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논리 (1087)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	입력 입력	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	논리 논리	요소 요소	요소 요소 비트 당	전류 - 높음 출력, 낮음	기능	현재 -Quiescent (최대)	입력 입력	데이터 데이터	시계 시계	입력 입력	출력 출력	전압 전압	트리거 트리거	cl	현재 -Quiescent (iq)	입력 입력	입력 입력 레벨 - 낮음	입력 입력 레벨 - 높음	회로	독립 독립	지연 지연 - 시간	번역기 번역기	채널 채널	회로 회로 채널	-VCCA	-VCCB
74LVC2G38GM, 125	-	RFQ	5676	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인						74LVC2G38						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC2G38GM, 125-954			1
HEF4017BT, 652	-	RFQ	1691	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						HEF4017						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-HEF4017BT, 652-954			1
74HC2G02DC, 125	0.1700	RFQ	21	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74HC2G02						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HC2G02DC, 125-954			1
74HC10D, 652	0.1100	RFQ	40	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74HC10						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HC10D, 652-954			1
74LV138PW, 112	0.1500	RFQ	7891	nxp 반도체	74lv	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	디코더/demultiplexer		74LV138				1V ~ 5.5V	16-TSSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LV138PW, 112-954			1				12MA, 12MA								단일 단일							1 x 3 : 8	1
74AHC04D, 112	0.1000	RFQ	35	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74AHC04						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AHC04D, 112-954			1
74LVC373ADB112	-	RFQ	3104	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	20-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)					트라이 트라이, 스테이트 반전		1.65V ~ 3.6V	20-ssop	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-74LVC373ADB112-954			1	d- 타입 투명 타입			24MA, 24MA															8 : 8	1	3.3ns
74AHCT2G125GD, 125	0.1400	RFQ	75	nxp 반도체	74AHCT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-xfdfn			74AHCT2G125	-	3 국가		4.5V ~ 5.5V	8- Xson (2x3)	다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74AHCT2G125GD, 125-954			1	버퍼, 반전 비	2	1	8ma, 8ma
74AUP1T57GN, 132	-	RFQ	9475	nxp 반도체	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-xfdfn		구성 구성 게이트 가능한 함수	74AUP1T57		단일 단일	1		6-XSON (0.9x1)	다운로드						0000.00.0000	1								-		-												전압 전압	단방향	1	1.8 V ~ 2.7 v	2.3 v ~ 3.6 v
NTS0302JKZ	0.4200	RFQ	13	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-xfdfn		-	NTS0302		열린 열린	1		8-X2SON (1.4x1)	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-NTS0302JKZ	귀 99	8542.39.0001	1								20Mbps		-	-											전압 전압	양방향	2	1.65 V ~ 3.6 v	2.3 v ~ 5.5 v
HEF40098BT, 652	0.4700	RFQ	2	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			HEF40098	-	3 국가		3V ~ 15V	16- 형의 행위	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-HEF40098BT, 652	귀 99	8542.39.0001	1	버퍼, 반전	2	2, 4	10MA, 20MA
74HC03PW, 118	-	RFQ	7236	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74HC03						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HC03PW, 118-954			1
74LVC1G86GV, 125	-	RFQ	6761	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인						74LVC1G86						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC1G86GV, 125-954			1
74HCT154PW, 112	0.3800	RFQ	2	nxp 반도체	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	24-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	디코더/demultiplexer		74HCT154				4.5V ~ 5.5V	24-TSSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT154PW, 112-954			1				4MA, 4MA								단일 단일							1 x 4:16	1
CBT3245APW, 112	-	RFQ	7600	nxp 반도체	74CBT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	버스 버스		CBT3245				4V ~ 5.5V	20-tssop	다운로드						0000.00.0000	1				-								단일 단일							8 x 1 : 1	1
74HC4094DB, 112	0.2000	RFQ	2	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74HC4094						다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74HC4094DB, 112-954			1
74LV14D, 112	0.1200	RFQ	5526	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74LV14						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LV14D, 112-954			1
74LVT2244PW, 118	0.3300	RFQ	3	nxp 반도체	74LVT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			74LVT2244	-	3 국가		2.7V ~ 3.6V	20-tssop	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVT2244PW, 118-954	귀 99	8542.39.0001	1	버퍼, 반전 비	2	4	12MA, 12MA
74HC2G32DP-Q100H	-	RFQ	3147	nxp 반도체	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)		-	74HC2G32			2	2V ~ 6V	8-tssop	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-74HC2G32DP-Q100H	귀 99	8542.39.0001	1	또는 또는			5.2MA, 5.2MA		1 µA	2							13ns @ 6v, 50pf			0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
74ALVC08D, 118	0.1300	RFQ	11	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74ALVC08						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74ALVC08D, 118-954			1
74AUP1T45GW, 125	0.1400	RFQ	7090	nxp 반도체	74AUP	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			74AUP1T45	-	3 국가		1.1V ~ 3.6V	6-TSSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AUP1T45GW, 125-954			400	트랜시버, 반전 비	1	1	4MA, 4MA
74AHCT132d, 112	-	RFQ	5896	nxp 반도체	74AHCT	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		-	74AHCT132			4	4.5V ~ 5.5V	14-	다운로드						0000.00.0000	1	NAND 게이트			8ma, 8ma		2 µA	2							8NS @ 5V, 50pf			0.5V ~ 0.6V	1.9V ~ 2.1V
74HC86DB112	-	RFQ	2358	nxp 반도체	74HC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)		-	74HC86			4	2V ~ 6V	14-ssop	다운로드						0000.00.0000	1	xor (또는 독점)			5.2MA, 5.2MA		2 µA	2							20ns @ 6v, 50pf			0.5V ~ 1.8V	1.5V ~ 4.2V
74AUP1T98GF, 132	0.1400	RFQ	71	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74AUP1T98						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AUP1T98GF, 132-954			1
74AHC1G00GV, 125	-	RFQ	3357	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74AHC1G00						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74AHC1G00GV, 125-954			1
74LVC1G34GN, 132	-	RFQ	3596	nxp 반도체	74LVC	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-xfdfn			74LVC1G34	-	푸시 푸시		1.65V ~ 5.5V	6-XSON (0.9x1)	다운로드						0000.00.0000	1	버퍼, 반전 비	1	1	32MA, 32MA
74HCT74DB, 118	0.1400	RFQ	3	nxp 반도체	74hct	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)	D- 타입		74HCT74		보완 보완		4.5V ~ 5.5V	14-ssop	다운로드		공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지	2156-74HCT74DB, 118-954			1		2	1	4MA, 4MA	설정 (설정 사전) 및 재설정				59MHz				긍정적 긍정적 가장자리	44ns @ 4.5v, 50pf	40 µA	3.5 pf
74LVC161D, 112	0.3100	RFQ	8	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74LVC161						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC161D, 112-954		0000.00.0000	1
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74LVC3G04DC, 125	0.1700	RFQ	7	nxp 반도체	*	대부분	활동적인						74LVC3G04						다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2156-74LVC3G04DC, 125-954			1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

논리 (1087)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²