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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 요소 요소 요소 요소 비트 당 전류 - 높음 출력, 낮음 기능 시계 시계 전압 전압 트리거 트리거 cl 현재 -Quiescent (iq) 입력 입력 회로 독립 독립
74HC273D,652 NXP Semiconductors 74HC273D, 652 -
RFQ
ECAD 2823 0.00000000 nxp 반도체 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) D- 타입 74HC273 비 비 2V ~ 6V 20- 의자 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74HC273D, 652-954 귀 99 8542.39.0001 1 1 8 5.2MA, 5.2MA 마스터 마스터 122 MHz 긍정적 긍정적 가장자리 26NS @ 6V, 50pf 8 µA 3.5 pf
74LVC04APW,112 NXP Semiconductors 74LVC04APW, 112 0.1000
RFQ
ECAD 61 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74LVC04 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74LVC04APW, 112-954 1
74HCT4040DB,112 NXP Semiconductors 74HCT4040DB, 112 0.2800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74HCT4040 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-74HCT4040DB, 112-954 1
74HCT00D,652 NXP Semiconductors 74HCT00D, 652 0.1000
RFQ
ECAD 3328 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74HCT00 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74HCT00D, 652-954 귀 99 8542.39.0001 1
74HC597DB,118 NXP Semiconductors 74HC597dB, 118 0.2900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74HC597 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-74HC597DB, 118-954 귀 99 8542.39.0001 1
74HC75D,653 NXP Semiconductors 74HC75D, 653 0.2000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74HC75 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74HC75D, 653-954 1,487
74HC590D,118 NXP Semiconductors 74HC590D, 118 -
RFQ
ECAD 3726 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74HC590 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74HC590D, 118-954 1
74HC374PW,118 NXP Semiconductors 74HC374PW, 118 -
RFQ
ECAD 5081 0.00000000 nxp 반도체 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) D- 타입 74HC374 트라이 트라이, 스테이트 반전 2V ~ 6V 20-tssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74HC374PW, 118-954 귀 99 8542.39.0001 1 1 8 7.8ma, 7.8ma 기준 83MHz 긍정적 긍정적 가장자리 28ns @ 6v, 50pf 4 µA 3.5 pf
74LVC2G06GV,125 NXP Semiconductors 74LVC2G06GV, 125 0.0900
RFQ
ECAD 170 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74LVC2G06 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74LVC2G06GV, 125-954 귀 99 8542.39.0001 1
74HC4002D,653 NXP Semiconductors 74HC4002d, 653 0.1600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74HC4002 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74HC4002d, 653-954 1,854
74AUP1G86GW,125 NXP Semiconductors 74AUP1G86GW, 125 -
RFQ
ECAD 7270 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74AUP1G86 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74AUP1G86GW, 125-954 1
74HC85DB,118 NXP Semiconductors 74HC85DB, 118 0.2800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74HC85 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-74HC85DB, 118-954 1
74HCT540D,652 NXP Semiconductors 74HCT540D, 652 1.0000
RFQ
ECAD 6631 0.00000000 nxp 반도체 74hct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 74HCT540 - 3 국가 4.5V ~ 5.5V 20- 의자 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74HCT540D, 652-954 1 버퍼, 반전 1 8 6MA, 6MA
XC7WT14GT,115 NXP Semiconductors XC7WT14GT, 115 0.1100
RFQ
ECAD 44 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 7WT14 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-XC7WT14GT, 115-954 1
74ABT16244ADGG,118 NXP Semiconductors 74ABT16244ADGG, 118 0.4400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 nxp 반도체 74ABT 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비) 74ABT16244 - 3 국가 4.5V ~ 5.5V 48-tssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74ABT16244ADGG, 118-954 1 버퍼, 반전 비 4 4 32MA, 64MA
74HC595DB,118 NXP Semiconductors 74HC595DB, 118 0.2300
RFQ
ECAD 6491 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74HC595 다운로드 영향을받지 영향을받지 2156-74HC595DB, 118-954 1
74HCT238D,652 NXP Semiconductors 74HCT238D, 652 0.2600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 nxp 반도체 74hct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 디코더/demultiplexer 74HCT238 4.5V ~ 5.5V 16- 형의 행위 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74HCT238D, 652-954 귀 99 8542.39.0001 1 4MA, 4MA 단일 단일 1 x 3 : 8 1
74HC27PW,112 NXP Semiconductors 74HC27PW, 112 0.1300
RFQ
ECAD 17 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74HC27 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74HC27PW, 112-954 1
74HCT138DB,112 NXP Semiconductors 74HCT138DB, 112 0.1600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 nxp 반도체 74hct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) 디코더/demultiplexer 74HCT138 4.5V ~ 5.5V 16-SSOP 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-74HCT138DB, 112-954 1 4MA, 4MA 단일 단일 1 x 3 : 8 1
74LVC2G07GXZ NXP Semiconductors 74LVC2G07GXZ 0.0700
RFQ
ECAD 110 0.00000000 nxp 반도체 74LVC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn 74LVC2G07 - 열린 열린 1.65V ~ 5.5V 6-x2son (1.0x0.8) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74LVC2G07GXZ-954 귀 99 8542.39.0001 4,287 버퍼, 반전 비 2 1 -, 32MA
74HCT138PW,118 NXP Semiconductors 74HCT138PW, 118 0.1200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 nxp 반도체 74hct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 디코더/demultiplexer 74HCT138 4.5V ~ 5.5V 16-TSSOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74HCT138PW, 118-954 2,533 4MA, 4MA 단일 단일 1 x 3 : 8 1
74ALVC16245DL,112 NXP Semiconductors 74ALVC16245DL, 112 0.7300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 nxp 반도체 74ALVC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-BSSOP (0.295 ", 7.50mm 너비) 74ALVC16245 - 3 국가 1.2V ~ 3.6V 48-ssop 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-74ALVC16245DL, 112-954 1 트랜시버, 반전 비 2 8 24MA, 24MA
74HC2G32DP,125 NXP Semiconductors 74HC2G32DP, 125 -
RFQ
ECAD 1482 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74HC2G32 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74HC2G32DP, 125-954 1
74LVC1G19GW,125 NXP Semiconductors 74LVC1G19GW, 125 -
RFQ
ECAD 2338 0.00000000 nxp 반도체 74LVC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 디코더/demultiplexer 74LVC1G19 1.65V ~ 5.5V 6-TSSOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74LVC1G19GW, 125-954 1 32MA, 32MA 단일 단일 1 x 1 : 2 1
74LVT245PW,112 NXP Semiconductors 74LVT245PW, 112 1.0000
RFQ
ECAD 7566 0.00000000 nxp 반도체 74LVT 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 74LVT245 - 3 국가 2.7V ~ 3.6V 20-tssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74LVT245PW, 112-954 1 트랜시버, 반전 비 1 8 32MA, 64MA
74HCT20D,652 NXP Semiconductors 74HCT20D, 652 0.1100
RFQ
ECAD 17 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74HCT20 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74HCT20D, 652-954 1
74LVC574AD,112 NXP Semiconductors 74LVC574AD, 112 0.2200
RFQ
ECAD 29 0.00000000 nxp 반도체 74LVC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) D- 타입 74LVC574 트라이 트라이, 스테이트 반전 1.65V ~ 3.6V 20- 의자 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74LVC574AD, 112-954 1 1 8 24MA, 24MA 기준 200MHz 긍정적 긍정적 가장자리 7ns @ 3.3v, 50pf 10 µA 5 pf
74HC251D,652 NXP Semiconductors 74HC251D, 652 -
RFQ
ECAD 1350 0.00000000 nxp 반도체 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 멀티플렉서 74HC251 2V ~ 6V 16- 형의 행위 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74HC251D, 652-954 1 5.2MA, 5.2MA 단일 단일 1 x 8 : 1 1
74HCT03D,652 NXP Semiconductors 74HCT03D, 652 0.1200
RFQ
ECAD 39 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74HCT03 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74HCT03D, 652-954 1
74HCT574PW,112 NXP Semiconductors 74HCT574PW, 112 -
RFQ
ECAD 5298 0.00000000 nxp 반도체 74hct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) D- 타입 74HCT574 트라이 트라이, 스테이트 반전 4.5V ~ 5.5V 20-tssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74HCT574PW, 112-954 1 1 8 6MA, 6MA 기준 76 MHz 긍정적 긍정적 가장자리 33ns @ 4.5v, 50pf 8 µA 3.5 pf
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고