체	74ALVT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비)				-	3 국가		2.3V ~ 3.6V	48-ssop	-			2156-74ALVT162245DL, 112			1	트랜시버, 반전 비	2	8	12MA, 12MA
74axp1g98gmh	0.0900	RFQ	4	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74axp1g98						다운로드	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AXP1G98GMH-954	귀 99	8542.39.0001	1
74HCT238PW, 118	-	RFQ	8919	nxp 반도체	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	디코더/demultiplexer		74HCT238				4.5V ~ 5.5V	16-TSSOP	다운로드	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT238PW, 118-954			1				-						단일 단일							1 x 3 : 8	1
HEF4070BT, 652	-	RFQ	3842	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						HEF4070						다운로드	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-HEF4070BT, 652-954			1
74AHC1G00GV, 125	-	RFQ	3357	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74AHC1G00						다운로드	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AHC1G00GV, 125-954			1
74HCT74DB, 118	0.1400	RFQ	3	nxp 반도체	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)	D- 타입		74HCT74		보완 보완		4.5V ~ 5.5V	14-ssop	다운로드	공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT74DB, 118-954			1		2	1	4MA, 4MA	설정 (설정 사전) 및 재설정				59MHz		긍정적 긍정적 가장자리	44ns @ 4.5v, 50pf	40 µA	3.5 pf
74LVC1G34GN, 132	-	RFQ	3596	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-xfdfn			74LVC1G34	-	푸시 푸시		1.65V ~ 5.5V	6-XSON (0.9x1)	다운로드					0000.00.0000	1	버퍼, 반전 비	1	1	32MA, 32MA
74LVC161D, 112	0.3100	RFQ	8	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74LVC161						다운로드	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC161D, 112-954		0000.00.0000	1
74ALVCH16823DGGS	0.7500	RFQ	875	nxp 반도체	74ALVCH	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비)	D- 타입		74ALVCH16823		트라이 트라이		2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V	56-tssop	다운로드	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	2156-74ALVCH16823DGGS-954	귀 99	8542.39.0001	1		2	9	24MA, 24MA	마스터 마스터				350MHz		긍정적 긍정적 가장자리	3.7ns @ 3.3v, 50pf		5 pf
74HCT32PW, 118	0.0900	RFQ	5	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74HCT32						다운로드	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT32PW, 118-954			3,245
74AUP1G58GN, 132	0.1600	RFQ	5	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74AUP1G58						다운로드	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AUP1G58GN, 132-954			1
74LVC1T45GN, 132	0.1300	RFQ	4	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74LVC1T45						다운로드	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1T45GN, 132-954	귀 99	8542.39.0001	1
74LV02PW, 118	-	RFQ	8028	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74LV02						다운로드	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LV02PW, 118-954			1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (1087)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²